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MOSFET SiC da 6,5 ​​kV leader del settore di GeneSiC – l'avanguardia per una nuova ondata di applicazioni

6.5MOSFET SiC kV

DULLI, VA, ottobre 20, 2020 — GeneSiC rilascia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 ​​kV per essere all'avanguardia nella fornitura di livelli di prestazioni senza precedenti, efficienza e affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione come la trazione, energia pulsata e infrastrutture smart grid.

Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata di chip nudi MOSFET SiC a 6,5 ​​kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Presto verranno rilasciati moduli SiC completi che utilizzano questa tecnologia. Le applicazioni dovrebbero includere la trazione, potenza pulsata, infrastrutture per reti intelligenti e altri convertitori di potenza a media tensione.

G2R300MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 300 mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV e 325 mΩ (con Schottky integrato) Chip nudo

G2R100MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 100 mΩ

L'innovazione di GeneSiC prevede un semiconduttore di ossido di metallo a doppio impianto SiC (DMOSFET) struttura del dispositivo con una barriera di giunzione schottky (JBS) raddrizzatore integrato nella cella dell'unità SiC DMOSFET. Questo dispositivo di potenza all'avanguardia può essere utilizzato in una varietà di circuiti di conversione di potenza nella prossima generazione di sistemi di conversione di potenza. Altri vantaggi significativi includono prestazioni bidirezionali più efficienti, commutazione indipendente dalla temperatura, basse perdite di commutazione e conduzione, requisiti di raffreddamento ridotti, affidabilità a lungo termine superiore, facilità di collegamento in parallelo di dispositivi e vantaggi in termini di costi. La tecnologia di GeneSiC offre prestazioni superiori e ha anche il potenziale per ridurre l'impronta netta del materiale SiC nei convertitori di potenza.

“I MOSFET SiC da 6,5 ​​kV di GeneSiC sono progettati e fabbricati su wafer da 6 pollici per realizzare una bassa resistenza allo stato attivo, la miglior qualità, e indice di prezzo-prestazione superiore. Questa tecnologia MOSFET di nuova generazione promette prestazioni esemplari, robustezza superiore e affidabilità a lungo termine nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione.” disse Dott. Siddarth Sundaresan, VP of Technology presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche della tecnologia MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV di GeneSiC –

  • Valanga alta (UIS) e robustezza di corto circuito
  • Superior QG x RDS(SU) persona di merito
  • Perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura
  • Basse capacità e bassa carica di gate
  • Basse perdite a tutte le temperature
  • Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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GeneSiC vince $ 2,53 M da ARPA-E per lo sviluppo di dispositivi basati su tiristori in carburo di silicio

DULLI, VA, settembre 28, 2010 - Agenzia per progetti di ricerca avanzata - Energia (ARPA-E) ha stipulato un accordo di cooperazione con il team guidato da GeneSiC Semiconductor per lo sviluppo del nuovo carburo di silicio ad altissima tensione (SiC) Dispositivi basati su tiristori. Questi dispositivi dovrebbero essere fattori chiave per l'integrazione di centrali eoliche e solari su larga scala nella Smart Grid di prossima generazione.

"Questo premio altamente competitivo a GeneSiC ci consentirà di estendere la nostra posizione di leadership tecnica nella tecnologia multi-kV al carburo di silicio, così come il nostro impegno per soluzioni energetiche alternative su scala di rete con soluzioni a stato solido,"Ha commentato il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC. "I tiristori SiC multi-kV che stiamo sviluppando sono la tecnologia abilitante chiave per la realizzazione di sistemi di trasmissione CA flessibili (FATTI) elementi e DC ad alta tensione (HVDC) architetture previste verso un integrato, efficiente, Smart Grid del futuro. I tiristori basati su SiC di GeneSiC offrono una tensione 10 volte superiore, 100X frequenze di commutazione più veloci e funzionamento a temperature più elevate nelle soluzioni di elaborazione di potenza FACTS e HVDC rispetto ai tiristori tradizionali a base di silicio ".

In Aprile 2010, GeneSiC ha risposto all'Agile Delivery of Electrical Power Technology (ABILE) sollecitazione da ARPA-E che ha cercato di investire in materiali per progressi fondamentali negli interruttori ad alta tensione che hanno il potenziale per superare le prestazioni dei convertitori di potenza esistenti offrendo allo stesso tempo riduzioni dei costi. La proposta dell'azienda dal titolo "Tiristore commutato con anodo di silicio per la conversione di potenza a media tensione" è stata selezionata per fornire un, stato solido, conversione di energia a media tensione per applicazioni ad alta potenza come sottostazioni elettriche a stato solido e generatori di turbine eoliche. L'implementazione di queste tecnologie avanzate dei semiconduttori di potenza potrebbe fornire tanto quanto a 25-30 riduzione percentuale del consumo di elettricità grazie a una maggiore efficienza nella fornitura di energia elettrica. Le innovazioni selezionate dovevano sostenere e promuovere gli Stati Uniti. imprese attraverso la leadership tecnologica, attraverso un processo altamente competitivo.

Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore di nuova generazione con proprietà di gran lunga superiori al silicio convenzionale, come la capacità di gestire dieci volte la tensione e cento volte la corrente a temperature fino a 300 ° C. Queste caratteristiche lo rendono ideale per applicazioni ad alta potenza come veicoli ibridi ed elettrici, energia rinnovabile (eolico e solare) installazioni, e sistemi di controllo della rete elettrica.

È ormai assodato che il voltaggio ultra alto (>10kV) Carburo di silicio (SiC) la tecnologia dei dispositivi giocherà un ruolo rivoluzionario nella rete elettrica di prossima generazione. I dispositivi SiC basati su tiristori offrono le massime prestazioni in stato on per >5 dispositivi kV, e sono ampiamente applicabili ai circuiti di conversione di potenza a media tensione come i limitatori di corrente di guasto, Convertitori AC-DC, Compensatori VAR statici e compensatori in serie. I tiristori basati su SiC offrono anche le migliori possibilità di adozione anticipata grazie alle loro somiglianze con gli elementi della rete elettrica convenzionali. Altre applicazioni e vantaggi promettenti per questi dispositivi includono:

  • Sistemi di gestione e condizionamento dell'alimentazione per la conversione CC a media tensione ricercati in Future Naval Capability (FNC) della Marina degli Stati Uniti, Sistemi di lancio elettromagnetici, sistemi d'arma ad alta energia e imaging medico. La capacità di frequenza operativa 10-100 volte superiore consente miglioramenti senza precedenti in termini di dimensioni, peso, volume e infine, costo di tali sistemi.
  • Una varietà di accumulo di energia, applicazioni di fisica ad alta temperatura e alta energia. Le applicazioni di accumulo di energia e rete elettrica stanno ricevendo una crescente attenzione poiché il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.

“Siamo emersi come leader nella tecnologia SiC ad altissima tensione sfruttando la nostra competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi con un'ampia suite di fabbricazione, caratterizzazione, e strutture di prova,"Conclude il dott. Singh. "La posizione di GeneSiC è stata ora efficacemente convalidata dal DOE degli Stati Uniti con questo significativo premio successivo".

Informazioni su GeneSiC Semiconductor

Situato in posizione strategica vicino a Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, Transistor a supergiunzione (SJT) e un'ampia varietà di dispositivi basati su tiristori. GeneSiC ha o ha avuto prime / subappalti da importanti agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visitawww.genesicsemi.com.