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GeneSiCのG3R™SiCMOSFETは、これまでにないレベルの効率を利用するための高電圧スイッチングで業界をリードするパフォーマンスを特長としています。, 高温動作とシステムの信頼性.
特徴:
- G3R™テクノロジー +15 Vゲートドライブ
- 優れたQG x RDS(オン) 性能指数
- 低ゲート電荷とデバイス容量
- 高温での低伝導損失
- 優れたアバランシェと短絡耐久性
- 175°Cまでのノーマルオフ安定動作
- 高速で信頼性の高いボディダイオード
- ケルビンソース接続による最適化されたパッケージング
利点:
- 優れたコストパフォーマンス指標
- コンパクトシステムの電力密度の向上
- 低内部RG 高スイッチング周波数動作用
- システム効率を高めるための損失の削減
- 最小化されたゲートリンギング
- 改善された熱能力
- 運転が簡単
- 熱暴走のない並列化の容易さ
アプリケーション:
- 電気自動車–パワートレインと充電
- ソーラーインバーターとエネルギー貯蔵
- スマートグリッドとHVDC
- モータードライブ
- 高電圧DC-DCおよびAC-DCコンバーター
- 誘導加熱および溶接
- スイッチモード電源
- パルスパワーアプリケーション
750V SiC MOSFET
| オン抵抗, RDS(オン) | ベアチップ | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 メートルΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 メートルΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 メートルΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| オン抵抗, RDS(オン) | ベアチップ | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 メートルΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 メートルΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 メートルΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 メートルΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 メートルΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 メートルΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 メートルΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 メートルΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| オン抵抗, RDS(オン) | ベアチップ | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 メートルΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 メートルΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 メートルΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 メートルΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 メートルΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| オン抵抗, RDS(オン) | ベアチップ | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 メートルΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 メートルΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 メートルΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| オン抵抗, RDS(オン) | ベアチップ |
|---|---|
|
|
| 300 メートルΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 メートルΩ | G2R325MS65-CAL |
