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5クラス最高の効率を実現する第 6 世代 650V SiC ショットキー MPS™ ダイオード

Gen5 650V SiC ショットキー MPS™

ダレス, VA, 五月 28, 2021 — ニュース, 炭化ケイ素のパイオニアであり、世界的なサプライヤー (SiC) パワー半導体デバイス, 第5世代の発売を発表 (GE***シリーズ) 優れた価格性能指数で新しいベンチマークを設定している SiC Schottky MPS™ 整流器, 業界をリードするサージ電流とアバランシェの堅牢性, と高品質の製造.

「GeneSiC は、世界で初めて SiC ショットキー整流器を商業的に供給した SiC メーカーの 1 つです。 2011. 高性能で高品質の SiC 整流器を業界に供給して 10 年以上経った後、, SiC ショットキー MPS™ の第 5 世代をリリースできることを嬉しく思います。 (Merged-PiN-Schottky) サーバー/テレコム電源やバッテリー充電器などのアプリケーションで高効率と電力密度の目標を達成するために、あらゆる面で業界をリードする性能を提供するダイオード. 5代目となる革新的な機能 (GE***シリーズ) SiC ショットキー MPS™ ダイオードは、内蔵電圧が低いことが他の製品の中で際立っています。 (ニーボルテージとも呼ばれる);これにより、すべての負荷条件でダイオードの伝導損失を最小限に抑えることができます - 高効率のエネルギー使用を必要とするアプリケーションにとって重要. 低ニー特性を提供するように設計された他の競合他社の SiC ダイオードとは対照的に、, Gen5 ダイオード設計のもう 1 つの特徴は、依然として高いレベルのなだれを維持していることです。 (UIL) お客様が GeneSiC の Gen3 に期待する堅牢性 (GC***シリーズ) そしてGen4 (GD***シリーズ) SiCショットキーMPS™” 博士は言った. シドダース・スンダレサン, GeneSiC Semiconductor 技術担当副社長.

特徴 –

  • 低い内蔵電圧 – すべての負荷条件で最小の伝導損失
  • 優れた性能指数 – QC×VF
  • 最適な価格パフォーマンス
  • 強化されたサージ電流機能
  • 100% 雪崩 (UIL) テスト済み
  • クーラー動作のための低い熱抵抗
  • ゼロフォワードおよびリバースリカバリ
  • 温度に依存しない高速スイッチング
  • VFの正の温度係数

アプリケーション –

  • 力率補正のブーストダイオード (PFC)
  • サーバーおよびテレコム電源
  • ソーラーインバーター
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • バッテリーチャージャー
  • フリーホイーリング / インバーターの逆並列ダイオード

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC ショットキー MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC ショットキー MPS™

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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大電流対応650V, 1200ミニモジュールSOT-227パッケージのVおよび1700VSiCSchottkyMPS™ダイオード

ダレス, VA, 五月 11, 2019 — GeneSiCは大電流対応のマーケットリーダーになります (100 Aと 200 A) SOT-227ミニモジュールのSiCショットキーダイオード

GeneSiCはGB2X50MPS17-227を導入しました, GC2X50MPS06-227およびGC2X100MPS06-227; 業界最高の定格電流650Vおよび1700VSiCショットキーダイオード, 既存の1200VSiCショットキーダイオードミニモジュールポートフォリオに追加–GB2X50MPS12-227およびGB2X100MPS12-227. これらのSiCダイオードは、シリコンベースの超高速回復ダイオードに取って代わります。, エンジニアがより高い効率とより高い電力密度でスイッチング回路を構築できるようにする. アプリケーションには、電気自動車の急速充電器が含まれることが期待されています, モータードライブ, 輸送用電源, 高出力整流および産業用電源.

SOT-227ミニモジュールパッケージの免震ベースプレートに加えて, これらの新しくリリースされたダイオードは、低い順方向電圧降下を特徴としています, ゼロ順方向回復, ゼロ逆回復, ジャンクション容量が低く、定格動作温度は最大175°C. GeneSiCの第3世代SiCショットキーダイオード技術は、業界をリードするアバランシェの耐久性とサージ電流を提供します (ifsm) 堅牢性, 高品質の自動車認定6インチ製造と高度な高信頼性ディスクリートアセンブリ技術を組み合わせた.

これらのSiCダイオードは、SOT-227で利用可能な他のダイオードのピン互換の直接交換品です (ミニモジュール) パッケージ. 電力損失が少ないことのメリット (クーラー操作) および高周波スイッチング機能, 設計者は、設計の変換効率と電力密度を向上させることができます.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.