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の検索結果:
SJT
電流利得を特徴とする急速に成熟するSiC接合トランジスタ (NS) > 130, 最大のブロッキング電圧 2700 Vと安定した長期運用
SiCの高温の可能性を活用する
さまざまな温度での長期DCおよびパルス動作下でのSiC「スーパー」接合トランジスタの電気的特性の安定性
炭化ケイ素 “素晴らしい” 500°Cで動作する接合トランジスタ
の静的およびスイッチング特性 1200 の静的およびスイッチング特性
200 で動作するVSiC「スーパー」接合トランジスタ 250 電力変換アプリケーション向けのエネルギー損失が非常に低い°C
250°C動作用に最適化された炭化ケイ素接合トランジスタとショットキー整流器
オールシリコンカーバイドジャンクショントランジスタ-ダイオードは 4 リードミニモジュール
マルチkHz, 米国の研究者にサンプリングされた超高電圧炭化ケイ素サイリスタ
GeneSiCはGoogle / IEEEのリトルボックスチャレンジをサポートします
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