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堅牢なCoパッケージSiCトランジスタとダイオードの組み合わせ, 孤立, 4-リード, ミニモジュールパッケージは、ターンオンエネルギー損失を削減し、高周波電力変換器の柔軟な回路設計を可能にします

ダレス, VA, 五月 13, 2015 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、 20 mOhm-1200 VSiC接合トランジスタ-絶縁されたダイオード, 4-柔軟性を提供しながら、非常に低いターンオンエネルギー損失を可能にする有鉛ミニモジュールパッケージ, 高周波電力変換器のモジュラー設計. 高周波の使用, 高電圧および低オン抵抗対応のSiCトランジスタおよび整流器は、高い動作周波数でより高い電力処理を必要とする電子機器アプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、誘導加熱器を含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, プラズマ発生器, 急速充電器, DC-DCコンバーター, およびスイッチモード電源.

共同パッケージ化されたSiCジャンクショントランジスタ (SJT)-GeneSiCが提供するSiC整流器は、SJTが唯一のワイドバンドギャップスイッチであるため、誘導スイッチングアプリケーションに独自に適用できます。 >10 マイクロ秒の繰り返し短絡機能, でも 80% 定格電圧の (例えば. 960 Vの 1200 Vデバイス). サブ10ナノ秒の立ち上がり/立ち下がり時間と正方形の逆バイアスされた安全な操作領域に加えて (RBSOA), 新しい構成のゲートリターン端子は、スイッチングエネルギーを削減する能力を大幅に向上させます. これらの新しいクラスの製品は、接合部温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間を提供します. GeneSiCのSiCジャンクショントランジスタはゲート酸化物を使用していません, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, 低いゲート電圧で駆動することができます, 他のSiCスイッチとは異なり.
これらのミニモジュールで使用されるSiCショットキー整流器は、低いオン状態の電圧降下を示します, 優れたサージ電流定格と高温での業界最低の漏れ電流. 温度に依存しない, ほぼゼロの逆回復スイッチング特性, SiCショットキー整流器は高効率回路での使用に理想的な候補です.
“GeneSiCのSiCトランジスタおよび整流器製品は、低いオン状態およびスイッチング損失を実現するように設計および製造されています. 革新的なパッケージにこれらのテクノロジーを組み合わせることで、ワイドバンドギャップベースのデバイスを必要とする電源回路での優れたパフォーマンスが約束されます. ミニモジュールパッケージは、Hブリッジなどのさまざまな電源回路で使用するための優れた設計の柔軟性を提供します, フライバックおよびマルチレベルインバーター” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.
本日リリースされた製品には、
20 mOhm / 1200 VSiCジャンクショントランジスタ/整流器コパック (GA50SICP12-227):
•分離されたSOT-227 /ミニブロック/アイソトップパッケージ
•トランジスタ電流ゲイン (hFE) >100
•Tjmax = 175oC (パッケージによる制限)
•オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <10 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテスト済み. デバイスはGeneSiCからすぐに入手できます 正規販売代理店.

詳細については, ニュース: Google Analyticsを使用して、サイトでのユーザーアクティビティとパターンを理解します://192.168.88.14/Commercial-sic / sic-modules-copack /

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコンダイオードモジュール. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンホール石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

高温 (>210^oC) スモールフォームファクタの金属缶パッケージのジャンクショントランジスタと整流器は、増幅を含むさまざまなアプリケーションに革新的な性能上の利点を提供します, 低ノイズ回路とダウンホールアクチュエータ制御

ダレス, VA, 行進 9, 2015 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、コンパクトラインの即時発売を発表しました, 高温SiCジャンクショントランジスタとTO-46金属缶パッケージの整流器ライン. これらのディスクリートコンポーネントは、周囲温度を超える温度で動作するように設計および製造されています。 215^oC. 高温の使用, 高電圧および低オン抵抗対応のSiCトランジスタおよび整流器は、高温でより高い電力処理を必要とする電子機器アプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、さまざまなダウンホール回路を含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています。, 地熱計装, ソレノイド作動, 汎用増幅, およびスイッチモード電源.

高温SiCジャンクショントランジスタ (SJT) GeneSiCが提供する10ナノ秒未満の立ち上がり/立ち下がり時間を可能にする >10 MHzスイッチングと正方形の逆バイアスされた安全な動作領域 (RBSOA). 過渡エネルギー損失とスイッチング時間は接合部温度に依存しません. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, によって駆動することができます 0/+5 VTTLゲートドライバー, 他のSiCスイッチとは異なり. 他のSiCスイッチとは対照的なSJTのユニークな利点は、その高い長期信頼性です。, >20 usec短絡機能, 優れた雪崩能力. これらのデバイスは、他のSiCスイッチよりもはるかに高い直線性を約束するため、効率的なアンプとして使用できます。.

GeneSiCが提供する高温SiCショットキー整流器は、オン状態の電圧降下が低いことを示しています, 高温での業界最低の漏れ電流. 温度に依存しない, ほぼゼロの逆回復スイッチング特性, SiCショットキー整流器は高効率で使用するための理想的な候補です, 高温回路. TO-46金属缶パッケージ、およびこれらの製品を作成するために使用される関連パッケージングプロセスにより、高い信頼性が重要な長期使用が可能になります。.

“GeneSiCのトランジスタおよび整流器製品は、高温動作を可能にするためにゼロから設計および製造されています. これらのコンパクトなTO-46パッケージSJTは、高い電流ゲインを提供します (>110), 0/+5 VTTL制御, 堅牢なパフォーマンス. これらのデバイスは、低い導通損失と高い直線性を提供します. 整流器の「SHT」ラインを設計します, 高温で低リーク電流を提供する. これらの金属缶パッケージ製品は、昨年リリースされたTO-257および金属SMD製品を補強して、スモールフォームファクターを提供します。, 耐振動ソリューション” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

本日リリースされた製品は次のとおりです。:

240 mOhmSiCジャンクショントランジスタ:

• 300 Vブロッキング電圧. 品番 GA05JT03-46
• 100 Vブロッキング電圧. 品番 GA05JT01-46
• 現在のゲイン (h_FE) >110
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <10 典型的なナノ秒.

まで 4 アンペア高温ショットキーダイオード:

• 600 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT06-46
• 300 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT03-46
• 100 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT01-46
• 総容量性電荷 9 nC
• T_jmax = 210^oC.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、金属缶TO-46パッケージに収容されています。デバイスは、GeneSiCの認定販売代理店からすぐに入手できます。.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコンダイオードモジュール. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンホール石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, ニュース https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; そして https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションにおけるSJTの利点を検証および定量化できます。

ダレス, V.A., 11月 19, 2014 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、ゲートドライバ評価ボードの即時提供を発表し、業界で最も損失の少ないスイッチであるSiCジャンクショントランジスタの設計サポートを拡大しました。 (SJT) –完全修飾LTSPICEIVモデルを使用. 新しいゲートドライバーボードの使用, 電力変換回路の設計者は、15ナノ秒未満の利点を検証できます, SiCジャンクショントランジスタの温度に依存しないスイッチング特性, ドライバーの電力損失が少ない. 新しいSPICEモデルを組み込む, 回路設計者は、GeneSiCのSJTが、同等の定格のデバイス用の従来のシリコンパワースイッチングデバイスで可能であるよりも高いレベルの効率を達成するために提供する利点を簡単に評価できます。.

SiCジャンクショントランジスタは、他のSiCトランジスタ技術とは大幅に異なる特性を持っています, だけでなく、シリコントランジスタ. SiCジャンクショントランジスタの利点を活用するためのドライブソリューションを提供するには、高いスイッチング速度を提供しながら低電力損失を提供できるゲートドライバボードが必要でした。. GeneSiCは完全に分離されています GA03IDDJT30-FR4 ゲートドライバボードは0 / 12VとTTL信号を取り込み、小さな立ち上がり/立ち下がり時間を提供するために必要な電圧/電流波形を最適に調整します, オン状態の間、通常オフのSJTを導通状態に保つための連続電流要件を最小限に抑えながら. ピン構成とフォームファクタは、他のSiCトランジスタと同様に保たれています. GeneSiCはまた、ガーバーファイルとBOMをエンドユーザーにリリースし、実現されたドライバー設計の革新の利点を組み込むことができるようにしました。.

SJTは、正常に動作するオン状態およびスイッチング特性を提供します, 基礎となる物理ベースのモデルとも非常によく一致する動作ベースのSPICEモデルを簡単に作成できます. 確立され理解された物理ベースのモデルの使用, SPICEパラメータは、デバイスの動作を使用した広範なテストの後にリリースされました. GeneSiCのSPICEモデルは、すべてのデバイスデータシートで実験的に測定されたデータと比較され、すべてのデバイスに適用できます。 1200 Vと 1700 VSiCジャンクショントランジスタがリリースされました.
GeneSiCのSJTは、以上のスイッチング周波数を提供できます。 15 IGBTベースのソリューションの2倍. それらのより高いスイッチング周波数は、より小さな磁気および容量性要素を可能にすることができます, それにより全体のサイズを縮小します, パワーエレクトロニクスシステムの重量とコスト.

このSiCジャンクショントランジスタSPICEモデルは、GeneSiCの包括的な設計サポートツールスイートに追加されます, 技術文書, GeneSiCのSiCジャンクショントランジスタおよび整流器の包括的なファミリを次世代の電力システムに実装するために必要な設計リソースをパワーエレクトロニクスエンジニアに提供するための信頼性情報.

GeneSiCのGateDriverBoardデータシートとSJTSPICEモデルは、からダウンロードできます。 https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

高周波電源回路向けにリリースされた最小の導通損失と優れた短絡機能を提供するSiCスイッチ

ダレス, バージニア。, 10月 28, 2014 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、低オン抵抗1700Vおよび 1200 TO-247パッケージのVSiCジャンクショントランジスタ. 高電圧の使用, 高周波, 高温および低オン抵抗対応のSiCジャンクショントランジスタは、変換効率を高め、より高いバス電圧を必要とするパワーエレクトロニクスアプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、DCマイクログリッドを含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, 車両急速充電器, サーバ, テレコムおよびネットワーク電源, 無停電電源装置, ソーラーインバーター, 風力発電システム, および産業用モーター制御システム.

SiCジャンクショントランジスタ (SJT) GeneSiCが提供する超高速スイッチング機能 (SiCMOSFETと同様), 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, 商用ゲートドライバーで駆動できます, 他のSiCスイッチとは異なり. 他のSiCスイッチとは対照的なSJTのユニークな利点は、その高い長期信頼性です。, >10 usec短絡機能, 優れた雪崩能力

“これらの改善されたSJTは、はるかに高い電流ゲインを提供します (>100), 他のSiCスイッチと比較して非常に安定した堅牢なパフォーマンス. GeneSiCのSJTは、電力回路の優れたターンオフ損失として、定格電流で非常に低い導通損失を提供します. 独自のデバイスと製造革新の活用, GeneSiCのトランジスタ製品は、設計者がより堅牢なソリューションを実現するのに役立ちます,” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

1700 VSiCジャンクショントランジスタをリリース

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• 現在のゲイン (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <30 典型的なナノ秒.

1200 VSiCジャンクショントランジスタをリリース

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 オーム (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• 現在のゲイン (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <30 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠のTO-247パッケージ. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.

詳細については, httpsにアクセスしてください://192.168.88.14/コマーシャル-sic / sic-junction-transistors /

GeneSiCのSiCトランジスタと整流器は、 リトルボックスチャレンジ

最先端. シリコンカーバイドパワートランジスタ & 整流器. 利用可能. 今!

GeneSiCには、現在世界中のトップディストリビューターから入手できる幅広い製品ポートフォリオがあります。

ベアダイチップ 工場から直接入手可能なSiCデバイスの形式 (以下のフォームに記入してください)

離散 SJT そして 整流器 商業用温度定格 (175°C)

離散 HiT SJT砂 HiT整流器 高温で (250°Cまで)

GeneSiCは、パッケージ製品とベアダイ形式でさまざまなSiC製品を提供し、設計の柔軟性と革新性を高めます。. GeneSiCは、新しい製品を導入することにより、常に先を行くよう努めています。, 革新的な製品. 今日探している正確な製品が表示されない場合, あなたは近い将来それを見るかもしれません.

互換性のある業界標準パッケージを通じて実現されたSiCトランジスタの高温の可能性は、ダウンホールおよび航空宇宙アクチュエータと電源を大幅に強化します。

ダレス, バージニア。, 12月 10, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、その販売代理店および直接ファミリー高温パッケージを通じてすぐに利用可能になることを発表しました 600 VSiCジャンクショントランジスタ (SJT) の中に 3-50 JEDEC業界標準のスルーホールおよび表面実装パッケージの電流定格をアンペア. これらの高温を組み込む, 低オン抵抗, ハーメチックパッケージの高周波SiCトランジスタ, 高温はんだとカプセル化により、変換効率が向上し、高温電力変換アプリケーションのサイズ/重量/体積が減少します.

現代の高温電源, 石油/ガス/ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションで使用されるモーター制御およびアクチュエータ回路は、実行可能な高温炭化ケイ素ソリューションの可用性の欠如に悩まされています. シリコントランジスタは、リーク電流が大きく、スイッチング特性が低いため、回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. これらのパラメータは両方とも、接合部温度が高くなると悪化します. 熱制約環境あり, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 密閉パッケージされたSiCトランジスタは、ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションの機能に革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 650 V / 3-50 A SiCジャンクショントランジスタは、温度によって変化しないほぼゼロのスイッチング時間を備えています. ザ 210^oC接合部の温度定格デバイスは、極端な環境で動作するアプリケーションに比較的大きな温度マージンを提供します.

GeneSiCが提供するジャンクショントランジスタは、超高速スイッチング機能を発揮します, 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, コマーシャルによって駆動することができます, 一般的に利用可能 15 VIGBTゲートドライバー, 他のSiCスイッチとは異なり. SiCJFETドライバーとの互換性を提供しながら, SiCジャンクショントランジスタは、過渡特性が一致しているため、簡単に並列化できます。.

“ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションの設計者は、動作周波数の限界を押し上げ続けています, 高い回路効率を要求しながら, 標準のパフォーマンスを提供できるSiCスイッチが必要です, 信頼性と生産の均一性. 独自のデバイスと製造革新の活用, GeneSiCのSJT製品は、設計者がより堅牢なソリューションでこれらすべてを実現するのに役立ちます. これらの製品は、GeneSiCによって昨年リリースされた密閉パッケージSiC整流器を補完します, 今年初めにリリースされたベアダイ製品, 私たちが高温を提供するための道を開いている間, 低インダクタンス, 近い将来のパワーモジュール ” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

TO-257を分離 600 SJTで:

• 65 mOhms / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7637-GA); そして 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.
• 対応するベアダイGA20JT06-CAL (2N7639-GAで); GA10JT06-CAL (2N7637-GAで); およびGA05JT06-CAL (2N7635-GAで)

非絶縁型TO-258プロトタイプパッケージ 600 SJT

• 25 mOhms / 50 Amp (GA50JT06-258プロトタイプパッケージ)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.
• 対応するベアダイGA50JT06-CAL (GA50JT06-258で)

表面実装TO-276 (SMD0.5) と 600 SJT

• 65 mOhms / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7638-GA); そして 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、密閉パッケージに収容されています. テクニカルサポートとSPICE回路モデルが提供されます. デバイスは、GeneSiCから直接、および/またはその認定販売代理店を通じてすぐに入手できます。.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, ニュース https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

高電圧, 最小のフォームファクタの表面実装機能を提供することにより、ソーラーインバータと高電圧アセンブリを大幅に実現する逆回復のないSiCショットキーダイオード

ダレス, バージニア。, 11月 19, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、業界標準のSMBファミリがすぐに利用可能になることを発表しました (JEDEC DO-214AA) パッケージ化されたSiC整流器 650 – 3300 Vレンジ. これらの高電圧を組み込む, 逆回復なし, 高周波および高温対応のSiCダイオードは、変換効率を高め、マルチkVアセンブリのサイズ/重量/体積を削減します. これらの製品は、マイクロソーラーインバーターだけでなく、幅広いX線で使用される電圧増倍回路を対象としています。, レーザーおよび粒子発生器の電源.

現代のマイクロソーラーインバーターと電圧増倍回路は、シリコン整流子からの逆回復電流のために、回路効率が低く、サイズが大きいという問題が発生する可能性があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流子の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、マイクロソーラーインバーターと高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 650 V / 1 A; 1200 V /2Aおよび 3300 V / 0.3 Aショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. ザ 3300 V定格デバイスは、単一のデバイスで比較的高い電圧を提供し、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧増倍ステージの削減を可能にします, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. SMB (DO-214AA) オーバーモールドパッケージは、表面実装アセンブリの業界標準のフォームファクタを備えています.

「これらの製品の提供は、魅力的なデバイスとパッケージの提供に向けたGeneSiCでの長年にわたる継続的な開発努力から生まれました。. SMBフォームファクターは、マイクロソーラーインバーターおよび電圧マルチプライヤー市場の重要な差別化要因であると考えています, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiCショットキー整流器と改良されたSMBパッケージにより、この画期的な製品が可能になります” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

1200 V / 2 ASMBSiCショットキーダイオード (GB02SLT12-214) 技術的なハイライト

• 典型的なVF= 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• 逆回復料金= 14 nC.

3300 V / 0.3 ASMBSiCショットキーダイオード (GAP3SLT33-214) 技術的なハイライト

• 典型的なVF= 1.7 V
• T_jmax = 175^oC
• 逆回復料金= 52 nC.

650 V / 1 ASMBSiCショットキーダイオード (GB01SLT06-214) 技術的なハイライト

• 典型的なVF= 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• 逆回復料金= 7 nC.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RhoHS準拠のSMB (DO-214AA) パッケージ. テクニカルサポートとSPICE回路モデルが提供されます. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, httpsにアクセスしてください://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

絶縁パッケージで温度に依存しないゼロ逆回復電流を提供するこれらの低静電容量整流器の恩恵を受ける高電圧アセンブリ

シーフリバーフォールズ/ダレス, バージニア。, 五月 28, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は、 3300 V /0.3アンペアSiCショットキー整流器 – GAP3SLT33-220FP. このユニークな製品は、市場で最も高い電圧のSiC整流器を表しています, 特に、広範囲のX線で使用される電圧マルチプライヤ回路と高電圧アセンブリを対象としています。, レーザーおよび粒子発生器の電源.

シリコン整流器からの逆回復電流が並列接続されたコンデンサを放電するため、現代の電圧逓倍回路は回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流子の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 3300 V / 0.3 Aショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. 単一のデバイスでのこの比較的高い電圧により、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧逓倍ステージを削減できます。, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. TO-220フルパックオーバーモールド絶縁パッケージは、スルーホールアセンブリのピン間隔が拡大された業界標準のフォームファクタを備えています.

「この製品の提供は、GeneSiCでの長年の継続的な取り組みによるものです。. 私たちは信じています 3300 V定格は、高電圧発電機市場の重要な差別化要因です, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiCショットキー整流器は、この画期的な製品を可能にします” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

3300 V / 0.3 ASiC整流器の技術的ハイライト

• オンステートドロップ 1.7 V at 0.3 A
• VFの正の温度係数
• T_jmax = 175^oC
• 容量性電荷 52 nC (典型的な).

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠の業界標準TO-220FP (フルパック) パッケージ. デバイスは、GeneSiCの正規販売代理店からすぐに入手できます。, Digikey.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, www.genesicsemi.comにアクセスしてください

前例のない電圧定格と超高速スイッチングを提供するSiCチップの恩恵を受ける高電圧回路とアセンブリ

ダレス, バージニア。, 11月 7, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は、 8000 V SiCPiN整流器; 8000 VSiCショットキー整流器, 3300 VSiCショットキー整流器と 6500 ベアダイフォーマットのVSiCサイリスタ. これらのユニークな製品は、市場で最も高い電圧のSiCデバイスを表しています, 特に石油とガスの計装を対象としています, 電圧逓倍回路と高電圧アセンブリ.

現代の超高電圧回路は、シリコン整流器からの逆回復電流が並列接続されたコンデンサを放電するため、回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流器の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 8000 Vと 3300 Vショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. 単一のデバイスでのこの比較的高い電圧により、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧逓倍ステージを削減できます。, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. 8000 V PiN整流器は、より高い電流レベルとより高い動作温度を提供します. 6500 Rを加速するためのVSiCサイリスタチップも利用可能です&新しいシステムのD.

「これらの製品は、マルチkV定格のSiCチップの開発におけるGeneSiCの強力なリードを示しています。. 私たちは信じています 8000 V定格は、シリコンデバイスが定格温度で提供できるものを超えています, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiC整流器とサイリスタは、これまで不可能だったシステムレベルのメリットを実現します。” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

8000 V / 2 ASiCベアダイPiN整流器の技術的ハイライト

• T_jmax = 210^oC
• 逆漏れ電流 < 50 uA at 175^oC
• リバースリカバリーチャージ 558 nC (典型的な).

8000 V / 50 mASiCベアダイショットキー整流器の技術的ハイライト

• 総静電容量 25 pF (典型的な, で -1 V, 25^oC).
• VFの正の温度係数
• T_jmax = 175^oC

6500 VSiCサイリスタベアダイの技術的ハイライト

• 3つのオファリング– 80 アンペア (GA080TH65-CAU); 60 アンペア (GA060TH65-CAU); そして 40 アンペア (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^oC

3300 V / 0.3 ASiCベアダイ整流器の技術的ハイライト

• オンステートドロップ 1.7 V at 0.3 A
• VFの正の温度係数
• T_jmax = 175^oC
• 容量性電荷 52 nC (典型的な).

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

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