ダレス, VA, 11月 1, 2010 –その種の最初の提供で, GeneSiC Semiconductorは、スマートグリッドアプリケーションのパワーエレクトロニクスで使用するための6.5kVSCRモード炭化ケイ素サイリスタのファミリの利用可能性を発表しました. これらのパワーデバイスの革新的なパフォーマンス上の利点は、分散型エネルギーリソースのアクセス可能性と活用を向上させるために、ユーティリティ規模のパワーエレクトロニクスハードウェアの主要な革新に拍車をかけることが期待されています。 (THE). "今まで, マルチkV炭化ケイ素 (SiC) 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「GeneSiCは最近、多くの6.5kV / 40Aの配信を完了しました。, 6.5再生可能エネルギーの研究を行っている複数の顧客へのkV / 60Aおよび6.5kV / 80Aサイリスタ, 陸軍および海軍の電力システムアプリケーション. これらの定格のSiCデバイスは、現在、より広く提供されています。」
炭化ケイ素ベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、Xより速いスイッチング周波数とより高い温度動作. これらのデバイスのターゲットアプリケーション研究の機会には、汎用の中電圧電力変換が含まれます (MVDC), グリッドタイドソーラーインバーター, 風力発電インバーター, パルスパワー, 兵器システム, 点火制御, とトリガー制御. その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償器と直列補償器. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減.
博士. シン氏は続けます。「電力変換分野の研究者がSiCサイリスタの利点を完全に理解した後、ソリッドステート変電所と風力タービン発電機の大規模市場が開かれることが予想されます。. これらの第1世代SiCサイリスタは、SiCサイリスタでこれまでに達成された中で最も低い実証済みのオン状態電圧降下と差動オン抵抗を利用します。. ゲート制御のターンオフ機能に最適化された次世代のSiCサイリスタをリリースする予定です。 >10kV定格. 高温超高電圧パッケージングソリューションの開発を続けています, 現在の6.5kVサイリスタは、完全にはんだ付けされた接点を備えたモジュールにパッケージ化されています, 150oCの接合部温度に制限されています。」 GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急成長しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています。 (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.
ワシントンの近くにあります, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュース www.genesicsemi.com.
