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I MOSFET SiC G3R™ 750V offrono prestazioni e affidabilità senza pari

750MOSFET V G3R SiC

DULLI, VA, giugno 04, 2021 — I MOSFET G3R™SiC da 750 V di nuova generazione di GeneSiC offriranno livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono bassi cali di funzionamento alle temperature di esercizio, velocità di commutazione più elevate, maggiore densità di potenza, squillo minimo (bassa EMI) e dimensioni del sistema compatte. G3R™ . di GeneSiC, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono ottimizzati per funzionare con perdite di potenza minime in tutte le condizioni operative e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai MOSFET SiC contemporanei.

750MOSFET V G3R SiC

“L'utilizzo di energia ad alta efficienza è diventato un risultato fondamentale nei convertitori di potenza di prossima generazione e i dispositivi di alimentazione SiC continuano a essere i componenti chiave che guidano questa rivoluzione. Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza in stato on e robuste prestazioni in caso di cortocircuito e valanga, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 750 V più performanti del settore industry. Il nostro G3R™ consente ai progettisti di elettronica di potenza di soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come gli inverter solari, Caricabatterie di bordo per veicoli elettrici e alimentatori per server/telecomunicazioni. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around e da una produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico, migliora ulteriormente la loro proposta di valore. ” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • La tariffa di gate più bassa del settore (QG) e resistenza del cancello interno (RG(INT))
  • R . più bassoDS(SU) cambia con la temperatura
  • Bassa capacità di uscita (CNOI) e capacità miler (CGD)
  • 100% valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Capacità di resistenza ai cortocircuiti leader del settore
  • Diodo corporeo veloce e affidabile con basso VF e basso QRR
  • Tensione di soglia del gate elevata e stabile (VTH) in tutte le condizioni di temperatura e drain-bias
  • Tecnologia di confezionamento avanzata per una minore resistenza termica e un suono più basso
  • Uniformità di produzione di RDS(SU), VTH e tensione di rottura (BV)
  • Portafoglio di prodotti completo e catena di approvvigionamento più sicura con produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico

Applicazioni –

  • Solare (PV) Inverter
  • EV / Caricabatterie di bordo HEV
  • server & Alimentatori per telecomunicazioni
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Convertitori DC-DC
  • Alimentatori in modalità commutata (SMPS)
  • Accumulo di energia e ricarica della batteria
  • Riscaldamento a induzione

Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commercio SiC MOSFET

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contattare sales@genesicsemi.com

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Elettronica Digi-Key

Elemento di Newark Farnell14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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MOSFET SiC da 6,5 ​​kV leader del settore di GeneSiC – l'avanguardia per una nuova ondata di applicazioni

6.5MOSFET SiC kV

DULLI, VA, ottobre 20, 2020 — GeneSiC rilascia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 ​​kV per essere all'avanguardia nella fornitura di livelli di prestazioni senza precedenti, efficienza e affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione come la trazione, energia pulsata e infrastrutture smart grid.

Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata di chip nudi MOSFET SiC a 6,5 ​​kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Presto verranno rilasciati moduli SiC completi che utilizzano questa tecnologia. Le applicazioni dovrebbero includere la trazione, potenza pulsata, infrastrutture per reti intelligenti e altri convertitori di potenza a media tensione.

G2R300MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 300 mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV e 325 mΩ (con Schottky integrato) Chip nudo

G2R100MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 100 mΩ

L'innovazione di GeneSiC prevede un semiconduttore di ossido di metallo a doppio impianto SiC (DMOSFET) struttura del dispositivo con una barriera di giunzione schottky (JBS) raddrizzatore integrato nella cella dell'unità SiC DMOSFET. Questo dispositivo di potenza all'avanguardia può essere utilizzato in una varietà di circuiti di conversione di potenza nella prossima generazione di sistemi di conversione di potenza. Altri vantaggi significativi includono prestazioni bidirezionali più efficienti, commutazione indipendente dalla temperatura, basse perdite di commutazione e conduzione, requisiti di raffreddamento ridotti, affidabilità a lungo termine superiore, facilità di collegamento in parallelo di dispositivi e vantaggi in termini di costi. La tecnologia di GeneSiC offre prestazioni superiori e ha anche il potenziale per ridurre l'impronta netta del materiale SiC nei convertitori di potenza.

“I MOSFET SiC da 6,5 ​​kV di GeneSiC sono progettati e fabbricati su wafer da 6 pollici per realizzare una bassa resistenza allo stato attivo, la miglior qualità, e indice di prezzo-prestazione superiore. Questa tecnologia MOSFET di nuova generazione promette prestazioni esemplari, robustezza superiore e affidabilità a lungo termine nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione.” disse Dott. Siddarth Sundaresan, VP of Technology presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche della tecnologia MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV di GeneSiC –

  • Valanga alta (UIS) e robustezza di corto circuito
  • Superior QG x RDS(SU) persona di merito
  • Perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura
  • Basse capacità e bassa carica di gate
  • Basse perdite a tutte le temperature
  • Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.