前例のない電圧定格と超高速スイッチングを提供するSiCチップの恩恵を受ける高電圧回路とアセンブリ
ダレス, バージニア。, 11月 7, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は、 8000 V SiCPiN整流器; 8000 VSiCショットキー整流器, 3300 VSiCショットキー整流器と 6500 ベアダイフォーマットのVSiCサイリスタ. これらのユニークな製品は、市場で最も高い電圧のSiCデバイスを表しています, 特に石油とガスの計装を対象としています, 電圧逓倍回路と高電圧アセンブリ.
現代の超高電圧回路は、シリコン整流器からの逆回復電流が並列接続されたコンデンサを放電するため、回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流器の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 8000 Vと 3300 Vショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. 単一のデバイスでのこの比較的高い電圧により、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧逓倍ステージを削減できます。, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. 8000 V PiN整流器は、より高い電流レベルとより高い動作温度を提供します. 6500 Rを加速するためのVSiCサイリスタチップも利用可能です&新しいシステムのD.
「これらの製品は、マルチkV定格のSiCチップの開発におけるGeneSiCの強力なリードを示しています。. 私たちは信じています 8000 V定格は、シリコンデバイスが定格温度で提供できるものを超えています, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiC整流器とサイリスタは、これまで不可能だったシステムレベルのメリットを実現します。” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.
8000 V / 2 ASiCベアダイPiN整流器の技術的ハイライト
- Tjmax = 210oC
- 逆漏れ電流 < 50 uA at 175oC
- リバースリカバリーチャージ 558 nC (典型的な).
8000 V / 50 mASiCベアダイショットキー整流器の技術的ハイライト
- 総静電容量 25 pF (典型的な, で -1 V, 25oC).
- VFの正の温度係数
- Tjmax = 175oC
6500 VSiCサイリスタベアダイの技術的ハイライト
- 3つのオファリング– 80 アンペア (GA080TH65-CAU); 60 アンペア (GA060TH65-CAU); そして 40 アンペア (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200oC
3300 V / 0.3 ASiCベアダイ整流器の技術的ハイライト
- オンステートドロップ 1.7 V at 0.3 A
- VFの正の温度係数
- Tjmax = 175oC
- 容量性電荷 52 nC (典型的な).
GeneSiCSemiconductorIncについて.
GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.
詳細については, ニュース https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
