カテゴリー: プレスリリース

高周波電源回路向けにリリースされた最小の導通損失と優れた短絡機能を提供するSiCスイッチ

ダレス, バージニア。, 10月 28, 2014 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、低オン抵抗1700Vおよび 1200 TO-247パッケージのVSiCジャンクショントランジスタ. 高電圧の使用, 高周波, 高温および低オン抵抗対応のSiCジャンクショントランジスタは、変換効率を高め、より高いバス電圧を必要とするパワーエレクトロニクスアプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、DCマイクログリッドを含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, 車両急速充電器, サーバ, テレコムおよびネットワーク電源, 無停電電源装置, ソーラーインバーター, 風力発電システム, および産業用モーター制御システム.

SiCジャンクショントランジスタ (SJT) GeneSiCが提供する超高速スイッチング機能 (SiCMOSFETと同様), 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, 商用ゲートドライバーで駆動できます, 他のSiCスイッチとは異なり. 他のSiCスイッチとは対照的なSJTのユニークな利点は、その高い長期信頼性です。, >10 usec短絡機能, 優れた雪崩能力

“これらの改善されたSJTは、はるかに高い電流ゲインを提供します (>100), 他のSiCスイッチと比較して非常に安定した堅牢なパフォーマンス. GeneSiCのSJTは、電力回路の優れたターンオフ損失として、定格電流で非常に低い導通損失を提供します. 独自のデバイスと製造革新の活用, GeneSiCのトランジスタ製品は、設計者がより堅牢なソリューションを実現するのに役立ちます,” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

1700 VSiCジャンクショントランジスタをリリース

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• 現在のゲイン (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <30 典型的なナノ秒.

1200 VSiCジャンクショントランジスタをリリース

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 オーム (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• 現在のゲイン (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <30 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠のTO-247パッケージ. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.

詳細については, httpsにアクセスしてください://192.168.88.14/コマーシャル-sic / sic-junction-transistors /

GeneSiCのSiCトランジスタと整流器は、 リトルボックスチャレンジ

最先端. シリコンカーバイドパワートランジスタ & 整流器. 利用可能. 今!

GeneSiCには、現在世界中のトップディストリビューターから入手できる幅広い製品ポートフォリオがあります。

ベアダイチップ 工場から直接入手可能なSiCデバイスの形式 (以下のフォームに記入してください)

離散 SJT そして 整流器 商業用温度定格 (175°C)

離散 HiT SJT砂 HiT整流器 高温で (250°Cまで)

GeneSiCは、パッケージ製品とベアダイ形式でさまざまなSiC製品を提供し、設計の柔軟性と革新性を高めます。. GeneSiCは、新しい製品を導入することにより、常に先を行くよう努めています。, 革新的な製品. 今日探している正確な製品が表示されない場合, あなたは近い将来それを見るかもしれません.

互換性のある業界標準パッケージを通じて実現されたSiCトランジスタの高温の可能性は、ダウンホールおよび航空宇宙アクチュエータと電源を大幅に強化します。

ダレス, バージニア。, 12月 10, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、その販売代理店および直接ファミリー高温パッケージを通じてすぐに利用可能になることを発表しました 600 VSiCジャンクショントランジスタ (SJT) の中に 3-50 JEDEC業界標準のスルーホールおよび表面実装パッケージの電流定格をアンペア. これらの高温を組み込む, 低オン抵抗, ハーメチックパッケージの高周波SiCトランジスタ, 高温はんだとカプセル化により、変換効率が向上し、高温電力変換アプリケーションのサイズ/重量/体積が減少します.

現代の高温電源, 石油/ガス/ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションで使用されるモーター制御およびアクチュエータ回路は、実行可能な高温炭化ケイ素ソリューションの可用性の欠如に悩まされています. シリコントランジスタは、リーク電流が大きく、スイッチング特性が低いため、回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. これらのパラメータは両方とも、接合部温度が高くなると悪化します. 熱制約環境あり, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 密閉パッケージされたSiCトランジスタは、ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションの機能に革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 650 V / 3-50 A SiCジャンクショントランジスタは、温度によって変化しないほぼゼロのスイッチング時間を備えています. ザ 210^oC接合部の温度定格デバイスは、極端な環境で動作するアプリケーションに比較的大きな温度マージンを提供します.

GeneSiCが提供するジャンクショントランジスタは、超高速スイッチング機能を発揮します, 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, コマーシャルによって駆動することができます, 一般的に利用可能 15 VIGBTゲートドライバー, 他のSiCスイッチとは異なり. SiCJFETドライバーとの互換性を提供しながら, SiCジャンクショントランジスタは、過渡特性が一致しているため、簡単に並列化できます。.

“ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションの設計者は、動作周波数の限界を押し上げ続けています, 高い回路効率を要求しながら, 標準のパフォーマンスを提供できるSiCスイッチが必要です, 信頼性と生産の均一性. 独自のデバイスと製造革新の活用, GeneSiCのSJT製品は、設計者がより堅牢なソリューションでこれらすべてを実現するのに役立ちます. これらの製品は、GeneSiCによって昨年リリースされた密閉パッケージSiC整流器を補完します, 今年初めにリリースされたベアダイ製品, 私たちが高温を提供するための道を開いている間, 低インダクタンス, 近い将来のパワーモジュール ” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

TO-257を分離 600 SJTで:

• 65 mOhms / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7637-GA); そして 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.
• 対応するベアダイGA20JT06-CAL (2N7639-GAで); GA10JT06-CAL (2N7637-GAで); およびGA05JT06-CAL (2N7635-GAで)

非絶縁型TO-258プロトタイプパッケージ 600 SJT

• 25 mOhms / 50 Amp (GA50JT06-258プロトタイプパッケージ)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.
• 対応するベアダイGA50JT06-CAL (GA50JT06-258で)

表面実装TO-276 (SMD0.5) と 600 SJT

• 65 mOhms / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7638-GA); そして 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、密閉パッケージに収容されています. テクニカルサポートとSPICE回路モデルが提供されます. デバイスは、GeneSiCから直接、および/またはその認定販売代理店を通じてすぐに入手できます。.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, ニュース https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

高電圧, 最小のフォームファクタの表面実装機能を提供することにより、ソーラーインバータと高電圧アセンブリを大幅に実現する逆回復のないSiCショットキーダイオード

ダレス, バージニア。, 11月 19, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、業界標準のSMBファミリがすぐに利用可能になることを発表しました (JEDEC DO-214AA) パッケージ化されたSiC整流器 650 – 3300 Vレンジ. これらの高電圧を組み込む, 逆回復なし, 高周波および高温対応のSiCダイオードは、変換効率を高め、マルチkVアセンブリのサイズ/重量/体積を削減します. これらの製品は、マイクロソーラーインバーターだけでなく、幅広いX線で使用される電圧増倍回路を対象としています。, レーザーおよび粒子発生器の電源.

現代のマイクロソーラーインバーターと電圧増倍回路は、シリコン整流子からの逆回復電流のために、回路効率が低く、サイズが大きいという問題が発生する可能性があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流子の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、マイクロソーラーインバーターと高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 650 V / 1 A; 1200 V /2Aおよび 3300 V / 0.3 Aショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. ザ 3300 V定格デバイスは、単一のデバイスで比較的高い電圧を提供し、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧増倍ステージの削減を可能にします, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. SMB (DO-214AA) オーバーモールドパッケージは、表面実装アセンブリの業界標準のフォームファクタを備えています.

「これらの製品の提供は、魅力的なデバイスとパッケージの提供に向けたGeneSiCでの長年にわたる継続的な開発努力から生まれました。. SMBフォームファクターは、マイクロソーラーインバーターおよび電圧マルチプライヤー市場の重要な差別化要因であると考えています, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiCショットキー整流器と改良されたSMBパッケージにより、この画期的な製品が可能になります” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

1200 V / 2 ASMBSiCショットキーダイオード (GB02SLT12-214) 技術的なハイライト

• 典型的なVF= 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• 逆回復料金= 14 nC.

3300 V / 0.3 ASMBSiCショットキーダイオード (GAP3SLT33-214) 技術的なハイライト

• 典型的なVF= 1.7 V
• T_jmax = 175^oC
• 逆回復料金= 52 nC.

650 V / 1 ASMBSiCショットキーダイオード (GB01SLT06-214) 技術的なハイライト

• 典型的なVF= 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• 逆回復料金= 7 nC.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RhoHS準拠のSMB (DO-214AA) パッケージ. テクニカルサポートとSPICE回路モデルが提供されます. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, httpsにアクセスしてください://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

絶縁パッケージで温度に依存しないゼロ逆回復電流を提供するこれらの低静電容量整流器の恩恵を受ける高電圧アセンブリ

シーフリバーフォールズ/ダレス, バージニア。, 五月 28, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は、 3300 V /0.3アンペアSiCショットキー整流器 – GAP3SLT33-220FP. このユニークな製品は、市場で最も高い電圧のSiC整流器を表しています, 特に、広範囲のX線で使用される電圧マルチプライヤ回路と高電圧アセンブリを対象としています。, レーザーおよび粒子発生器の電源.

シリコン整流器からの逆回復電流が並列接続されたコンデンサを放電するため、現代の電圧逓倍回路は回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流子の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 3300 V / 0.3 Aショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. 単一のデバイスでのこの比較的高い電圧により、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧逓倍ステージを削減できます。, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. TO-220フルパックオーバーモールド絶縁パッケージは、スルーホールアセンブリのピン間隔が拡大された業界標準のフォームファクタを備えています.

「この製品の提供は、GeneSiCでの長年の継続的な取り組みによるものです。. 私たちは信じています 3300 V定格は、高電圧発電機市場の重要な差別化要因です, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiCショットキー整流器は、この画期的な製品を可能にします” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

3300 V / 0.3 ASiC整流器の技術的ハイライト

• オンステートドロップ 1.7 V at 0.3 A
• VFの正の温度係数
• T_jmax = 175^oC
• 容量性電荷 52 nC (典型的な).

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠の業界標準TO-220FP (フルパック) パッケージ. デバイスは、GeneSiCの正規販売代理店からすぐに入手できます。, Digikey.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, www.genesicsemi.comにアクセスしてください

前例のない電圧定格と超高速スイッチングを提供するSiCチップの恩恵を受ける高電圧回路とアセンブリ

ダレス, バージニア。, 11月 7, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は、 8000 V SiCPiN整流器; 8000 VSiCショットキー整流器, 3300 VSiCショットキー整流器と 6500 ベアダイフォーマットのVSiCサイリスタ. これらのユニークな製品は、市場で最も高い電圧のSiCデバイスを表しています, 特に石油とガスの計装を対象としています, 電圧逓倍回路と高電圧アセンブリ.

現代の超高電圧回路は、シリコン整流器からの逆回復電流が並列接続されたコンデンサを放電するため、回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流器の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 8000 Vと 3300 Vショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. 単一のデバイスでのこの比較的高い電圧により、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧逓倍ステージを削減できます。, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. 8000 V PiN整流器は、より高い電流レベルとより高い動作温度を提供します. 6500 Rを加速するためのVSiCサイリスタチップも利用可能です&新しいシステムのD.

「これらの製品は、マルチkV定格のSiCチップの開発におけるGeneSiCの強力なリードを示しています。. 私たちは信じています 8000 V定格は、シリコンデバイスが定格温度で提供できるものを超えています, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiC整流器とサイリスタは、これまで不可能だったシステムレベルのメリットを実現します。” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

8000 V / 2 ASiCベアダイPiN整流器の技術的ハイライト

• T_jmax = 210^oC
• 逆漏れ電流 < 50 uA at 175^oC
• リバースリカバリーチャージ 558 nC (典型的な).

8000 V / 50 mASiCベアダイショットキー整流器の技術的ハイライト

• 総静電容量 25 pF (典型的な, で -1 V, 25^oC).
• VFの正の温度係数
• T_jmax = 175^oC

6500 VSiCサイリスタベアダイの技術的ハイライト

• 3つのオファリング– 80 アンペア (GA080TH65-CAU); 60 アンペア (GA060TH65-CAU); そして 40 アンペア (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^oC

3300 V / 0.3 ASiCベアダイ整流器の技術的ハイライト

• オンステートドロップ 1.7 V at 0.3 A
• VFの正の温度係数
• T_jmax = 175^oC
• 容量性電荷 52 nC (典型的な).

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, ニュース https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie