ダレス, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC の次世代 750V G3R™SiC MOSFET は、前例のないレベルのパフォーマンスを提供します, 対応するものを超える堅牢性と品質. システムの利点には、動作温度での低オン状態の低下が含まれます, より速いスイッチング速度, 電力密度の増加, 最小限のリンギング (低EMI) コンパクトなシステムサイズ. GeneSiCのG3R™, 最適化された低インダクタンスのディスクリートパッケージで提供 (SMDとスルーホール), すべての動作条件と超高速スイッチング速度で最小の電力損失で動作するように最適化されています. これらのデバイスは、最新の SiC MOSFET と比較して大幅に優れたパフォーマンス レベルを備えています。.
「高効率のエネルギー利用は、次世代電力コンバーターにおいて重要な成果物となり、SiCパワーデバイスは、この革命を推進する重要なコンポーネントであり続けます. 何年にもわたる開発作業を経て、最小のオン状態抵抗と堅牢な短絡およびアバランシェ性能を達成, 業界最高の性能を誇る 750V SiC MOSFET をリリースできることを嬉しく思います。. 当社の G3R™ により、パワー エレクトロニクス設計者は困難な効率に対応できます。, ソーラー インバーターなどのアプリケーションでの電力密度と品質目標, EV車載充電器、サーバー・テレコム電源. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドと自動車認定の大量生産に支えられ、価値提案をさらに強化. ” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.
特徴 –
- 業界最小のゲートチャージ (QG) および内部ゲート抵抗 (RG(知性))
- 最低RDS(オン) 温度によって変化する
- 低出力容量 (C我ら) とマイラー静電容量 (CGD)
- 100% 雪崩 (UIL) 生産中にテスト済み
- 業界トップの短絡耐量
- 低 V で高速で信頼性の高いボディ ダイオードF と低いQRR
- 高く安定したゲート閾値電圧 (VTH) すべての温度およびドレイン バイアス条件にわたって
- 低熱抵抗と低リンギングのための高度なパッケージ技術
- Rの製造均一性DS(オン), VTH と降伏電圧 (BV)
- 包括的な製品ポートフォリオと、自動車認定の大量生産によるより安全なサプライ チェーン
アプリケーション –
- 太陽 (PV) インバーター
- EV / HEV車載充電器
- サーバ & テレコム電源
- 無停電電源装置 (UPS)
- DC-DCコンバーター
- スイッチモード電源 (SMPS)
- エネルギー貯蔵とバッテリー充電
- 誘導加熱
GeneSiCSemiconductorのすべてのSiCMOSFETは、自動車用途を対象としています (AEC-q101) およびPPAP対応.
G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&SiC MOSFETの取引
G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&SiC MOSFETの取引
G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&SiC MOSFETの取引
データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com
すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support
GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.
GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.
