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I MOSFET SiC G3R™ 750V offrono prestazioni e affidabilità senza pari

750MOSFET V G3R SiC

DULLI, VA, giugno 04, 2021 — I MOSFET G3R™SiC da 750 V di nuova generazione di GeneSiC offriranno livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono bassi cali di funzionamento alle temperature di esercizio, velocità di commutazione più elevate, maggiore densità di potenza, squillo minimo (bassa EMI) e dimensioni del sistema compatte. G3R™ . di GeneSiC, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono ottimizzati per funzionare con perdite di potenza minime in tutte le condizioni operative e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai MOSFET SiC contemporanei.

750MOSFET V G3R SiC

“L'utilizzo di energia ad alta efficienza è diventato un risultato fondamentale nei convertitori di potenza di prossima generazione e i dispositivi di alimentazione SiC continuano a essere i componenti chiave che guidano questa rivoluzione. Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza in stato on e robuste prestazioni in caso di cortocircuito e valanga, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 750 V più performanti del settore industry. Il nostro G3R™ consente ai progettisti di elettronica di potenza di soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come gli inverter solari, Caricabatterie di bordo per veicoli elettrici e alimentatori per server/telecomunicazioni. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around e da una produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico, migliora ulteriormente la loro proposta di valore. ” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • La tariffa di gate più bassa del settore (QG) e resistenza del cancello interno (RG(INT))
  • R . più bassoDS(SU) cambia con la temperatura
  • Bassa capacità di uscita (CNOI) e capacità miler (CGD)
  • 100% valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Capacità di resistenza ai cortocircuiti leader del settore
  • Diodo corporeo veloce e affidabile con basso VF e basso QRR
  • Tensione di soglia del gate elevata e stabile (VTH) in tutte le condizioni di temperatura e drain-bias
  • Tecnologia di confezionamento avanzata per una minore resistenza termica e un suono più basso
  • Uniformità di produzione di RDS(SU), VTH e tensione di rottura (BV)
  • Portafoglio di prodotti completo e catena di approvvigionamento più sicura con produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico

Applicazioni –

  • Solare (PV) Inverter
  • EV / Caricabatterie di bordo HEV
  • server & Alimentatori per telecomunicazioni
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Convertitori DC-DC
  • Alimentatori in modalità commutata (SMPS)
  • Accumulo di energia e ricarica della batteria
  • Riscaldamento a induzione

Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commercio SiC MOSFET

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contattare sales@genesicsemi.com

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

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Elemento di Newark Farnell14

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Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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I nuovi MOSFET SiC di terza generazione di GeneSiC con la migliore figura di merito del settore

DULLI, VA, febbraio 12, 2020 — MOSFET SiC G3R ™ da 1200 V di nuova generazione di GeneSiC Semiconductor con RDS(SU) livelli che vanno da 20 mΩ a 350 mΩ offre livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono una maggiore efficienza, frequenza di commutazione più veloce, maggiore densità di potenza, squillo ridotto (EMI) e dimensioni del sistema compatte.

GeneSiC annuncia la disponibilità dei suoi MOSFET in carburo di silicio di terza generazione leader del settore che offrono prestazioni leader del settore, robustezza e qualità per sfruttare livelli di efficienza e affidabilità del sistema mai visti prima nelle applicazioni automobilistiche e industriali.

Questi MOSFET SiC G3R ™, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono altamente ottimizzati per progetti di sistemi di alimentazione che richiedono livelli di efficienza elevati e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai prodotti concorrenti. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around di produzione ad alto volume migliora ulteriormente la loro proposta di valore.

“Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza allo stato on e migliori prestazioni di cortocircuito, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 1200 V più performanti del settore con oltre 15+ prodotti a chip discreto e nudo. Se i sistemi di elettronica di potenza di prossima generazione devono soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come l'automotive, industriale, energia rinnovabile, trasporto, IT e telecomunicazioni, quindi richiedono prestazioni e affidabilità del dispositivo notevolmente migliorate rispetto ai MOSFET SiC attualmente disponibili” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Superior QG x RDS(SU) persona di merito – I MOSFET SiC G3R ™ presentano la resistenza allo stato on più bassa del settore con una carica di gate molto bassa, risultante in 20% figura di merito migliore di qualsiasi altro dispositivo concorrente simile
  • Basse perdite di conduzione a tutte le temperature – I MOSFET di GeneSiC sono caratterizzati dalla più morbida dipendenza dalla temperatura della resistenza in stato on per offrire perdite di conduzione molto basse a tutte le temperature; significativamente migliore di qualsiasi altro MOSFET SiC da trincea e planare sul mercato
  • 100 % testato in caso di valanga – La robusta capacità UIL è un requisito fondamentale per la maggior parte delle applicazioni sul campo. I MOSFET SiC da 1200 V di GeneSiC sono discreti 100 % valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Bassa carica del gate e bassa resistenza del gate interno – Questi parametri sono fondamentali per realizzare una commutazione ultraveloce e ottenere le massime efficienze (Eon -Eoff basso) su un'ampia gamma di frequenze di commutazione delle applicazioni
  • Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C – Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC sono progettati e fabbricati con processi all'avanguardia per fornire prodotti stabili e affidabili in tutte le condizioni operative senza alcun rischio di malfunzionamento. La qualità superiore dell'ossido di gate di questi dispositivi impedisce qualsiasi soglia (VTH) deriva
  • Capacità del dispositivo basse – I G3R ™ sono progettati per guidare più velocemente e in modo più efficiente con le loro basse capacità del dispositivo - Ciss, Coss e Crss
  • Body diode veloce e affidabile con bassa carica intrinseca – I MOSFET di GeneSiC sono caratterizzati da una bassa carica di recupero inverso di riferimento (QRR) a tutte le temperature; 30% migliore di qualsiasi dispositivo della concorrenza con classificazione simile. Ciò offre un'ulteriore riduzione delle perdite di potenza e aumenta le frequenze operative
  • Facilità di utilizzo – I MOSFET SiC G3R ™ sono progettati per essere pilotati a + 15V / -5V gate drive. Ciò offre la più ampia compatibilità con i gate driver IGBT commerciali esistenti e MOSFET SiC

Applicazioni –

  • Veicolo elettrico – Apparato propulsore e ricarica
  • Inverter solare e accumulo di energia
  • Motorizzazione industriale
  • Alimentazione ininterrotta (UPS)
  • Alimentatore in modalità commutata (SMPS)
  • Convertitori CC-CC bidirezionali
  • Smart Grid e HVDC
  • Riscaldamento e saldatura a induzione
  • Applicazione di potenza pulsata

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Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP. Tutti i dispositivi sono offerti nello standard di settore D2PAK, Pacchetti TO-247 e SOT-227.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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I MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V 1000 mΩ di GeneSiC rivoluzionano la miniaturizzazione degli alimentatori ausiliari

DULLI, VA, dicembre 4, 2020 — GeneSiC annuncia la disponibilità di MOSFET SiC discreti da 3300 V e 1700 V leader di settore ottimizzati per ottenere una miniaturizzazione senza precedenti, affidabilità e risparmio energetico nel potere di manutenzione industriale.

Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di un portafoglio completo di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata dei MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V 1000 mΩ di nuova generazione - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, e G2R1000MT33J. Questi MOSFET SiC consentono livelli di prestazioni superiori, basato su figure di merito di punta (FoM) che migliorano e semplificano i sistemi di alimentazione attraverso l'accumulo di energia, energia rinnovabile, motori industriali, inverter per uso generale e illuminazione industriale. I prodotti rilasciati sono:

G2R1000MT33J - MOSFET SiC da 3300 V 1000 mΩ TO-263-7

G2R1000MT17D - MOSFET SiC da 1700 V 1000 mΩ TO-247-3

G2R1000MT17J - MOSFET SiC da 1700 V 1000 mΩ TO-263-7

G3R450MT17D - MOSFET SiC 1700 V 450 mΩ TO-247-3

G3R450MT17J - MOSFET SiC da 1700 V 450 mΩ TO-263-7

I nuovi MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V di GeneSiC, disponibile nelle opzioni da 1000 mΩ e 450 mΩ come contenitori discreti SMD e Through-Hole, sono altamente ottimizzati per progetti di sistemi di alimentazione che richiedono livelli di efficienza elevati e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai prodotti concorrenti. Una qualità assicurata, supportata da una produzione ad alto volume di turn-around rapida migliora ulteriormente la loro proposta di valore.

“In applicazioni come inverter solari da 1500V, il MOSFET nell'alimentazione ausiliaria potrebbe dover sopportare tensioni nel range di 2500V, a seconda della tensione di ingresso, gira il rapporto del trasformatore e la tensione di uscita. I MOSFET ad alta tensione di breakdown eliminano la necessità di interruttori collegati in serie in Flyback, Convertitori Boost e Forward riducendo così il numero di parti e riducendo la complessità del circuito. I MOSFET SiC discreti da 3300 V e 1700 V di GeneSiC consentono ai progettisti di utilizzare una più semplice topologia basata su interruttore singolo e allo stesso tempo di fornire ai clienti un affidabile, sistema compatto ed economico” disse Sumit Jadav, Senior Applications Manager presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Indice di qualità-prezzo superiore
  • Ammiraglia QG x RDS(SU) persona di merito
  • Bassa capacità intrinseca e bassa carica di gate
  • Basse perdite a tutte le temperature
  • Elevata robustezza da valanga e corto circuito
  • Tensione di soglia di riferimento per un funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C

Applicazioni –

  • Energia rinnovabile (inverter solari) e accumulo di energia
  • Motori industriali (e legame)
  • Inverter per impieghi generali
  • Illuminazione industriale
  • Driver piezo
  • Generatori di fasci ionici

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

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GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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MOSFET SiC da 6,5 ​​kV leader del settore di GeneSiC – l'avanguardia per una nuova ondata di applicazioni

6.5MOSFET SiC kV

DULLI, VA, ottobre 20, 2020 — GeneSiC rilascia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 ​​kV per essere all'avanguardia nella fornitura di livelli di prestazioni senza precedenti, efficienza e affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione come la trazione, energia pulsata e infrastrutture smart grid.

Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata di chip nudi MOSFET SiC a 6,5 ​​kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Presto verranno rilasciati moduli SiC completi che utilizzano questa tecnologia. Le applicazioni dovrebbero includere la trazione, potenza pulsata, infrastrutture per reti intelligenti e altri convertitori di potenza a media tensione.

G2R300MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 300 mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV e 325 mΩ (con Schottky integrato) Chip nudo

G2R100MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 100 mΩ

L'innovazione di GeneSiC prevede un semiconduttore di ossido di metallo a doppio impianto SiC (DMOSFET) struttura del dispositivo con una barriera di giunzione schottky (JBS) raddrizzatore integrato nella cella dell'unità SiC DMOSFET. Questo dispositivo di potenza all'avanguardia può essere utilizzato in una varietà di circuiti di conversione di potenza nella prossima generazione di sistemi di conversione di potenza. Altri vantaggi significativi includono prestazioni bidirezionali più efficienti, commutazione indipendente dalla temperatura, basse perdite di commutazione e conduzione, requisiti di raffreddamento ridotti, affidabilità a lungo termine superiore, facilità di collegamento in parallelo di dispositivi e vantaggi in termini di costi. La tecnologia di GeneSiC offre prestazioni superiori e ha anche il potenziale per ridurre l'impronta netta del materiale SiC nei convertitori di potenza.

“I MOSFET SiC da 6,5 ​​kV di GeneSiC sono progettati e fabbricati su wafer da 6 pollici per realizzare una bassa resistenza allo stato attivo, la miglior qualità, e indice di prezzo-prestazione superiore. Questa tecnologia MOSFET di nuova generazione promette prestazioni esemplari, robustezza superiore e affidabilità a lungo termine nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione.” disse Dott. Siddarth Sundaresan, VP of Technology presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche della tecnologia MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV di GeneSiC –

  • Valanga alta (UIS) e robustezza di corto circuito
  • Superior QG x RDS(SU) persona di merito
  • Perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura
  • Basse capacità e bassa carica di gate
  • Basse perdite a tutte le temperature
  • Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per interruttore transistor-raddrizzatore monolitico basato su SiC

DULLI, VA, dicembre 5, 2019 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2019 R&D 100 Premio per lo sviluppo dell'interruttore raddrizzatore a transistor monolitico basato su SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovatore chiave nei dispositivi di potenza a base di carburo di silicio è stato premiato con l'annuncio di aver ricevuto il prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Questo premio riconosce GeneSiC per aver introdotto uno dei più significativi, la ricerca e lo sviluppo di nuova introduzione nel corso di molteplici discipline 2018. R&D Magazine ha riconosciuto la tecnologia dei dispositivi di alimentazione SiC a media tensione di GeneSiC per la sua capacità di integrare monoliticamente MOSFET e raddrizzatore Schottky su un singolo chip. Queste capacità raggiunte dal dispositivo di GeneSiC consentono ai ricercatori di elettronica di potenza di sviluppare sistemi elettronici di potenza di prossima generazione come inverter e convertitori CC-CC. Ciò consentirà lo sviluppo di prodotti all'interno dei veicoli elettrici, infrastruttura di ricarica, industrie delle energie rinnovabili e dello stoccaggio di energia. GeneSiC ha prenotato ordini da più clienti per la dimostrazione di hardware elettronico di potenza avanzato che utilizza questi dispositivi e continua a sviluppare la sua famiglia di prodotti MOSFET al carburo di silicio. La R&D sulla prima versione per applicazioni di conversione di potenza è stata sviluppata tramite il Dipartimento degli Stati Uniti. di Energia e collaborazione con i Laboratori Nazionali Sandia.

L'annuale concorso tecnologico indetto da R&D Magazine ha valutato i lavori di varie aziende e attori del settore, organizzazioni di ricerca e università in tutto il mondo. I redattori della rivista e una giuria di esperti esterni sono stati giudici, valutare ogni voce in termini di importanza per il mondo della scienza e della ricerca.

Secondo R&D Magazine, vincere una R&D 100 Award fornisce un marchio di eccellenza noto all'industria, governo, e il mondo accademico a riprova che il prodotto è una delle idee più innovative dell'anno. Questo premio riconosce GeneSiC come leader globale nella creazione di prodotti basati sulla tecnologia che fanno la differenza nel modo in cui lavoriamo e viviamo.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.