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GeneSiCのハイブリッドSiCショットキー整流器/ SiIGBTモジュールは175°Cの動作を可能にします

ダレス, VA, 行進 5, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、を使用した第2世代ハイブリッドミニモジュールの即時提供を発表しました 1200 頑丈なシリコンIGBTを備えたV / 100アンペアSiCショットキー整流器– GB100XCP12-227. この製品がリリースされるパフォーマンス価格ポイントにより、多くの電力変換アプリケーションは、シリコンIGBT /シリコン整流子ソリューションのどちらよりもコスト/サイズ/重量/体積の削減から利益を得ることができます。, 純粋なSiCモジュールも提供できません. これらのデバイスは、産業用モーターを含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, ソーラーインバーター, 特殊機器および電力網アプリケーション.

SiCショットキー/ SiIGBTミニモジュール (コパック) GeneSiCが提供するのは、オン状態降下の正の温度係数を示すSiIGBTで作られています, 堅牢なパンチスルー設計, コマーシャルで駆動可能な高温動作と高速スイッチング特性, 一般的に利用可能 15 VIGBTゲートドライバー. これらのCo-packモジュールで使用されるSiC整流器は、非常に低いインダクタンスのパッケージを可能にします, 低いオン状態の電圧降下と逆回復なし. SOT-227パッケージは、分離されたベースプレートを提供します, 12スタンドアロン回路要素として非常に柔軟に使用できるmmロープロファイル設計, 大電流並列構成, フェーズレッグ (2つのモジュール), またはチョッパー回路要素として.

“この製品の最初の提供以来、私たちは主要な顧客にほとんど耳を傾けました 2 数年前. この第二世代 1200 V / 100 Co-pack製品は、高周波に適した低インダクタンス設計です。, 高温アプリケーション. シリコンダイオードの貧弱な高温および逆回復特性は、高温でのIGBTの使用を決定的に制限します. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiCショットキーダイオードがこの画期的な製品を可能にします” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

1200 V / 100 A Si IGBT / SiC整流器の技術的ハイライト

  • オンステートドロップ 1.9 V at 100 A
  • VFの正の温度係数
  • Tjmax = 175°C
  • ターンオンエネルギー損失 23 microJoules (典型的な).

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠の業界標準SOT-227パッケージ. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

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GeneSiCが炭化ケイ素接合トランジスタを発表

ダレス, VA, 2月 25, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、1700Vのファミリがすぐに利用可能になることを発表しました。 1200 VSiCジャンクショントランジスタ. 高電圧を組み込む, 高周波および高温対応のSiCジャンクショントランジスタは、変換効率を高め、パワーエレクトロニクスのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、サーバーを含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, テレコムおよびネットワーク電源, 無停電電源装置, ソーラーインバーター, 産業用モーター制御システム, およびダウンホールアプリケーション.

GeneSiCが提供するジャンクショントランジスタは、超高速スイッチング機能を発揮します, 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, コマーシャルによって駆動することができます, 一般的に利用可能 15 VIGBTゲートドライバー, 他のSiCスイッチとは異なり. SiCJFETドライバーとの互換性を提供しながら, 接合トランジスタは、過渡特性が一致しているため、簡単に並列化できます。.

“電力システムの設計者は、動作周波数の限界を押し上げ続けています, 高い回路効率を要求しながら, 標準のパフォーマンスと生産の均一性を提供できるSiCスイッチの必要性. 独自のデバイスと製造革新の活用, GeneSiCのトランジスタ製品は、設計者がより堅牢なソリューションでこれらすべてを実現するのに役立ちます,” 博士は言った. ランヴィール・シン , GeneSiCセミコンダクターの社長.

1700 Vジャンクショントランジスタの技術的ハイライト

  • 3つのオファリング– 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); そして 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • 立ち上がり/立ち下がり時間をオン/オフにします <50 典型的なナノ秒.

1200 Vジャンクショントランジスタの技術的ハイライト

  • 2つのオファリング– 220 mOhms (GA06JT12-247); そして 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • 立ち上がり/立ち下がり時間をオン/オフにします <50 典型的なナノ秒

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠のTO-247パッケージ. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.

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新しい物理学により、サイリスタはより高いレベルに到達できます

ダレス, VA, 8月 30, 2011 –新しい物理学により、サイリスタはより高いレベルに到達できます

電力網は、スムーズを保証する電子機器の助けを借りて信頼性の高い電力を供給します, 信頼できるパワーフロー. 今まで, シリコンベースのアセンブリは信頼されてきました, しかし、彼らはスマートグリッドの要件を処理することができませんでした. 炭化ケイ素などのワイドバンドギャップ材料 (SiC) 彼らはより高いスイッチング速度が可能であるため、より良い代替手段を提供します, より高い絶縁破壊電圧, より低いスイッチング損失, 従来のシリコンベースのスイッチよりも高い接合部温度. 市場に出回った最初のそのようなSiCベースのデバイスは超高電圧炭化ケイ素サイリスタです (SiCサイリスタ), GeneSiC SemiconductorInc。によって開発されました。, ダレス, Va。, サンディア国立研究所の支援を受けて, アルバカーキ, N.M., アメリカ. エネルギー省/配電部門, と米国. 陸軍/兵器研究, 開発エンジニアリングセンター, ピカティニーアーセナル, N.J.

開発者は、このデバイスに異なる運用物理学を採用しました, マイノリティキャリア輸送と統合された第3ターミナル整流器で動作します, これは他の商用SiCデバイスより1つ多い. 開発者は、上記の評価をサポートする新しい製造技術を採用しました 6,500 V, また、大電流デバイス用の新しいゲートアノード設計. 最高の温度で実行することができます 300 Cと現在の 80 A, SiCサイリスタは最大 10 倍高い電圧, 4倍高いブロッキング電圧, そして 100 シリコンベースのサイリスタよりも5倍速いスイッチング周波数.

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GeneSiCが一流のRを獲得&グリッド接続された太陽光および風力エネルギーアプリケーションにおけるSiCデバイスのD100賞

ダレス, VA, 7月 14, 2011 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2011 R&D 100 高電圧定格のシリコンカーバイドデバイスの製品化に対する賞.

GeneSiC Semiconductor Inc, 先週、シリコン カーバイド ベースのパワー デバイスの重要なイノベーターが栄誉ある賞を受賞したことを発表しました。 2011 R&D 100 アワード. この賞は、最も重要なものの1つを紹介したGeneSiCを表彰するものです。, 中に複数の分野で新たに導入された研究開発の進歩 2010. R&D Magazine は、GeneSiC の超高電圧 SiC サイリスタが、これまでパワー エレクトロニクスのデモンストレーションに向けて利用されたことのないブロッキング電圧と周波数を実現できることを認めました。. の電圧定格 >6.5kV, オン状態電流定格 80 A と動作周波数 >5 kHz は、以前に市場に導入されたものよりもはるかに高い. GeneSiC のサイリスタによって実現されるこれらの機能により、パワー エレクトロニクスの研究者はグリッド接続型インバーターを開発できます。, フレキシブル

交流送電システム (事実) および高電圧DCシステム (HVDC). これにより、再生可能エネルギーにおける新しい発明と製品開発が可能になります。, ソーラーインバーター, 風力発電インバーター, およびエネルギー貯蔵産業. 博士. ランヴィール・シン, GeneSiC Semiconductor の社長は次のように述べています。. これらの第1世代SiCサイリスタは、SiCサイリスタでこれまでに達成された中で最も低い実証済みのオン状態電圧降下と差動オン抵抗を利用します。. ゲート制御のターンオフ機能とパルス電力機能に最適化された次世代の SiC サイリスタをリリースする予定です。 >10kV定格. 高温超高電圧パッケージングソリューションの開発を続けています, 現在の6.5kVサイリスタは、完全にはんだ付けされた接点を備えたモジュールにパッケージ化されています, 150oC の接合部温度に制限されます。」 10月発売の商品なので 2010, GeneSiC は、これらのシリコン カーバイド サイリスタを使用した高度なパワー エレクトロニクス ハードウェアのデモに向けて、複数の顧客からの注文を予約しました。. GeneSiC は、シリコン カーバイド サイリスタ製品ファミリーの開発を続けています. R&電力変換アプリケーションの初期バージョンの D は、米国部門からの SBIR 資金援助を通じて開発されました。. エネルギーの. より高度な, パルスパワーに最適化された SiC サイリスタは、ARDEC との別の SBIR 契約の下で開発されています。, 米軍. これらの技術開発を利用して, GeneSiC からの内部投資と複数の顧客からの商用注文, GeneSiC は、これらの UHV サイリスタを製品化することができました。.

Rが主催する第49回年次技術コンテスト&D Magazineは、さまざまな企業や業界のプレーヤーからのエントリーを評価しました, 世界中の研究機関や大学. 雑誌の編集者と外部の専門家のパネルが審査員を務めました, 科学と研究の世界にとっての重要性の観点から各エントリを評価する.

Rによると&Dマガジン, Rを獲得する&D 100 賞は、業界に知られている卓越性のマークを提供します, 政府, 製品が今年の最も革新的なアイデアの1つであることの証拠としての学界. この賞は、GeneSiCが、私たちの働き方や生活に違いをもたらすテクノロジーベースの製品の作成におけるグローバルリーダーとして認められています。.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.

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GeneSiCSemiconductorがでテクノロジーを紹介するために選ばれました 2011 ARPA-Eエネルギーイノベーションサミット

ダレス, VA, 2月 28, 2011 – GeneSiC Semiconductorは、ARPA-Eエネルギーイノベーションサミットで一流のテクノロジーショーケースに選ばれたことを発表できることに興奮しています。, エネルギー省の先端研究プロジェクト機関–エネルギーが共催 (ARPA-E) クリーンテクノロジーと持続可能な産業組織 (CTSI). 何百人ものトップテクノロジー専門家と最先端のクリーンテクノロジー組織がショーケースに参加するために競い合いました, エネルギーの未来を勝ち取るためのアメリカの最も有望な見通しの廊下.

ARPA-Eが選んだ組織の1つとして, GeneSiC Semiconductorは、ほぼ炭化ケイ素を展示します 2,000 エネルギー部門における長期的なアメリカの競争力を推進するために集まった全国的な指導者, トップ研究者を含む, 投資家, 起業家, 企業幹部と政府関係者. より多い 200 ARPA-E受賞者による画期的なテクノロジー, 企業, 国立研究所とエネルギー省R&Dプログラムはイベントで紹介されます.

「このサミットでは、次世代のエネルギー技術を市場に投入するために協力し、提携する必要性を理解している組織が一堂に会します。,」とGeneSiCセミコンダクターは述べています, 大統領, 博士. ランヴィール・シン. 「エネルギーコミュニティの多くの主要なプレーヤーが1つの屋根の下に集まるのは、まれでエキサイティングな機会です。テクノロジーショーケースで、シリコンカーバイドパワーデバイスを他のイノベーターや投資家と共有できることを楽しみにしています。」

からの研究および事業開発チーム 14 ダウを含む技術の商業化に取り組む企業加速パートナーも出席します, ボッシュ, アプライドマテリアルズとロッキードマーティン.

サミットには、米国を含む著名な講演者も参加しています. エネルギー長官スティーブンチュー, ARPA-Eディレクターアルンマジュンダル, 我ら. 海軍長官レイモンドマバス, 元カリフォルニア州知事アーノルドシュワルツェネッガーとバンクオブアメリカ会長チャールズホリデイ.

第2回ARPA-Eエネルギーイノベーションサミットは2月に開催されます 28 – 行進 2, 2011 ワシントンのすぐ外にあるゲイロードコンベンションセンターで, D.C. 詳細または登録については、次のWebサイトをご覧ください。: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

GeneSiC Semiconductorについて

GeneSiC Semiconductor Inc. 高温用のワイドバンドギャップ半導体デバイスを開発, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, 電源スイッチとバイポーラデバイス. GeneSiCは、独自の広範な半導体設計スイートを使用しています, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、幅広い大量市場に高品質の製品を提供することで他とは一線を画しています。. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, 軍, NASA, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の.

ARPA-Eについて

先端研究プロジェクト庁–エネルギー (ARPA-E) 米国内の新しい代理店です. エネルギー省–そして私たちのエネルギーの使い方を根本的に変える可能性のある画期的なエネルギー技術に専念する最初の企業. 直接調査を行うのではなく, ARPA-Eは高リスクに投資します, 大学が開発している高報酬のエネルギー技術, スタートアップ, 中小企業, および企業. 私たちのスタッフは、業界をリードする科学者を組み合わせています, エンジニア, 投資幹部は、米国の最も重大なエネルギー問題に対する有望な解決策を特定し、市場に向けてトップテクノロジーを迅速に追跡します。これは、米国のグローバルなテクノロジーリーダーシップを確保し、新しいアメリカの産業と雇用を創出するために不可欠です。. 訪問 www.arpa-e.energy.gov詳細については.

CTSIについて

クリーンテクノロジー & 持続可能な産業組織 (CTSI), 501c6非営利業界団体, 開発中の組織を表します, 商業化, エネルギーの実装, 水, および環境技術. クリーンテクノロジーは、増大する資源のセキュリティと持続可能性の懸念に対して非常に必要なソリューションを提供し、経済的競争力を維持するために重要です. CTSIは、アドボカシーのためにグローバルリーダーを結集します, コミュニティ開発, ネットワーキング, これらの必要なテクノロジーをより迅速に市場に投入するための情報共有. 訪問 www.ct-si.org 詳細については.

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GeneSiCは、将来の金星探査ミッションを支援するためにNASAから電力管理プロジェクトを獲得しました

ダレス, VA, 12月 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., 新規炭化ケイ素の主要な革新者 (SiC) 高温用デバイス, ハイパワー, および超高電圧アプリケーション, 「統合SiCスーパージャンクショントランジスタ-高出力モーター制御モジュール用のダイオードデバイス」というタイトルのプロジェクトの選択を発表しました。 500 米国航空宇宙局による「oC」 (NASA) フェーズISBIR賞. このSBIRプロジェクトは、モノリシック集積SiCJBSダイオード-スーパージャンクショントランジスタの開発に焦点を当てています。 (MIDSJT) 金星のような環境下で動作するためのデバイス (500 °Cの表面温度). このプログラムで開発されたSiCMIDSJTデバイスは、金星探査ローバーと直接統合するためのモーター制御パワーモジュールを構築するために使用されます。.

“NASAが高温SiCデバイスソリューションに自信を持っていることを嬉しく思います。. このプロジェクトにより、GeneSiCは、革新的なデバイスおよびパッケージングソリューションを通じて、業界をリードするSiCベースの電源管理テクノロジーを開発できるようになります。” 博士は言った. シドダース・スンダレサン, GeneSiCのテクノロジーディレクター. “このプログラムの対象となるSiCMIDSJTデバイスを使用すると、キロワットレベルの電力を最高温度でデジタル精度で処理できます。 500 °C. 宇宙アプリケーションに加えて, この新しい技術は、周囲温度を超える温度を必要とする重要な航空宇宙および地熱石油掘削ハードウェアに革命を起こす可能性を秘めています。 200 °C. これらのアプリケーション分野は現在、現代のシリコンの低温性能の低さ、さらにはJFETやMOSFETなどのSiCベースのデバイス技術によって制限されています。” 彼が追加した.

GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することにより www.genesicsemi.com.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の.

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マルチkHz, 米国の研究者にサンプリングされた超高電圧炭化ケイ素サイリスタ

ダレス, VA, 11月 1, 2010 –その種の最初の提供で, GeneSiC Semiconductorは、スマートグリッドアプリケーションのパワーエレクトロニクスで使用するための6.5kVSCRモード炭化ケイ素サイリスタのファミリの利用可能性を発表しました. これらのパワーデバイスの革新的なパフォーマンス上の利点は、分散型エネルギーリソースのアクセス可能性と活用を向上させるために、ユーティリティ規模のパワーエレクトロニクスハードウェアの主要な革新に拍車をかけることが期待されています。 (THE). "今まで, マルチkV炭化ケイ素 (SiC) 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「GeneSiCは最近、多くの6.5kV / 40Aの配信を完了しました。, 6.5再生可能エネルギーの研究を行っている複数の顧客へのkV / 60Aおよび6.5kV / 80Aサイリスタ, 陸軍および海軍の電力システムアプリケーション. これらの定格のSiCデバイスは、現在、より広く提供されています。」

炭化ケイ素ベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、Xより速いスイッチング周波数とより高い温度動作. これらのデバイスのターゲットアプリケーション研究の機会には、汎用の中電圧電力変換が含まれます (MVDC), グリッドタイドソーラーインバーター, 風力発電インバーター, パルスパワー, 兵器システム, 点火制御, とトリガー制御. その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償器と直列補償器. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減.

博士. シン氏は続けます。「電力変換分野の研究者がSiCサイリスタの利点を完全に理解した後、ソリッドステート変電所と風力タービン発電機の大規模市場が開かれることが予想されます。. これらの第1世代SiCサイリスタは、SiCサイリスタでこれまでに達成された中で最も低い実証済みのオン状態電圧降下と差動オン抵抗を利用します。. ゲート制御のターンオフ機能に最適化された次世代のSiCサイリスタをリリースする予定です。 >10kV定格. 高温超高電圧パッケージングソリューションの開発を続けています, 現在の6.5kVサイリスタは、完全にはんだ付けされた接点を備えたモジュールにパッケージ化されています, 150oCの接合部温度に制限されています。」 GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急成長しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています。 (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.

ワシントンの近くにあります, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュース www.genesicsemi.com.

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GeneSiCは、炭化ケイ素サイリスタベースのデバイスの開発に向けて、ARPA-Eから253万ドルを獲得しました

ダレス, VA, 9月 28, 2010 –先端研究プロジェクト庁–エネルギー (ARPA-E) 新規の超高電圧炭化ケイ素の開発に向けて、GeneSiCSemiconductor主導のチームと協力協定を締結しました (SiC) サイリスタベースのデバイス. これらのデバイスは、大規模な風力発電所と太陽光発電所を次世代のスマートグリッドに統合するための重要なイネーブラーになると期待されています.

「このGeneSiCに対する非常に競争力のある賞により、マルチkVシリコンカーバイドテクノロジーにおける技術的リーダーシップの地位を拡大することができます。, ソリッドステートソリューションを使用したグリッドスケールの代替エネルギーソリューションへの取り組み,」とコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「私たちが開発しているマルチkVSiCサイリスタは、フレキシブルAC伝送システムの実現に向けた重要な実現技術です。 (事実) 要素と高電圧DC (HVDC) 統合に向けて想定されるアーキテクチャ, 効率的, 未来のスマートグリッド. GeneSiCのSiCベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、FACTSおよびHVDC電力処理ソリューションでのXより高速なスイッチング周波数とより高い温度動作。」

4月中 2010, GeneSiCは、電力技術のアジャイルデリバリーに対応しました (ADEPT) コストを削減しながら既存の電力変換器の性能を飛躍させる可能性のある高電圧スイッチの根本的な進歩のための材料に投資しようとしたARPA-Eからの要請. 「中電圧電力変換用のシリコンカーバイドアノードスイッチドサイリスタ」というタイトルの会社の提案は、軽量を提供するために選択されました, 固体の状態, ソリッドステート変電所や風力タービン発電機などの高電力アプリケーション向けの中電圧エネルギー変換. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減. 選ばれたイノベーションは、米国を支援し促進することでした. 技術的リーダーシップによるビジネス, 非常に競争の激しいプロセスを通じて.

炭化ケイ素は、従来のシリコンよりもはるかに優れた特性を備えた次世代の半導体材料です。, たとえば、300ºCの高温で10倍の電圧、100倍の電流を処理する能力などです。. これらの特性により、ハイブリッド車や電気自動車などの高出力アプリケーションに最適です。, 再生可能エネルギー (風と太陽) インストール, および電気グリッド制御システム.

その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償装置および直列補償装置. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらのデバイスの他の有望なアプリケーションと利点は次のとおりです。:

  • 将来の海軍能力の下で求められる中電圧DC変換のための電力管理および電力調整システム (FNC) アメリカ海軍の, 電磁発射システム, 高エネルギー兵器システムと医用画像. 10〜100倍高い動作周波数機能により、前例のないサイズの改善が可能になります, 重さ, ボリュームと最終的に, そのようなシステムのコスト.
  • さまざまなエネルギー貯蔵, 高温および高エネルギー物理学アプリケーション. 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせているため、エネルギー貯蔵および電力網アプリケーションはますます注目を集めています。.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.

“広範な製造スイートを備えたデバイスおよびプロセス設計のコアコンピタンスを活用することにより、超高電圧SiCテクノロジーのリーダーとして浮上しました。, 特性評価, およびテスト施設,」は博士を結論付けます. シン. 「GeneSiCの立場は、この重要な後続賞により、米国のDOEによって効果的に検証されました。」

GeneSiC Semiconductorについて

ワシントンの近くに戦略的に位置しています, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュースwww.genesicsemi.com.

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再生可能エネルギー推力ネットGeneSiCSemiconductor米国エネルギー省から150万ドル

ダレス, VA, 11月 12, 2008 – 米国エネルギー省は、高電圧炭化ケイ素の開発に対して、GeneSiCSemiconductorに合計150万ドルの2つの個別の助成金を授与しました。 (SiC) 風力の主要なイネーブラーとして機能するデバイス- 太陽光発電と国の電力網との統合.

「これらの賞は、GeneSiCの機能に対するDOEの信頼を示しています。, 代替エネルギーソリューションへの取り組みと同様に,」と博士は述べています. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「統合された, 効率的な電力網は、国のエネルギーの将来にとって重要です。また、私たちが開発しているSiCデバイスは、従来のシリコン技術の非効率性を克服するために重要です。」

最初の賞は、高速開発のための75万ドルのフェーズIISBIR助成金です。, 超高電圧SiCバイポーラデバイス. 2つ目は、光学的にゲート制御された高出力SiCスイッチの開発に対する75万ドルのフェーズIISTTR助成金です。.

炭化ケイ素は、シリコンの10倍の電圧と100倍の電流を処理する能力を備えた次世代の半導体材料です。, 再生可能エネルギーなどの高電力アプリケーションに最適です。 (風と太陽) 設備および電気グリッド制御システム.

具体的には, 2つの賞は:

  • 高周波の開発, マルチキロボルトSiCゲートターンオフ (GTO) パワーデバイス. 政府および商用アプリケーションには、船舶の電力管理および調整システムが含まれます, 公益事業, および医用画像.
  • 光学的にゲートされた高電圧の設計と製造, ハイパワーSiCスイッチングデバイス. 光ファイバーを使用して電源を切り替えることは、電磁干渉に悩まされている環境にとって理想的なソリューションです。 (EMI), および超高電圧を必要とするアプリケーション.

GeneSiCが開発しているSiCデバイスは、さまざまなエネルギー貯蔵に役立ちます, 送電網, および軍事用途, 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせるにつれて、これらはますます注目を集めています.

ワシントン郊外に拠点を置く, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, 電界効果トランジスタ (FET) およびバイポーラデバイス, だけでなく粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCには、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトがあります, エネルギー省を含む, 海軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュース www.genesicsemi.com.