マルチkHz, 米国の研究者にサンプリングされた超高電圧炭化ケイ素サイリスタ
ダレス, VA, 11月 1, 2010 –その種の最初の提供で, GeneSiC Semiconductorは、電力で使用するための6.5kVSCRモード炭化ケイ素サイリスタのファミリが利用可能になったことを発表しました…
GeneSiCは、炭化ケイ素サイリスタベースのデバイスの開発に向けて、ARPA-Eから253万ドルを獲得しました
ダレス, VA, 9月 28, 2010 –先端研究プロジェクト庁–エネルギー (ARPA-E) 小説の開発に向けて、GeneSiCSemiconductor主導のチームと協力協定を締結しました…
再生可能エネルギー推力ネットGeneSiCSemiconductor米国エネルギー省から150万ドル
ダレス, VA, 11月 12, 2008 – 米国エネルギー省は、高電圧炭化ケイ素の開発に対して、GeneSiCSemiconductorに合計150万ドルの2つの個別の助成金を授与しました。 (SiC) そのデバイス…
GeneSiCSemiconductorが複数の米国エネルギー省SBIRおよびSTTR助成金を受賞
ダレス, VA, 10月 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., 高温の急成長中のイノベーター, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 3つの別々に授与されたことを発表しました…
