postato su

I MOSFET SiC G3R™ 750V offrono prestazioni e affidabilità senza pari

750MOSFET V G3R SiC

DULLI, VA, giugno 04, 2021 — I MOSFET G3R™SiC da 750 V di nuova generazione di GeneSiC offriranno livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono bassi cali di funzionamento alle temperature di esercizio, velocità di commutazione più elevate, maggiore densità di potenza, squillo minimo (bassa EMI) e dimensioni del sistema compatte. G3R™ . di GeneSiC, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono ottimizzati per funzionare con perdite di potenza minime in tutte le condizioni operative e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai MOSFET SiC contemporanei.

750MOSFET V G3R SiC

“L'utilizzo di energia ad alta efficienza è diventato un risultato fondamentale nei convertitori di potenza di prossima generazione e i dispositivi di alimentazione SiC continuano a essere i componenti chiave che guidano questa rivoluzione. Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza in stato on e robuste prestazioni in caso di cortocircuito e valanga, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 750 V più performanti del settore industry. Il nostro G3R™ consente ai progettisti di elettronica di potenza di soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come gli inverter solari, Caricabatterie di bordo per veicoli elettrici e alimentatori per server/telecomunicazioni. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around e da una produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico, migliora ulteriormente la loro proposta di valore. ” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • La tariffa di gate più bassa del settore (QG) e resistenza del cancello interno (RG(INT))
  • R . più bassoDS(SU) cambia con la temperatura
  • Bassa capacità di uscita (CNOI) e capacità miler (CGD)
  • 100% valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Capacità di resistenza ai cortocircuiti leader del settore
  • Diodo corporeo veloce e affidabile con basso VF e basso QRR
  • Tensione di soglia del gate elevata e stabile (VTH) in tutte le condizioni di temperatura e drain-bias
  • Tecnologia di confezionamento avanzata per una minore resistenza termica e un suono più basso
  • Uniformità di produzione di RDS(SU), VTH e tensione di rottura (BV)
  • Portafoglio di prodotti completo e catena di approvvigionamento più sicura con produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico

Applicazioni –

  • Solare (PV) Inverter
  • EV / Caricabatterie di bordo HEV
  • server & Alimentatori per telecomunicazioni
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Convertitori DC-DC
  • Alimentatori in modalità commutata (SMPS)
  • Accumulo di energia e ricarica della batteria
  • Riscaldamento a induzione

Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commercio SiC MOSFET

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contattare sales@genesicsemi.com

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Elettronica Digi-Key

Elemento di Newark Farnell14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

postato su

GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per interruttore transistor-raddrizzatore monolitico basato su SiC

DULLI, VA, dicembre 5, 2019 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2019 R&D 100 Premio per lo sviluppo dell'interruttore raddrizzatore a transistor monolitico basato su SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovatore chiave nei dispositivi di potenza a base di carburo di silicio è stato premiato con l'annuncio di aver ricevuto il prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Questo premio riconosce GeneSiC per aver introdotto uno dei più significativi, la ricerca e lo sviluppo di nuova introduzione nel corso di molteplici discipline 2018. R&D Magazine ha riconosciuto la tecnologia dei dispositivi di alimentazione SiC a media tensione di GeneSiC per la sua capacità di integrare monoliticamente MOSFET e raddrizzatore Schottky su un singolo chip. Queste capacità raggiunte dal dispositivo di GeneSiC consentono ai ricercatori di elettronica di potenza di sviluppare sistemi elettronici di potenza di prossima generazione come inverter e convertitori CC-CC. Ciò consentirà lo sviluppo di prodotti all'interno dei veicoli elettrici, infrastruttura di ricarica, industrie delle energie rinnovabili e dello stoccaggio di energia. GeneSiC ha prenotato ordini da più clienti per la dimostrazione di hardware elettronico di potenza avanzato che utilizza questi dispositivi e continua a sviluppare la sua famiglia di prodotti MOSFET al carburo di silicio. La R&D sulla prima versione per applicazioni di conversione di potenza è stata sviluppata tramite il Dipartimento degli Stati Uniti. di Energia e collaborazione con i Laboratori Nazionali Sandia.

L'annuale concorso tecnologico indetto da R&D Magazine ha valutato i lavori di varie aziende e attori del settore, organizzazioni di ricerca e università in tutto il mondo. I redattori della rivista e una giuria di esperti esterni sono stati giudici, valutare ogni voce in termini di importanza per il mondo della scienza e della ricerca.

Secondo R&D Magazine, vincere una R&D 100 Award fornisce un marchio di eccellenza noto all'industria, governo, e il mondo accademico a riprova che il prodotto è una delle idee più innovative dell'anno. Questo premio riconosce GeneSiC come leader globale nella creazione di prodotti basati sulla tecnologia che fanno la differenza nel modo in cui lavoriamo e viviamo.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

postato su

GeneSiC vince $ 2,53 M da ARPA-E per lo sviluppo di dispositivi basati su tiristori in carburo di silicio

DULLI, VA, settembre 28, 2010 - Agenzia per progetti di ricerca avanzata - Energia (ARPA-E) ha stipulato un accordo di cooperazione con il team guidato da GeneSiC Semiconductor per lo sviluppo del nuovo carburo di silicio ad altissima tensione (SiC) Dispositivi basati su tiristori. Questi dispositivi dovrebbero essere fattori chiave per l'integrazione di centrali eoliche e solari su larga scala nella Smart Grid di prossima generazione.

"Questo premio altamente competitivo a GeneSiC ci consentirà di estendere la nostra posizione di leadership tecnica nella tecnologia multi-kV al carburo di silicio, così come il nostro impegno per soluzioni energetiche alternative su scala di rete con soluzioni a stato solido,"Ha commentato il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC. "I tiristori SiC multi-kV che stiamo sviluppando sono la tecnologia abilitante chiave per la realizzazione di sistemi di trasmissione CA flessibili (FATTI) elementi e DC ad alta tensione (HVDC) architetture previste verso un integrato, efficiente, Smart Grid del futuro. I tiristori basati su SiC di GeneSiC offrono una tensione 10 volte superiore, 100X frequenze di commutazione più veloci e funzionamento a temperature più elevate nelle soluzioni di elaborazione di potenza FACTS e HVDC rispetto ai tiristori tradizionali a base di silicio ".

In Aprile 2010, GeneSiC ha risposto all'Agile Delivery of Electrical Power Technology (ABILE) sollecitazione da ARPA-E che ha cercato di investire in materiali per progressi fondamentali negli interruttori ad alta tensione che hanno il potenziale per superare le prestazioni dei convertitori di potenza esistenti offrendo allo stesso tempo riduzioni dei costi. La proposta dell'azienda dal titolo "Tiristore commutato con anodo di silicio per la conversione di potenza a media tensione" è stata selezionata per fornire un, stato solido, conversione di energia a media tensione per applicazioni ad alta potenza come sottostazioni elettriche a stato solido e generatori di turbine eoliche. L'implementazione di queste tecnologie avanzate dei semiconduttori di potenza potrebbe fornire tanto quanto a 25-30 riduzione percentuale del consumo di elettricità grazie a una maggiore efficienza nella fornitura di energia elettrica. Le innovazioni selezionate dovevano sostenere e promuovere gli Stati Uniti. imprese attraverso la leadership tecnologica, attraverso un processo altamente competitivo.

Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore di nuova generazione con proprietà di gran lunga superiori al silicio convenzionale, come la capacità di gestire dieci volte la tensione e cento volte la corrente a temperature fino a 300 ° C. Queste caratteristiche lo rendono ideale per applicazioni ad alta potenza come veicoli ibridi ed elettrici, energia rinnovabile (eolico e solare) installazioni, e sistemi di controllo della rete elettrica.

È ormai assodato che il voltaggio ultra alto (>10kV) Carburo di silicio (SiC) la tecnologia dei dispositivi giocherà un ruolo rivoluzionario nella rete elettrica di prossima generazione. I dispositivi SiC basati su tiristori offrono le massime prestazioni in stato on per >5 dispositivi kV, e sono ampiamente applicabili ai circuiti di conversione di potenza a media tensione come i limitatori di corrente di guasto, Convertitori AC-DC, Compensatori VAR statici e compensatori in serie. I tiristori basati su SiC offrono anche le migliori possibilità di adozione anticipata grazie alle loro somiglianze con gli elementi della rete elettrica convenzionali. Altre applicazioni e vantaggi promettenti per questi dispositivi includono:

  • Sistemi di gestione e condizionamento dell'alimentazione per la conversione CC a media tensione ricercati in Future Naval Capability (FNC) della Marina degli Stati Uniti, Sistemi di lancio elettromagnetici, sistemi d'arma ad alta energia e imaging medico. La capacità di frequenza operativa 10-100 volte superiore consente miglioramenti senza precedenti in termini di dimensioni, peso, volume e infine, costo di tali sistemi.
  • Una varietà di accumulo di energia, applicazioni di fisica ad alta temperatura e alta energia. Le applicazioni di accumulo di energia e rete elettrica stanno ricevendo una crescente attenzione poiché il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.

“Siamo emersi come leader nella tecnologia SiC ad altissima tensione sfruttando la nostra competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi con un'ampia suite di fabbricazione, caratterizzazione, e strutture di prova,"Conclude il dott. Singh. "La posizione di GeneSiC è stata ora efficacemente convalidata dal DOE degli Stati Uniti con questo significativo premio successivo".

Informazioni su GeneSiC Semiconductor

Situato in posizione strategica vicino a Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, Transistor a supergiunzione (SJT) e un'ampia varietà di dispositivi basati su tiristori. GeneSiC ha o ha avuto prime / subappalti da importanti agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visitawww.genesicsemi.com.