Semiconduttori oggi
ottobre 28, 2014 – Lanci di GeneSiC migliorati, transistor a giunzione SiC da 1700 V e 1200 V a resistenza di accensione inferiore
Notizie di Power Electronics Europe
sett 5, 2013 – Gli SJT di GeneSiC hanno menzionato come offrire perdite complessive inferiori rispetto ad altri interruttori SiC
Interruttori SiC di guida – dalla rivista Compound Semiconductor (Pg 41)
luglio 29, 2013 – Gli SJT offrono un funzionamento compatibile con i driver IGBT
Rivista Compound Semiconductor (Pg 33)
Marzo, 2012 – Elettronica SiC: Sfruttare le promesse di alta temperatura
Bodo's Power Systems (Pg 44)
febbraio, 2012 – I tiristori in carburo di silicio inaugurano la rivoluzione delle Smart Grid
