GeneSiCリリース 25 mOhm /1700Vシリコンカーバイドトランジスタ

高周波電源回路向けにリリースされた最小の導通損失と優れた短絡機能を提供するSiCスイッチ

ダレス, バージニア。, 10月 28, 2014 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、低オン抵抗1700Vおよび 1200 TO-247パッケージのVSiCジャンクショントランジスタ. 高電圧の使用, 高周波, 高温および低オン抵抗対応のSiCジャンクショントランジスタは、変換効率を高め、より高いバス電圧を必要とするパワーエレクトロニクスアプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、DCマイクログリッドを含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, 車両急速充電器, サーバ, テレコムおよびネットワーク電源, 無停電電源装置, ソーラーインバーター, 風力発電システム, および産業用モーター制御システム.

SiCジャンクショントランジスタ (SJT) GeneSiCが提供する超高速スイッチング機能 (SiCMOSFETと同様), 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, 商用ゲートドライバーで駆動できます, 他のSiCスイッチとは異なり. 他のSiCスイッチとは対照的なSJTのユニークな利点は、その高い長期信頼性です。, >10 usec短絡機能, 優れた雪崩能力

“これらの改善されたSJTは、はるかに高い電流ゲインを提供します (>100), 他のSiCスイッチと比較して非常に安定した堅牢なパフォーマンス. GeneSiCのSJTは、電力回路の優れたターンオフ損失として、定格電流で非常に低い導通損失を提供します. 独自のデバイスと製造革新の活用, GeneSiCのトランジスタ製品は、設計者がより堅牢なソリューションを実現するのに役立ちます,” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

1700 VSiCジャンクショントランジスタをリリース

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• 現在のゲイン (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <30 典型的なナノ秒.

1200 VSiCジャンクショントランジスタをリリース

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 オーム (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• 現在のゲイン (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <30 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠のTO-247パッケージ. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.

詳細については, httpsにアクセスしてください://192.168.88.14/コマーシャル-sic / sic-junction-transistors /