炭化ケイ素 (SiC) デバイスは、対応するシリコンデバイスと比較して優れた熱特性を提供します. 動作温度がシリコンデバイスの制限を超えるアプリケーション, GeneSiCのベアチップと高温デバイスのポートフォリオは、高電圧モーター制御での連続使用動作に理想的なソリューションです。.
SiCショットキーMPS™
部品番号 | 電圧 (V) | 順方向電流 (A) | パッケージ |
---|---|---|---|
GC50MPS06-CAL | 650 | 50 | ベアチップ |
GC15MPS12-CAL | 1200 | 15 | ベアチップ |
GC20MPS12-CAL | 1200 | 20 | ベアチップ |
GC50MPS12-CAL | 1200 | 50 | ベアチップ |
GC25MPS17-CAL | 1700 | 25 | ベアチップ |
GAP3SHT33-CAU | 3300 | 0.3 | ベアチップ |
SiC MOSFET
部品番号 | 電圧 (V) | オン抵抗 (mΩ) | パッケージ |
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G3R20MT12-CAL | 1200 | 20 | ベアチップ |
G3R30MT12-CAL | 1200 | 30 | ベアチップ |
G3R40MT12-CAL | 1200 | 40 | ベアチップ |
G3R75MT12-CAL | 1200 | 75 | ベアチップ |
G3R20MT17-CAL | 1700 | 20 | ベアチップ |
G3R45MT17-CAL | 1700 | 45 | ベアチップ |
G3R50MT33-CAL | 3300 | 50 | ベアチップ |
G3R100MT33-CAL | 3300 | 100 | ベアチップ |