GeneSiCは、SiCパワーデバイスに優れたコストパフォーマンスインデックスを提供することにより、可能な限り最高の顧客主導の設計を提供することに成功しています。, 高耐久性と高品質.
アプリケーションが含まれます:
- 力率補正のブーストダイオード (PFC)
- スイッチモード電源 (SMPS)
- 電気自動車 – パワートレイン, DC-DCコンバーターとオンボード充電
- 非常に高速な充電インフラストラクチャ
- ソーラーインバーターとエネルギー貯蔵
- トラクション
- データセンターの電源
- 誘導加熱および溶接
- 高電圧DC-DCコンバーター
- フリーホイーリング / 逆並列ダイオード
- LEDおよびHID照明
- 医用画像システム
- ダウンホールオイルドリルパワーコンバーター
- 高電圧センシング
- パルスパワー
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DE-SAT保護やハイサイドスイッチゲートドライブブートストラップ回路などの高電圧検出アプリケーション用, DO-214およびTO-252-2パッケージは理想的なソリューションです.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
TO-247-3パッケージは、力率補正などのアプリケーションで、より高い電力密度とBOM削減のための優れた柔軟性を提供します。 (PFC) 2つのダイオード間で共通のカソードを共有するインター.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
アプリケーションノート:
AN-1 1200 温度不変のバリア高さと理想係数を備えたVショットキーダイオード
10月 2010 AN-1 1200 温度不変のバリア高さと理想係数を備えたVショットキーダイオード
AN-2 1200 高速スイッチングアプリケーション向けの超低容量性逆回復電荷を備えたVSiCJBSダイオード
10月 2010 AN-2 1200 高速スイッチングアプリケーション向けの超低容量性逆回復電荷を備えたVSiCJBSダイオード
AN1001SiCパワーダイオードの信頼性
9月, 2018AN1001SiCパワーダイオードの信頼性
AN1002SiCパワーショットキーダイオードのデータセットを理解する
9月, 2018AN1002SiCパワーショットキーダイオードのデータセットを理解する
AN1003SPICEモデルの使用説明書
12月, 2018AN1003SPICEモデルの使用説明書
技術記事:
ハイパワーSiCPiN整流器
12月, 2005 ハイパワーSiCPiN整流器
高出力SiCPiN整流器
ジュン, 2007 高出力SiCPiN整流器
炭化ケイ素半絶縁検出器による高速中性子検出
ジュン, 2008 炭化ケイ素半絶縁検出器による高速中性子検出
半絶縁性炭化ケイ素に基づく放射線検出器の開発
10月, 2008 半絶縁性炭化ケイ素に基づく放射線検出器の開発
4H-SiCPiNダイオードのキャリア再結合寿命と順方向電圧降下の相関
9月, 2010 4H-SiCPiNダイオードのキャリア再結合寿命と順方向電圧降下の相関