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G3R™ 750V SiC MOSFET は比類のない性能と信頼性を提供します

750V G3R SiC MOSFET

ダレス, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC の次世代 750V G3R™SiC MOSFET は、前例のないレベルのパフォーマンスを提供します, 対応するものを超える堅牢性と品質. システムの利点には、動作温度での低オン状態の低下が含まれます, より速いスイッチング速度, 電力密度の増加, 最小限のリンギング (低EMI) コンパクトなシステムサイズ. GeneSiCのG3R™, 最適化された低インダクタンスのディスクリートパッケージで提供 (SMDとスルーホール), すべての動作条件と超高速スイッチング速度で最小の電力損失で動作するように最適化されています. これらのデバイスは、最新の SiC MOSFET と比較して大幅に優れたパフォーマンス レベルを備えています。.

750V G3R SiC MOSFET

「高効率のエネルギー利用は、次世代電力コンバーターにおいて重要な成果物となり、SiCパワーデバイスは、この革命を推進する重要なコンポーネントであり続けます. 何年にもわたる開発作業を経て、最小のオン状態抵抗と堅牢な短絡およびアバランシェ性能を達成, 業界最高の性能を誇る 750V SiC MOSFET をリリースできることを嬉しく思います。. 当社の G3R™ により、パワー エレクトロニクス設計者は困難な効率に対応できます。, ソーラー インバーターなどのアプリケーションでの電力密度と品質目標, EV車載充電器、サーバー・テレコム電源. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドと自動車認定の大量生産に支えられ、価値提案をさらに強化. ” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

特徴 –

  • 業界最小のゲートチャージ (QG) および内部ゲート抵抗 (RG(知性))
  • 最低RDS(オン) 温度によって変化する
  • 低出力容量 (C我ら) とマイラー静電容量 (CGD)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生産中にテスト済み
  • 業界トップの短絡耐量
  • 低 V で高速で信頼性の高いボディ ダイオードF と低いQRR
  • 高く安定したゲート閾値電圧 (VTH) すべての温度およびドレイン バイアス条件にわたって
  • 低熱抵抗と低リンギングのための高度なパッケージ技術
  • Rの製造均一性DS(オン), VTH と降伏電圧 (BV)
  • 包括的な製品ポートフォリオと、自動車認定の大量生産によるより安全なサプライ チェーン

アプリケーション –

  • 太陽 (PV) インバーター
  • EV / HEV車載充電器
  • サーバ & テレコム電源
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • DC-DCコンバーター
  • スイッチモード電源 (SMPS)
  • エネルギー貯蔵とバッテリー充電
  • 誘導加熱

GeneSiCSemiconductorのすべてのSiCMOSFETは、自動車用途を対象としています (AEC-q101) およびPPAP対応.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&SiC MOSFETの取引

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&SiC MOSFETの取引

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&SiC MOSFETの取引

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

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GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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業界最高の性能指数を備えたGeneSiCの新しい第3世代SiCMOSFET

ダレス, VA, 2月 12, 2020 — GeneSiCSemiconductorのRDSを備えた次世代1200VG3R™SiCMOSFET(オン) からの範囲のレベル 20 mΩから 350 mΩは前例のないレベルのパフォーマンスを提供します, 対応するものを超える堅牢性と品質. システムの利点には、より高い効率が含まれます, より速いスイッチング周波数, 電力密度の増加, リンギングの減少 (EMI) コンパクトなシステムサイズ.

GeneSiCは、業界をリードする性能を備えた、業界をリードする第3世代炭化ケイ素MOSFETの発売を発表しました。, 自動車および産業用アプリケーションでこれまでにないレベルの効率とシステムの信頼性を活用するための堅牢性と品質.

これらのG3R™SiCMOSFET, 最適化された低インダクタンスのディスクリートパッケージで提供 (SMDとスルーホール), 高い効率レベルと超高速スイッチング速度を必要とする電力システム設計向けに高度に最適化されています. これらのデバイスは、競合製品と比較して大幅に優れたパフォーマンスレベルを備えています. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドの大量生産に支えられて、その価値提案をさらに強化します.

「何年にもわたる開発作業の後、最小のオン状態抵抗と強化された短絡性能の達成に向けて取り組んでいます, 業界最高のパフォーマンスを発揮する1200VSiCMOSFETをリリースできることを嬉しく思います。 15+ ディスクリートおよびベアチップ製品. 次世代のパワーエレクトロニクスシステムが困難な効率に対応する場合, 自動車などのアプリケーションにおける電力密度と品質の目標, 産業, 再生可能エネルギー, 交通手段, ITとテレコム, その場合、現在利用可能なSiC MOSFETと比較して、大幅に改善されたデバイス性能と信頼性が必要です。” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

特徴 –

  • 優れたQG x RDS(オン) 性能指数 – G3R™SiCMOSFETは、非常に低いゲート電荷で業界最低のオン状態抵抗を特長としています, 結果として 20% 他の同様の競合デバイスよりも優れた性能指数
  • すべての温度で低い伝導損失 – GeneSiCのMOSFETは、オン状態抵抗の温度依存性が最も低く、すべての温度で非常に低い導通損失を提供します。; 市場に出回っている他のどのトレンチおよびプレーナSiCMOSFETよりも大幅に優れています
  • 100 % 雪崩テスト済み – 堅牢なUIL機能は、ほとんどのフィールドアプリケーションにとって重要な要件です。. GeneSiCの1200VSiCMOSFETディスクリートは 100 % 雪崩 (UIL) 生産中にテスト済み
  • 低ゲート電荷と低内部ゲート抵抗 – これらのパラメータは、超高速スイッチングを実現し、最高の効率を達成するために重要です。 (低Eon-Eoff) 幅広いアプリケーションスイッチング周波数にわたって
  • 175°Cまでのノーマルオフ安定動作 – GeneSiCのすべてのSiCMOSFETは、最新のプロセスで設計および製造されており、誤動作のリスクがなく、すべての動作条件で安定性と信頼性の高い製品を提供します。. これらのデバイスの優れたゲート酸化物品質は、しきい値を防ぎます (VTH) ドリフト
  • デバイスの静電容量が小さい – G3R™は、デバイスの静電容量が小さいため、より高速かつ効率的に駆動するように設計されています– Ciss, CossとCrss
  • 固有電荷が低く、高速で信頼性の高いボディダイオード – GeneSiCのMOSFETは、ベンチマークの低い逆回復電荷を特徴としています (QRR) すべての温度で; 30% 同様に評価された競合デバイスよりも優れています. これにより、電力損失がさらに削減され、動作周波数が向上します。
  • 使いやすさ – G3R™SiCMOSFETは、+ 15Vで駆動するように設計されています / -5Vゲートドライブ. これにより、既存の商用IGBTおよびSiCMOSFETゲートドライバーとの幅広い互換性が提供されます

アプリケーション –

  • 電気自動車 – パワートレインと充電
  • ソーラーインバーターとエネルギー貯蔵
  • 産業用モータードライブ
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • スイッチモード電源 (SMPS)
  • 双方向DC-DCコンバータ
  • スマートグリッドとHVDC
  • 誘導加熱および溶接
  • パルスパワーアプリケーション

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データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiCSemiconductorのすべてのSiCMOSFETは、自動車用途を対象としています (AEC-q101) およびPPAP対応. すべてのデバイスは業界標準のD2PAKで提供されます, TO-247およびSOT-227パッケージ.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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GeneSiCの3300Vおよび1700V1000mΩSiCMOSFETは、補助電源の小型化に革命をもたらします

ダレス, VA, 12月 4, 2020 — GeneSiCは、比類のない小型化を実現するために最適化された、業界をリードする3300Vおよび1700VディスクリートSiCMOSFETの発売を発表しました。, 産業用ハウスキーピングパワーの信頼性とエネルギー節約.

ニュース, シリコンカーバイドの包括的なポートフォリオのパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体, 本日、次世代の3300Vおよび1700V1000mΩSiCMOSFET–G2R1000MT17Jの即時発売を発表しました, G2R1000MT17D, およびG2R1000MT33J. これらのSiCMOSFETは、優れた性能レベルを可能にします, フラッグシップ性能指数に基づく (FoM) エネルギー貯蔵全体の電力システムを強化および簡素化する, 再生可能エネルギー, 産業用モーター, 汎用インバーターと産業用照明. リリースされた製品は:

G2R1000MT33J –3300V1000mΩTO-263-7SiC MOSFET

G2R1000MT17D –1700V1000mΩTO-247-3SiC MOSFET

G2R1000MT17J –1700V1000mΩTO-263-7SiC MOSFET

G3R450MT17D –1700V450mΩTO-247-3SiC MOSFET

G3R450MT17J –1700V450mΩTO-263-7SiC MOSFET

GeneSiCの新しい3300Vおよび1700VSiC MOSFET, 1000mΩおよび450mΩオプションでSMDおよびスルーホールディスクリートパッケージとして利用可能, 高い効率レベルと超高速スイッチング速度を必要とする電力システム設計向けに高度に最適化されています. これらのデバイスは、競合製品と比較して大幅に優れたパフォーマンスレベルを備えています. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドの大量生産によってサポートされ、その価値提案をさらに強化します.

「1500Vソーラーインバーターのようなアプリケーションでは, 補助電源のMOSFETは、2500Vの範囲の電圧に耐える必要がある場合があります, 入力電圧に応じて, トランスの巻数比と出力電圧. 高絶縁破壊電圧MOSFETは、フライバックで直列接続されたスイッチの必要性を排除します, ブーストおよびフォワードコンバーターにより、部品点数が削減され、回路の複雑さが軽減されます. GeneSiCの3300Vおよび1700VディスクリートSiCMOSFETにより、設計者はよりシンプルなシングルスイッチベースのトポロジを使用できると同時に、信頼性の高いものを顧客に提供できます。, コンパクトで費用効果の高いシステム” スミット・ジャダフは言った, GeneSiCSemiconductorのシニアアプリケーションマネージャー.

特徴 –

  • 優れた価格性能指数
  • フラッグシップQG x RDS(オン) 性能指数
  • 低い固有容量と低いゲート電荷
  • すべての温度で低損失
  • 高いアバランシェと短絡の耐久性
  • 175°Cまでの通常オフの安定した動作のためのベンチマークしきい値電圧

アプリケーション –

  • 再生可能エネルギー (ソーラーインバーター) とエネルギー貯蔵
  • 産業用モーター (と絆)
  • 汎用インバーター
  • 産業用照明
  • ピエゾドライバー
  • イオンビーム発生器

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GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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GeneSiCの業界をリードする6.5kVSiC MOSFET – アプリケーションの新しい波の先駆者

6.5kV SiC MOSFET

ダレス, VA, 10月 20, 2020 — GeneSiCは6.5kV炭化ケイ素MOSFETをリリースし、前例のないレベルのパフォーマンスを提供することで最前線をリードします, トラクションなどの中電圧電力変換アプリケーションの効率と信頼性, パルスパワーとスマートグリッドインフラストラクチャ.

ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体, 本日、6.5kV SiC MOSFETベアチップ–G2R300MT65-CALおよびG2R325MS65-CALの即時提供を発表しました. この技術を利用した完全なSiCモジュールがまもなくリリースされます. アプリケーションには牽引力が含まれることが期待されます, パルスパワー, スマートグリッドインフラストラクチャおよびその他の中電圧電力変換器.

G2R300MT65-CAL –6.5kV300mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ

G2R325MS65-CAL –6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (統合ショットキー付き) ベアチップ

G2R100MT65-CAL –6.5kV100mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ

GeneSiCのイノベーションは、SiC二重注入金属酸化物半導体を特徴としています (DMOSFET) 接合バリアショットキーを備えたデバイス構造 (JBS) SiCDMOSFETユニットセルに統合された整流器. この最先端の電力デバイスは、次世代の電力変換システムのさまざまな電力変換回路で使用できます。. その他の重要な利点には、より効率的な双方向パフォーマンスが含まれます, 温度に依存しないスイッチング, 低スイッチングおよび伝導損失, 冷却要件の削減, 優れた長期信頼性, デバイスの並列化の容易さとコストメリット. GeneSiCのテクノロジーは、優れたパフォーマンスを提供し、電力変換器の正味のSiC材料フットプリントを削減する可能性もあります。.

“GeneSiCの6.5kVSiC MOSFETは、低いオン状態抵抗を実現するために6インチウェーハ上に設計および製造されています。, 最高品質, と優れた価格性能指数. この次世代MOSFET技術は、模範的な性能を約束します, 中電圧電力変換アプリケーションにおける優れた耐久性と長期信頼性。” 前記 博士. シドダース・スンダレサン, GeneSiCSemiconductorの技術担当副社長.

GeneSiCの6.5kVG2R™SiCMOSFETテクノロジーの特徴 –

  • 高雪崩 (UIS) と短絡の頑丈さ
  • 優れたQG x RDS(オン) 性能指数
  • 温度に依存しないスイッチング損失
  • 低静電容量と低ゲート電荷
  • すべての温度で低損失
  • 175°Cまでのノーマルオフ安定動作
  • +20 V / -5 Vゲートドライブ

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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GeneSiCが一流のRを獲得&SiCベースのモノリシックトランジスタ-整流器スイッチに対するD100賞

ダレス, VA, 12月 5, 2019 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2019 R&D 100 鬼ごっこ.

GeneSiC Semiconductor Inc, 鬼ごっこ 2019 R&D 100 アワード. この賞は、最も重要なものの1つを紹介したGeneSiCを表彰するものです。, 中に複数の分野で新たに導入された研究開発の進歩 2018. R&鬼ごっこ. GeneSiCのデバイスによって実現されるこれらの機能により、パワーエレクトロニクスの研究者は、インバーターやDC-DCコンバーターなどの次世代のパワーエレクトロニクスシステムを開発することができます。. これにより、電気自動車内での製品開発が可能になります, 充電インフラ, 再生可能エネルギーおよびエネルギー貯蔵産業. GeneSiCは、これらのデバイスを使用した高度なパワーエレクトロニクスハードウェアのデモンストレーションに向けて複数の顧客からの注文を予約し、シリコンカーバイドMOSFET製品のファミリを開発し続けています。. R&電力変換アプリケーションの初期バージョンのDは、米国部門を通じて開発されました. エネルギーとサンディア国立研究所とのコラボレーション.

Rが運営する毎年恒例のテクノロジーコンペティション&D Magazineは、さまざまな企業や業界のプレーヤーからのエントリーを評価しました, 世界中の研究機関や大学. 雑誌の編集者と外部の専門家のパネルが審査員を務めました, 科学と研究の世界にとっての重要性の観点から各エントリを評価する.

Rによると&Dマガジン, Rを獲得する&D 100 賞は、業界に知られている卓越性のマークを提供します, 政府, 製品が今年の最も革新的なアイデアの1つであることの証拠としての学界. この賞は、GeneSiCが、私たちの働き方や生活に違いをもたらすテクノロジーベースの製品の作成におけるグローバルリーダーとして認められています。.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.