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5Diodi Schottky MPS ™ SiC da 650 V di generazione per la migliore efficienza della categoria

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLI, VA, Maggio 28, 2021 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore di potenza, annuncia la disponibilità della 5a generazione (GE*** serie) Raddrizzatori SiC Schottky MPS™ che stanno stabilendo un nuovo punto di riferimento con il loro indice di qualità prezzo superiore, Corrente di picco leader del settore e robustezza da valanga, e produzione di alta qualità.

“GeneSiC è stato uno dei primi produttori di SiC a fornire commercialmente raddrizzatori SiC Schottky in 2011. Dopo oltre un decennio di fornitura di raddrizzatori SiC ad alte prestazioni e di alta qualità nel settore, siamo entusiasti di rilasciare la nostra quinta generazione di SiC Schottky MPS™ (PiN unito-Schottky) diodi che offrono prestazioni leader del settore in tutti gli aspetti per soddisfare gli obiettivi di alta efficienza e densità di potenza in applicazioni come alimentatori per server/telecomunicazioni e caricabatterie. La caratteristica rivoluzionaria che rende la nostra quinta generazione (GE*** serie) I diodi SiC Schottky MPS™ si distinguono tra i suoi pari per la bassa tensione incorporata (noto anche come tensione al ginocchio);consente perdite di conduzione del diodo più basse in tutte le condizioni di carico, cruciale per applicazioni che richiedono un utilizzo energetico ad alta efficienza. A differenza di altri diodi SiC della concorrenza progettati anche per offrire caratteristiche di basso ginocchio, un'ulteriore caratteristica dei nostri progetti di diodi Gen5 è che mantengono ancora quell'alto livello di valanghe (UIL) robustezza che i nostri clienti si aspettano da Gen3 . di GeneSiC (GC*** serie) e Gen4 (GD*** serie) SiC Schottky MPS ™” disse il dott. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente della tecnologia presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Bassa tensione incorporata – Perdite di conduzione più basse per tutte le condizioni di carico
  • Figura di merito superiore – QC x VF
  • Prestazioni di prezzo ottimali
  • Capacità di sovracorrente migliorata
  • 100% Valanga (UIL) Testato
  • Bassa resistenza termica per un funzionamento più freddo
  • Zero Forward e Recupero inverso
  • Commutazione veloce indipendente dalla temperatura
  • Coefficiente di temperatura positivo di VF

Applicazioni –

  • Diodo boost nella correzione del fattore di potenza (PFC)
  • Alimentatori per server e telecomunicazioni
  • Inverter solari
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Caricabatterie
  • A ruota libera / Diodo antiparallelo negli inverter

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per interruttore transistor-raddrizzatore monolitico basato su SiC

DULLI, VA, dicembre 5, 2019 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2019 R&D 100 Premio per lo sviluppo dell'interruttore raddrizzatore a transistor monolitico basato su SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovatore chiave nei dispositivi di potenza a base di carburo di silicio è stato premiato con l'annuncio di aver ricevuto il prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Questo premio riconosce GeneSiC per aver introdotto uno dei più significativi, la ricerca e lo sviluppo di nuova introduzione nel corso di molteplici discipline 2018. R&D Magazine ha riconosciuto la tecnologia dei dispositivi di alimentazione SiC a media tensione di GeneSiC per la sua capacità di integrare monoliticamente MOSFET e raddrizzatore Schottky su un singolo chip. Queste capacità raggiunte dal dispositivo di GeneSiC consentono ai ricercatori di elettronica di potenza di sviluppare sistemi elettronici di potenza di prossima generazione come inverter e convertitori CC-CC. Ciò consentirà lo sviluppo di prodotti all'interno dei veicoli elettrici, infrastruttura di ricarica, industrie delle energie rinnovabili e dello stoccaggio di energia. GeneSiC ha prenotato ordini da più clienti per la dimostrazione di hardware elettronico di potenza avanzato che utilizza questi dispositivi e continua a sviluppare la sua famiglia di prodotti MOSFET al carburo di silicio. La R&D sulla prima versione per applicazioni di conversione di potenza è stata sviluppata tramite il Dipartimento degli Stati Uniti. di Energia e collaborazione con i Laboratori Nazionali Sandia.

L'annuale concorso tecnologico indetto da R&D Magazine ha valutato i lavori di varie aziende e attori del settore, organizzazioni di ricerca e università in tutto il mondo. I redattori della rivista e una giuria di esperti esterni sono stati giudici, valutare ogni voce in termini di importanza per il mondo della scienza e della ricerca.

Secondo R&D Magazine, vincere una R&D 100 Award fornisce un marchio di eccellenza noto all'industria, governo, e il mondo accademico a riprova che il prodotto è una delle idee più innovative dell'anno. Questo premio riconosce GeneSiC come leader globale nella creazione di prodotti basati sulla tecnologia che fanno la differenza nel modo in cui lavoriamo e viviamo.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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650V capace di alta corrente, 1200Diodi Schottky MPS ™ SiC V e 1700V in contenitore mini-modulo SOT-227

DULLI, VA, Maggio 11, 2019 — GeneSiC diventa un leader di mercato in capacità ad alta corrente (100 A e 200 UN) Diodi Schottky SiC nel mini modulo SOT-227

GeneSiC ha introdotto GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 e GC2X100MPS06-227; diodi Schottky SiC da 650 V e 1700 V con la più alta corrente del settore, aggiunta al portafoglio esistente di mini-moduli a diodi schottky SiC da 1200 V: GB2X50MPS12-227 e GB2X100MPS12-227. Questi diodi SiC sostituiscono i diodi a recupero ultrarapido a base di silicio, consentendo agli ingegneri di costruire circuiti di commutazione con maggiore efficienza e maggiore densità di potenza. Le applicazioni dovrebbero includere caricabatterie veloci per veicoli elettrici, azionamenti a motore, alimentatori per il trasporto, rettifica ad alta potenza e alimentatori industriali.

Oltre alla piastra di base isolata del pacchetto mini-modulo SOT-227, questi diodi appena rilasciati presentano una bassa caduta di tensione diretta, recupero in avanti zero, recupero inverso zero, bassa capacità di giunzione e sono classificati per una temperatura di esercizio massima di 175°C. La tecnologia a diodi schottky SiC di terza generazione di GeneSiC offre robustezza da valanga e sovracorrente leader del settore (Ifsm) robustezza, combinato con una fabbricazione automobilistica qualificata da 6 pollici di alta qualità e una tecnologia avanzata di assemblaggio discreto ad alta affidabilità.

Questi diodi SiC sono sostituzioni dirette compatibili con i pin di altri diodi disponibili nel SOT-227 (mini-modulo) pacchetto. Beneficiando delle loro minori perdite di potenza (funzionamento più fresco) e capacità di commutazione ad alta frequenza, i progettisti possono ora ottenere una maggiore efficienza di conversione e una maggiore densità di potenza nei progetti.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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GeneSiC rilascia l'MPS Schottky SiC da 1700V con le migliori prestazioni del settore™ diodi

DULLI, VA, gennaio 7, 2019 — GeneSiC rilascia un portafoglio completo dei suoi diodi Schottky MPS™ SiC 1700V di terza generazione nel pacchetto TO-247-2

GeneSiC ha introdotto GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 e GB50MPS17-247; i diodi SiC da 1700 V con le migliori prestazioni del settore disponibili nel popolare pacchetto a foro passante TO-247-2. Questi diodi SiC da 1700 V sostituiscono i diodi a recupero ultrarapido a base di silicio e altri JBS SiC da 1700 V di vecchia generazione, consentendo agli ingegneri di costruire circuiti di commutazione con maggiore efficienza e maggiore densità di potenza. Le applicazioni dovrebbero includere caricabatterie veloci per veicoli elettrici, azionamenti a motore, forniture di energia per i trasporti ed energie rinnovabili.

GB50MPS17-247 è un diodo 1700V 50A SiC-PiN-schottky unito, il diodo di potenza SiC discreto con la corrente nominale più alta del settore. Questi diodi appena rilasciati sono caratterizzati da una bassa caduta di tensione diretta, recupero in avanti zero, recupero inverso zero, bassa capacità di giunzione e sono classificati per una temperatura di esercizio massima di 175°C. La tecnologia a diodi schottky SiC di terza generazione di GeneSiC offre robustezza da valanga e sovracorrente leader del settore (Ifsm) robustezza, combinato con fonderia da 6 pollici qualificata automobilistica di alta qualità e tecnologia avanzata di assemblaggio discreto ad alta affidabilità.

Questi diodi SiC sono sostituzioni dirette compatibili con i pin di altri diodi disponibili nel pacchetto TO-247-2. Beneficiando delle loro minori perdite di potenza (funzionamento più fresco) e capacità di commutazione ad alta frequenza, i progettisti possono ora ottenere una maggiore efficienza di conversione e una maggiore densità di potenza nei progetti.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.