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シリコンカーバイドショットキー整流器を拡張 3300 ボルト定格

絶縁パッケージで温度に依存しないゼロ逆回復電流を提供するこれらの低静電容量整流器の恩恵を受ける高電圧アセンブリ

シーフリバーフォールズ/ダレス, バージニア。, 五月 28, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は、 3300 V /0.3アンペアSiCショットキー整流器 – GAP3SLT33-220FP. このユニークな製品は、市場で最も高い電圧のSiC整流器を表しています, 特に、広範囲のX線で使用される電圧マルチプライヤ回路と高電圧アセンブリを対象としています。, レーザーおよび粒子発生器の電源.3300 VSiCショットキーダイオードGeneSiC

シリコン整流器からの逆回復電流が並列接続されたコンデンサを放電するため、現代の電圧逓倍回路は回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流子の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 3300 V / 0.3 Aショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. 単一のデバイスでのこの比較的高い電圧により、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧逓倍ステージを削減できます。, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. TO-220フルパックオーバーモールド絶縁パッケージは、スルーホールアセンブリのピン間隔が拡大された業界標準のフォームファクタを備えています.3300 VSiCショットキーダイオードSMBGeneSiC

「この製品の提供は、GeneSiCでの長年の継続的な取り組みによるものです。. 私たちは信じています 3300 V定格は、高電圧発電機市場の重要な差別化要因です, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiCショットキー整流器は、この画期的な製品を可能にします” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

3300 V / 0.3 ASiC整流器の技術的ハイライト

  • オンステートドロップ 1.7 V at 0.3 A
  • VFの正の温度係数
  • Tjmax = 175oC
  • 容量性電荷 52 nC (典型的な).

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠の業界標準TO-220FP (フルパック) パッケージ. デバイスは、GeneSiCの正規販売代理店からすぐに入手できます。, Digikey.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, www.genesicsemi.comにアクセスしてください