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低コストで提供される汎用高温SiCトランジスタおよび整流器

高温 (>210oC) スモールフォームファクタの金属缶パッケージのジャンクショントランジスタと整流器は、増幅を含むさまざまなアプリケーションに革新的な性能上の利点を提供します, 低ノイズ回路とダウンホールアクチュエータ制御

ダレス, VA, 行進 9, 2015 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、コンパクトラインの即時発売を発表しました, 高温SiCジャンクショントランジスタとTO-46金属缶パッケージの整流器ライン. これらのディスクリートコンポーネントは、周囲温度を超える温度で動作するように設計および製造されています。 215oC. 高温の使用, 高電圧および低オン抵抗対応のSiCトランジスタおよび整流器は、高温でより高い電力処理を必要とする電子機器アプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、さまざまなダウンホール回路を含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています。, 地熱計装, ソレノイド作動, 汎用増幅, およびスイッチモード電源.

高温SiCジャンクショントランジスタ (SJT) GeneSiCが提供する10ナノ秒未満の立ち上がり/立ち下がり時間を可能にする >10 MHzスイッチングと正方形の逆バイアスされた安全な動作領域 (RBSOA). 過渡エネルギー損失とスイッチング時間は接合部温度に依存しません. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, によって駆動することができます 0/+5 VTTLゲートドライバー, 他のSiCスイッチとは異なり. 他のSiCスイッチとは対照的なSJTのユニークな利点は、その高い長期信頼性です。, >20 usec短絡機能, 優れた雪崩能力. これらのデバイスは、他のSiCスイッチよりもはるかに高い直線性を約束するため、効率的なアンプとして使用できます。.

GeneSiCが提供する高温SiCショットキー整流器は、オン状態の電圧降下が低いことを示しています, 高温での業界最低の漏れ電流. 温度に依存しない, ほぼゼロの逆回復スイッチング特性, SiCショットキー整流器は高効率で使用するための理想的な候補です, 高温回路. TO-46金属缶パッケージ、およびこれらの製品を作成するために使用される関連パッケージングプロセスにより、高い信頼性が重要な長期使用が可能になります。.

“GeneSiCのトランジスタおよび整流器製品は、高温動作を可能にするためにゼロから設計および製造されています. これらのコンパクトなTO-46パッケージSJTは、高い電流ゲインを提供します (>110), 0/+5 VTTL制御, 堅牢なパフォーマンス. これらのデバイスは、低い導通損失と高い直線性を提供します. 整流器の「SHT」ラインを設計します, 高温で低リーク電流を提供する. これらの金属缶パッケージ製品は、昨年リリースされたTO-257および金属SMD製品を補強して、スモールフォームファクターを提供します。, 耐振動ソリューション” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

本日リリースされた製品は次のとおりです。:TO-46SiCトランジスタダイオード

240 mOhmSiCジャンクショントランジスタ:

  • 300 Vブロッキング電圧. 品番 GA05JT03-46
  • 100 Vブロッキング電圧. 品番 GA05JT01-46
  • 現在のゲイン (hFE) >110
  • Tjmax = 210oC
  • オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <10 典型的なナノ秒.

まで 4 アンペア高温ショットキーダイオード:

  • 600 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT06-46
  • 300 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT03-46
  • 100 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT01-46
  • 総容量性電荷 9 nC
  • Tjmax = 210oC.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、金属缶TO-46パッケージに収容されています。デバイスは、GeneSiCの認定販売代理店からすぐに入手できます。.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコンダイオードモジュール. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンホール石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, ニュース https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; そして https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.