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GeneSiCが一流のRを獲得&グリッド接続された太陽光および風力エネルギーアプリケーションにおけるSiCデバイスのD100賞

ダレス, VA, 7月 14, 2011 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2011 R&D 100 高電圧定格のシリコンカーバイドデバイスの製品化に対する賞.

GeneSiC Semiconductor Inc, 先週、シリコン カーバイド ベースのパワー デバイスの重要なイノベーターが栄誉ある賞を受賞したことを発表しました。 2011 R&D 100 アワード. この賞は、最も重要なものの1つを紹介したGeneSiCを表彰するものです。, 中に複数の分野で新たに導入された研究開発の進歩 2010. R&D Magazine は、GeneSiC の超高電圧 SiC サイリスタが、これまでパワー エレクトロニクスのデモンストレーションに向けて利用されたことのないブロッキング電圧と周波数を実現できることを認めました。. の電圧定格 >6.5kV, オン状態電流定格 80 A と動作周波数 >5 kHz は、以前に市場に導入されたものよりもはるかに高い. GeneSiC のサイリスタによって実現されるこれらの機能により、パワー エレクトロニクスの研究者はグリッド接続型インバーターを開発できます。, フレキシブル

交流送電システム (事実) および高電圧DCシステム (HVDC). これにより、再生可能エネルギーにおける新しい発明と製品開発が可能になります。, ソーラーインバーター, 風力発電インバーター, およびエネルギー貯蔵産業. 博士. ランヴィール・シン, GeneSiC Semiconductor の社長は次のように述べています。. これらの第1世代SiCサイリスタは、SiCサイリスタでこれまでに達成された中で最も低い実証済みのオン状態電圧降下と差動オン抵抗を利用します。. ゲート制御のターンオフ機能とパルス電力機能に最適化された次世代の SiC サイリスタをリリースする予定です。 >10kV定格. 高温超高電圧パッケージングソリューションの開発を続けています, 現在の6.5kVサイリスタは、完全にはんだ付けされた接点を備えたモジュールにパッケージ化されています, 150oC の接合部温度に制限されます。」 10月発売の商品なので 2010, GeneSiC は、これらのシリコン カーバイド サイリスタを使用した高度なパワー エレクトロニクス ハードウェアのデモに向けて、複数の顧客からの注文を予約しました。. GeneSiC は、シリコン カーバイド サイリスタ製品ファミリーの開発を続けています. R&電力変換アプリケーションの初期バージョンの D は、米国部門からの SBIR 資金援助を通じて開発されました。. エネルギーの. より高度な, パルスパワーに最適化された SiC サイリスタは、ARDEC との別の SBIR 契約の下で開発されています。, 米軍. これらの技術開発を利用して, GeneSiC からの内部投資と複数の顧客からの商用注文, GeneSiC は、これらの UHV サイリスタを製品化することができました。.

Rが主催する第49回年次技術コンテスト&D Magazineは、さまざまな企業や業界のプレーヤーからのエントリーを評価しました, 世界中の研究機関や大学. 雑誌の編集者と外部の専門家のパネルが審査員を務めました, 科学と研究の世界にとっての重要性の観点から各エントリを評価する.

Rによると&Dマガジン, Rを獲得する&D 100 賞は、業界に知られている卓越性のマークを提供します, 政府, 製品が今年の最も革新的なアイデアの1つであることの証拠としての学界. この賞は、GeneSiCが、私たちの働き方や生活に違いをもたらすテクノロジーベースの製品の作成におけるグローバルリーダーとして認められています。.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.

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再生可能エネルギー推力ネットGeneSiCSemiconductor米国エネルギー省から150万ドル

ダレス, VA, 11月 12, 2008 – 米国エネルギー省は、高電圧炭化ケイ素の開発に対して、GeneSiCSemiconductorに合計150万ドルの2つの個別の助成金を授与しました。 (SiC) 風力の主要なイネーブラーとして機能するデバイス- 太陽光発電と国の電力網との統合.

「これらの賞は、GeneSiCの機能に対するDOEの信頼を示しています。, 代替エネルギーソリューションへの取り組みと同様に,」と博士は述べています. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「統合された, 効率的な電力網は、国のエネルギーの将来にとって重要です。また、私たちが開発しているSiCデバイスは、従来のシリコン技術の非効率性を克服するために重要です。」

最初の賞は、高速開発のための75万ドルのフェーズIISBIR助成金です。, 超高電圧SiCバイポーラデバイス. 2つ目は、光学的にゲート制御された高出力SiCスイッチの開発に対する75万ドルのフェーズIISTTR助成金です。.

炭化ケイ素は、シリコンの10倍の電圧と100倍の電流を処理する能力を備えた次世代の半導体材料です。, 再生可能エネルギーなどの高電力アプリケーションに最適です。 (風と太陽) 設備および電気グリッド制御システム.

具体的には, 2つの賞は:

  • 高周波の開発, マルチキロボルトSiCゲートターンオフ (GTO) パワーデバイス. 政府および商用アプリケーションには、船舶の電力管理および調整システムが含まれます, 公益事業, および医用画像.
  • 光学的にゲートされた高電圧の設計と製造, ハイパワーSiCスイッチングデバイス. 光ファイバーを使用して電源を切り替えることは、電磁干渉に悩まされている環境にとって理想的なソリューションです。 (EMI), および超高電圧を必要とするアプリケーション.

GeneSiCが開発しているSiCデバイスは、さまざまなエネルギー貯蔵に役立ちます, 送電網, および軍事用途, 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせるにつれて、これらはますます注目を集めています.

ワシントン郊外に拠点を置く, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, 電界効果トランジスタ (FET) およびバイポーラデバイス, だけでなく粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCには、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトがあります, エネルギー省を含む, 海軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュース www.genesicsemi.com.