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GeneSiC rilascia l'MPS Schottky SiC da 1700V con le migliori prestazioni del settore™ diodi

DULLI, VA, gennaio 7, 2019 — GeneSiC rilascia un portafoglio completo dei suoi diodi Schottky MPS™ SiC 1700V di terza generazione nel pacchetto TO-247-2

GeneSiC ha introdotto GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 e GB50MPS17-247; i diodi SiC da 1700 V con le migliori prestazioni del settore disponibili nel popolare pacchetto a foro passante TO-247-2. Questi diodi SiC da 1700 V sostituiscono i diodi a recupero ultrarapido a base di silicio e altri JBS SiC da 1700 V di vecchia generazione, consentendo agli ingegneri di costruire circuiti di commutazione con maggiore efficienza e maggiore densità di potenza. Le applicazioni dovrebbero includere caricabatterie veloci per veicoli elettrici, azionamenti a motore, forniture di energia per i trasporti ed energie rinnovabili.

GB50MPS17-247 è un diodo 1700V 50A SiC-PiN-schottky unito, il diodo di potenza SiC discreto con la corrente nominale più alta del settore. Questi diodi appena rilasciati sono caratterizzati da una bassa caduta di tensione diretta, recupero in avanti zero, recupero inverso zero, bassa capacità di giunzione e sono classificati per una temperatura di esercizio massima di 175°C. La tecnologia a diodi schottky SiC di terza generazione di GeneSiC offre robustezza da valanga e sovracorrente leader del settore (Ifsm) robustezza, combinato con fonderia da 6 pollici qualificata automobilistica di alta qualità e tecnologia avanzata di assemblaggio discreto ad alta affidabilità.

Questi diodi SiC sono sostituzioni dirette compatibili con i pin di altri diodi disponibili nel pacchetto TO-247-2. Beneficiando delle loro minori perdite di potenza (funzionamento più fresco) e capacità di commutazione ad alta frequenza, i progettisti possono ora ottenere una maggiore efficienza di conversione e una maggiore densità di potenza nei progetti.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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Multi-kHz, Tiristori in carburo di silicio ad altissima tensione campionati a ricercatori statunitensi

DULLI, VA, novembre 1, 2010 –In una prima offerta nel suo genere, GeneSiC Semiconductor annuncia la disponibilità di una famiglia di tiristori in carburo di silicio in modalità SCR da 6,5 ​​kV da utilizzare nell'elettronica di potenza per applicazioni Smart Grid. Si prevede che i vantaggi rivoluzionari delle prestazioni di questi dispositivi di alimentazione stimoleranno innovazioni chiave nell'hardware dell'elettronica di potenza su larga scala per aumentare l'accessibilità e lo sfruttamento delle risorse energetiche distribuite (IL). "Finora, carburo di silicio multi-kV (SiC) i dispositivi di potenza non erano apertamente a disposizione dei ricercatori statunitensi per sfruttare appieno i noti vantaggi, vale a dire frequenze operative di 2-10kHz con valori nominali di 5-15kV, dei dispositivi di potenza basati su SiC. ha commentato Dr. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC. “GeneSiC ha recentemente completato la consegna di molti 6.5kV/40A, 6.5Tiristori kV/60A e 6,5kV/80A a più clienti che conducono ricerche nel campo delle energie rinnovabili, Applicazioni del sistema di alimentazione dell'esercito e della marina. I dispositivi SiC con queste valutazioni vengono ora offerti in modo più ampio".

I tiristori a base di carburo di silicio offrono una tensione 10 volte superiore, 100X frequenze di commutazione più veloci e funzionamento a temperature più elevate rispetto ai tradizionali tiristori a base di silicio. Le opportunità di ricerca di applicazioni mirate per questi dispositivi includono la conversione di potenza a media tensione per uso generale (MVDC), Inverter solari collegati alla rete, inverter eolici, potenza pulsata, sistemi d'arma, controllo dell'accensione, e controllo del grilletto. È ormai assodato che il voltaggio ultra alto (>10kV) Carburo di silicio (SiC) la tecnologia dei dispositivi giocherà un ruolo rivoluzionario nella rete elettrica di prossima generazione. I dispositivi SiC basati su tiristori offrono le massime prestazioni in stato on per >5 dispositivi kV, e sono ampiamente applicabili ai circuiti di conversione di potenza a media tensione come i limitatori di corrente di guasto, Convertitori AC-DC, Compensatori VAR statici e Compensatori di serie. I tiristori basati su SiC offrono anche le migliori possibilità di adozione anticipata grazie alle loro somiglianze con gli elementi della rete elettrica convenzionali. L'implementazione di queste tecnologie avanzate dei semiconduttori di potenza potrebbe fornire tanto quanto a 25-30 riduzione percentuale del consumo di elettricità grazie a una maggiore efficienza nella fornitura di energia elettrica.

Dott. Singh continua “Si prevede che i mercati su larga scala delle sottostazioni elettriche a stato solido e dei generatori di turbine eoliche si apriranno dopo che i ricercatori nell'arena della conversione di potenza avranno realizzato appieno i vantaggi dei tiristori SiC. Questi tiristori SiC di prima generazione utilizzano la caduta di tensione allo stato on e le resistenze on differenziali più basse mai ottenute nei tiristori SiC. Intendiamo rilasciare le future generazioni di tiristori SiC ottimizzati per la capacità di spegnimento controllato da gate e >10valori kV. Mentre continuiamo a sviluppare soluzioni di imballaggio ad altissima tensione ad alta temperatura, gli attuali tiristori da 6,5 ​​kV sono confezionati in moduli con contatti completamente saldati, limitato a temperature di giunzione di 150oC.” GeneSiC è un innovatore emergente veloce nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.

Situato vicino a Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, Transistor a supergiunzione (SJT) e un'ampia varietà di dispositivi basati su tiristori. GeneSiC ha o ha avuto prime / subappalti da importanti agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visita www.genesicsemi.com.

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GeneSiC vince $ 2,53 M da ARPA-E per lo sviluppo di dispositivi basati su tiristori in carburo di silicio

DULLI, VA, settembre 28, 2010 - Agenzia per progetti di ricerca avanzata - Energia (ARPA-E) ha stipulato un accordo di cooperazione con il team guidato da GeneSiC Semiconductor per lo sviluppo del nuovo carburo di silicio ad altissima tensione (SiC) Dispositivi basati su tiristori. Questi dispositivi dovrebbero essere fattori chiave per l'integrazione di centrali eoliche e solari su larga scala nella Smart Grid di prossima generazione.

"Questo premio altamente competitivo a GeneSiC ci consentirà di estendere la nostra posizione di leadership tecnica nella tecnologia multi-kV al carburo di silicio, così come il nostro impegno per soluzioni energetiche alternative su scala di rete con soluzioni a stato solido,"Ha commentato il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC. "I tiristori SiC multi-kV che stiamo sviluppando sono la tecnologia abilitante chiave per la realizzazione di sistemi di trasmissione CA flessibili (FATTI) elementi e DC ad alta tensione (HVDC) architetture previste verso un integrato, efficiente, Smart Grid del futuro. I tiristori basati su SiC di GeneSiC offrono una tensione 10 volte superiore, 100X frequenze di commutazione più veloci e funzionamento a temperature più elevate nelle soluzioni di elaborazione di potenza FACTS e HVDC rispetto ai tiristori tradizionali a base di silicio ".

In Aprile 2010, GeneSiC ha risposto all'Agile Delivery of Electrical Power Technology (ABILE) sollecitazione da ARPA-E che ha cercato di investire in materiali per progressi fondamentali negli interruttori ad alta tensione che hanno il potenziale per superare le prestazioni dei convertitori di potenza esistenti offrendo allo stesso tempo riduzioni dei costi. La proposta dell'azienda dal titolo "Tiristore commutato con anodo di silicio per la conversione di potenza a media tensione" è stata selezionata per fornire un, stato solido, conversione di energia a media tensione per applicazioni ad alta potenza come sottostazioni elettriche a stato solido e generatori di turbine eoliche. L'implementazione di queste tecnologie avanzate dei semiconduttori di potenza potrebbe fornire tanto quanto a 25-30 riduzione percentuale del consumo di elettricità grazie a una maggiore efficienza nella fornitura di energia elettrica. Le innovazioni selezionate dovevano sostenere e promuovere gli Stati Uniti. imprese attraverso la leadership tecnologica, attraverso un processo altamente competitivo.

Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore di nuova generazione con proprietà di gran lunga superiori al silicio convenzionale, come la capacità di gestire dieci volte la tensione e cento volte la corrente a temperature fino a 300 ° C. Queste caratteristiche lo rendono ideale per applicazioni ad alta potenza come veicoli ibridi ed elettrici, energia rinnovabile (eolico e solare) installazioni, e sistemi di controllo della rete elettrica.

È ormai assodato che il voltaggio ultra alto (>10kV) Carburo di silicio (SiC) la tecnologia dei dispositivi giocherà un ruolo rivoluzionario nella rete elettrica di prossima generazione. I dispositivi SiC basati su tiristori offrono le massime prestazioni in stato on per >5 dispositivi kV, e sono ampiamente applicabili ai circuiti di conversione di potenza a media tensione come i limitatori di corrente di guasto, Convertitori AC-DC, Compensatori VAR statici e compensatori in serie. I tiristori basati su SiC offrono anche le migliori possibilità di adozione anticipata grazie alle loro somiglianze con gli elementi della rete elettrica convenzionali. Altre applicazioni e vantaggi promettenti per questi dispositivi includono:

  • Sistemi di gestione e condizionamento dell'alimentazione per la conversione CC a media tensione ricercati in Future Naval Capability (FNC) della Marina degli Stati Uniti, Sistemi di lancio elettromagnetici, sistemi d'arma ad alta energia e imaging medico. La capacità di frequenza operativa 10-100 volte superiore consente miglioramenti senza precedenti in termini di dimensioni, peso, volume e infine, costo di tali sistemi.
  • Una varietà di accumulo di energia, applicazioni di fisica ad alta temperatura e alta energia. Le applicazioni di accumulo di energia e rete elettrica stanno ricevendo una crescente attenzione poiché il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.

“Siamo emersi come leader nella tecnologia SiC ad altissima tensione sfruttando la nostra competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi con un'ampia suite di fabbricazione, caratterizzazione, e strutture di prova,"Conclude il dott. Singh. "La posizione di GeneSiC è stata ora efficacemente convalidata dal DOE degli Stati Uniti con questo significativo premio successivo".

Informazioni su GeneSiC Semiconductor

Situato in posizione strategica vicino a Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, Transistor a supergiunzione (SJT) e un'ampia varietà di dispositivi basati su tiristori. GeneSiC ha o ha avuto prime / subappalti da importanti agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visitawww.genesicsemi.com.

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L'energia rinnovabile mette a disposizione 1,5 milioni di dollari di GeneSiC Semiconductor dal Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti

DULLI, VA, novembre 12, 2008 – Il Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti ha assegnato a GeneSiC Semiconductor due sovvenzioni separate per un totale di 1,5 milioni di dollari per lo sviluppo di carburo di silicio ad alta tensione (SiC) dispositivi che fungeranno da abilitanti chiave per il vento- e integrazione dell'energia solare con la rete elettrica nazionale.

"Questi premi dimostrano la fiducia del DOE nelle capacità di GeneSiC, così come il suo impegno per soluzioni energetiche alternative,” note Dr. Ranbir Singh, presidente di GeneSiC. “Un integrato, una rete elettrica efficiente è fondamentale per il futuro energetico della nazione e i dispositivi SiC che stiamo sviluppando sono fondamentali per superare le inefficienze delle tecnologie convenzionali al silicio".

Il primo premio è una sovvenzione SBIR di Fase II da $ 750k per lo sviluppo di fast, dispositivi bipolari SiC ad altissima tensione. Il secondo è una sovvenzione STTR Fase II di $ 750k per lo sviluppo di interruttori SiC ad alta potenza con gate ottico.

Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore di nuova generazione con la capacità di gestire 10 volte la tensione e 100 volte la corrente del silicio, rendendolo ideale per applicazioni ad alta potenza come le energie rinnovabili (eolico e solare) impianti e sistemi di controllo della rete elettrica.

In particolare, i due premi sono per:

  • Sviluppo dell'alta frequenza, spegnimento del cancello SiC multi-kilovolt (GTO) dispositivi di alimentazione. Le applicazioni governative e commerciali includono sistemi di gestione e condizionamento dell'energia per le navi, il settore dei servizi pubblici, e imaging medico.
  • Progettazione e fabbricazione di alta tensione con controllo ottico, dispositivi di commutazione SiC ad alta potenza. L'utilizzo della fibra ottica per commutare l'alimentazione è una soluzione ideale per gli ambienti afflitti da interferenze elettromagnetiche (EMI), e applicazioni che richiedono tensioni ultra elevate.

I dispositivi SiC che GeneSiC sta sviluppando servono una varietà di accumulatori di energia, rete elettrica, e applicazioni militari, che stanno ricevendo una crescente attenzione mentre il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.

Con sede fuori Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, transistor ad effetto di campo (FET) e dispositivi bipolari, così come la particella & rivelatori fotonici. GeneSiC ha contratti principali/subappaltati dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visita www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor ha ricevuto più sovvenzioni SBIR e STTR dal Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti

DULLI, VA, ottobre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovatore in rapida crescita di alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, ha annunciato di aver ricevuto tre distinte sovvenzioni per piccole imprese dal Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti durante il FY07. Le sovvenzioni SBIR e STTR saranno utilizzate da GeneSiC per dimostrare nuovi dispositivi SiC ad alta tensione per una varietà di accumuli di energia, rete elettrica, applicazioni di fisica ad alta temperatura e alta energia. Le applicazioni di accumulo di energia e di rete elettrica stanno ricevendo una crescente attenzione poiché il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.

“Siamo soddisfatti del livello di fiducia espresso da vari uffici del Dipartimento per l'energia degli Stati Uniti riguardo alle nostre soluzioni per dispositivi ad alta potenza. L'iniezione di questo finanziamento nei nostri programmi avanzati di tecnologia SiC si tradurrà in una linea di dispositivi SiC leader del settore,” ha commentato il presidente di GeneSiC, Dott. Ranbir Singh. “I dispositivi sviluppati in questi progetti promettono di fornire una tecnologia abilitante critica per supportare una rete elettrica più efficiente, e aprirà la porta a una nuova tecnologia hardware commerciale e militare che è rimasta non realizzata a causa dei limiti delle moderne tecnologie basate sul silicio.”

I tre progetti includono:

  • Un nuovo premio SBIR di Fase I incentrato sull'alta corrente, Dispositivi basati su tiristori multi-kV destinati ad applicazioni di accumulo di energia.
  • Un premio SBIR di fase II per lo sviluppo di dispositivi di alimentazione SiC multi-kV per alimentatori ad alta tensione per applicazioni di sistemi RF ad alta potenza assegnato dal DOE Office of Science.
  • Un premio STTR di fase I incentrato sull'alta tensione con controllo ottico, dispositivi di potenza SiC ad alta frequenza per ambienti ricchi di interferenze elettromagnetiche, compresi i sistemi di energia RF ad alta potenza, e sistemi d'arma a energia diretta.

Insieme ai premi, GeneSiC ha recentemente trasferito le operazioni in un laboratorio ampliato e in un edificio per uffici a Dulles, Virginia, migliorando in modo significativo la sua attrezzatura, infrastruttura ed è in procinto di aggiungere ulteriore personale chiave.

“GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti, sostenendolo con l'accesso a una vasta suite di fabbricazione, caratterizzazione e strutture di prova,” ha concluso il dott. Singh. “Riteniamo che queste capacità siano state effettivamente convalidate dal DOE degli Stati Uniti con questi nuovi e successivi premi.”

Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.