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I MOSFET SiC G3R™ 750V offrono prestazioni e affidabilità senza pari

750MOSFET V G3R SiC

DULLI, VA, giugno 04, 2021 — I MOSFET G3R™SiC da 750 V di nuova generazione di GeneSiC offriranno livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono bassi cali di funzionamento alle temperature di esercizio, velocità di commutazione più elevate, maggiore densità di potenza, squillo minimo (bassa EMI) e dimensioni del sistema compatte. G3R™ . di GeneSiC, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono ottimizzati per funzionare con perdite di potenza minime in tutte le condizioni operative e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai MOSFET SiC contemporanei.

750MOSFET V G3R SiC

“L'utilizzo di energia ad alta efficienza è diventato un risultato fondamentale nei convertitori di potenza di prossima generazione e i dispositivi di alimentazione SiC continuano a essere i componenti chiave che guidano questa rivoluzione. Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza in stato on e robuste prestazioni in caso di cortocircuito e valanga, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 750 V più performanti del settore industry. Il nostro G3R™ consente ai progettisti di elettronica di potenza di soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come gli inverter solari, Caricabatterie di bordo per veicoli elettrici e alimentatori per server/telecomunicazioni. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around e da una produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico, migliora ulteriormente la loro proposta di valore. ” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • La tariffa di gate più bassa del settore (QG) e resistenza del cancello interno (RG(INT))
  • R . più bassoDS(SU) cambia con la temperatura
  • Bassa capacità di uscita (CNOI) e capacità miler (CGD)
  • 100% valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Capacità di resistenza ai cortocircuiti leader del settore
  • Diodo corporeo veloce e affidabile con basso VF e basso QRR
  • Tensione di soglia del gate elevata e stabile (VTH) in tutte le condizioni di temperatura e drain-bias
  • Tecnologia di confezionamento avanzata per una minore resistenza termica e un suono più basso
  • Uniformità di produzione di RDS(SU), VTH e tensione di rottura (BV)
  • Portafoglio di prodotti completo e catena di approvvigionamento più sicura con produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico

Applicazioni –

  • Solare (PV) Inverter
  • EV / Caricabatterie di bordo HEV
  • server & Alimentatori per telecomunicazioni
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Convertitori DC-DC
  • Alimentatori in modalità commutata (SMPS)
  • Accumulo di energia e ricarica della batteria
  • Riscaldamento a induzione

Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commercio SiC MOSFET

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contattare sales@genesicsemi.com

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Elettronica Digi-Key

Elemento di Newark Farnell14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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I nuovi MOSFET SiC di terza generazione di GeneSiC con la migliore figura di merito del settore

DULLI, VA, febbraio 12, 2020 — MOSFET SiC G3R ™ da 1200 V di nuova generazione di GeneSiC Semiconductor con RDS(SU) livelli che vanno da 20 mΩ a 350 mΩ offre livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono una maggiore efficienza, frequenza di commutazione più veloce, maggiore densità di potenza, squillo ridotto (EMI) e dimensioni del sistema compatte.

GeneSiC annuncia la disponibilità dei suoi MOSFET in carburo di silicio di terza generazione leader del settore che offrono prestazioni leader del settore, robustezza e qualità per sfruttare livelli di efficienza e affidabilità del sistema mai visti prima nelle applicazioni automobilistiche e industriali.

Questi MOSFET SiC G3R ™, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono altamente ottimizzati per progetti di sistemi di alimentazione che richiedono livelli di efficienza elevati e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai prodotti concorrenti. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around di produzione ad alto volume migliora ulteriormente la loro proposta di valore.

“Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza allo stato on e migliori prestazioni di cortocircuito, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 1200 V più performanti del settore con oltre 15+ prodotti a chip discreto e nudo. Se i sistemi di elettronica di potenza di prossima generazione devono soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come l'automotive, industriale, energia rinnovabile, trasporto, IT e telecomunicazioni, quindi richiedono prestazioni e affidabilità del dispositivo notevolmente migliorate rispetto ai MOSFET SiC attualmente disponibili” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Superior QG x RDS(SU) persona di merito – I MOSFET SiC G3R ™ presentano la resistenza allo stato on più bassa del settore con una carica di gate molto bassa, risultante in 20% figura di merito migliore di qualsiasi altro dispositivo concorrente simile
  • Basse perdite di conduzione a tutte le temperature – I MOSFET di GeneSiC sono caratterizzati dalla più morbida dipendenza dalla temperatura della resistenza in stato on per offrire perdite di conduzione molto basse a tutte le temperature; significativamente migliore di qualsiasi altro MOSFET SiC da trincea e planare sul mercato
  • 100 % testato in caso di valanga – La robusta capacità UIL è un requisito fondamentale per la maggior parte delle applicazioni sul campo. I MOSFET SiC da 1200 V di GeneSiC sono discreti 100 % valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Bassa carica del gate e bassa resistenza del gate interno – Questi parametri sono fondamentali per realizzare una commutazione ultraveloce e ottenere le massime efficienze (Eon -Eoff basso) su un'ampia gamma di frequenze di commutazione delle applicazioni
  • Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C – Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC sono progettati e fabbricati con processi all'avanguardia per fornire prodotti stabili e affidabili in tutte le condizioni operative senza alcun rischio di malfunzionamento. La qualità superiore dell'ossido di gate di questi dispositivi impedisce qualsiasi soglia (VTH) deriva
  • Capacità del dispositivo basse – I G3R ™ sono progettati per guidare più velocemente e in modo più efficiente con le loro basse capacità del dispositivo - Ciss, Coss e Crss
  • Body diode veloce e affidabile con bassa carica intrinseca – I MOSFET di GeneSiC sono caratterizzati da una bassa carica di recupero inverso di riferimento (QRR) a tutte le temperature; 30% migliore di qualsiasi dispositivo della concorrenza con classificazione simile. Ciò offre un'ulteriore riduzione delle perdite di potenza e aumenta le frequenze operative
  • Facilità di utilizzo – I MOSFET SiC G3R ™ sono progettati per essere pilotati a + 15V / -5V gate drive. Ciò offre la più ampia compatibilità con i gate driver IGBT commerciali esistenti e MOSFET SiC

Applicazioni –

  • Veicolo elettrico – Apparato propulsore e ricarica
  • Inverter solare e accumulo di energia
  • Motorizzazione industriale
  • Alimentazione ininterrotta (UPS)
  • Alimentatore in modalità commutata (SMPS)
  • Convertitori CC-CC bidirezionali
  • Smart Grid e HVDC
  • Riscaldamento e saldatura a induzione
  • Applicazione di potenza pulsata

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

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Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contattare sales@genesicsemi.com

Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP. Tutti i dispositivi sono offerti nello standard di settore D2PAK, Pacchetti TO-247 e SOT-227.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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I MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V 1000 mΩ di GeneSiC rivoluzionano la miniaturizzazione degli alimentatori ausiliari

DULLI, VA, dicembre 4, 2020 — GeneSiC annuncia la disponibilità di MOSFET SiC discreti da 3300 V e 1700 V leader di settore ottimizzati per ottenere una miniaturizzazione senza precedenti, affidabilità e risparmio energetico nel potere di manutenzione industriale.

Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di un portafoglio completo di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata dei MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V 1000 mΩ di nuova generazione - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, e G2R1000MT33J. Questi MOSFET SiC consentono livelli di prestazioni superiori, basato su figure di merito di punta (FoM) che migliorano e semplificano i sistemi di alimentazione attraverso l'accumulo di energia, energia rinnovabile, motori industriali, inverter per uso generale e illuminazione industriale. I prodotti rilasciati sono:

G2R1000MT33J - MOSFET SiC da 3300 V 1000 mΩ TO-263-7

G2R1000MT17D - MOSFET SiC da 1700 V 1000 mΩ TO-247-3

G2R1000MT17J - MOSFET SiC da 1700 V 1000 mΩ TO-263-7

G3R450MT17D - MOSFET SiC 1700 V 450 mΩ TO-247-3

G3R450MT17J - MOSFET SiC da 1700 V 450 mΩ TO-263-7

I nuovi MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V di GeneSiC, disponibile nelle opzioni da 1000 mΩ e 450 mΩ come contenitori discreti SMD e Through-Hole, sono altamente ottimizzati per progetti di sistemi di alimentazione che richiedono livelli di efficienza elevati e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai prodotti concorrenti. Una qualità assicurata, supportata da una produzione ad alto volume di turn-around rapida migliora ulteriormente la loro proposta di valore.

“In applicazioni come inverter solari da 1500V, il MOSFET nell'alimentazione ausiliaria potrebbe dover sopportare tensioni nel range di 2500V, a seconda della tensione di ingresso, gira il rapporto del trasformatore e la tensione di uscita. I MOSFET ad alta tensione di breakdown eliminano la necessità di interruttori collegati in serie in Flyback, Convertitori Boost e Forward riducendo così il numero di parti e riducendo la complessità del circuito. I MOSFET SiC discreti da 3300 V e 1700 V di GeneSiC consentono ai progettisti di utilizzare una più semplice topologia basata su interruttore singolo e allo stesso tempo di fornire ai clienti un affidabile, sistema compatto ed economico” disse Sumit Jadav, Senior Applications Manager presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Indice di qualità-prezzo superiore
  • Ammiraglia QG x RDS(SU) persona di merito
  • Bassa capacità intrinseca e bassa carica di gate
  • Basse perdite a tutte le temperature
  • Elevata robustezza da valanga e corto circuito
  • Tensione di soglia di riferimento per un funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C

Applicazioni –

  • Energia rinnovabile (inverter solari) e accumulo di energia
  • Motori industriali (e legame)
  • Inverter per impieghi generali
  • Illuminazione industriale
  • Driver piezo
  • Generatori di fasci ionici

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.