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の検索結果:
Thyristors
ハイパワーゲートドライバーボード
電流利得を特徴とする急速に成熟するSiC接合トランジスタ (NS) > 130, 最大のブロッキング電圧 2700 Vと安定した長期運用
250°C動作用に最適化された炭化ケイ素接合トランジスタとショットキー整流器
の静的およびスイッチング特性 1200 の静的およびスイッチング特性
AN-10A駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT) 既製のシリコンIGBTゲートドライバ付き: シングルレベルドライブのコンセプト
AN-10B駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT): 2レベルゲートドライブの概念
ダブルパルススイッチングボード
低電力ゲートドライバーボード
1200 Vクラス4H-SiC “素晴らしい” の電流利得を持つ接合トランジスタ 88 および超高速スイッチング機能
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