GeneSiC Semiconductor Inc, un innovatore chiave nei dispositivi di potenza a base di carburo di silicio è stato premiato con l'annuncio di aver ricevuto il prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Questo premio riconosce GeneSiC per aver introdotto uno dei più significativi, la ricerca e lo sviluppo di nuova introduzione nel corso di molteplici discipline 2018. R&D Magazine ha riconosciuto la tecnologia dei dispositivi di alimentazione SiC a media tensione di GeneSiC per la sua capacità di integrare monoliticamente MOSFET e raddrizzatore Schottky su un singolo chip. Queste capacità raggiunte dal dispositivo di GeneSiC consentono ai ricercatori di elettronica di potenza di sviluppare sistemi elettronici di potenza di prossima generazione come inverter e convertitori CC-CC. Ciò consentirà lo sviluppo di prodotti all'interno dei veicoli elettrici, infrastruttura di ricarica, industrie delle energie rinnovabili e dello stoccaggio di energia. GeneSiC ha prenotato ordini da più clienti per la dimostrazione di hardware elettronico di potenza avanzato che utilizza questi dispositivi e continua a sviluppare la sua famiglia di prodotti MOSFET al carburo di silicio. La R&D sulla prima versione per applicazioni di conversione di potenza è stata sviluppata tramite il Dipartimento degli Stati Uniti. di Energia e collaborazione con i Laboratori Nazionali Sandia.
L'annuale concorso tecnologico indetto da R&D Magazine ha valutato i lavori di varie aziende e attori del settore, organizzazioni di ricerca e università in tutto il mondo. I redattori della rivista e una giuria di esperti esterni sono stati giudici, valutare ogni voce in termini di importanza per il mondo della scienza e della ricerca.
Secondo R&D Magazine, vincere una R&D 100 Award fornisce un marchio di eccellenza noto all'industria, governo, e il mondo accademico a riprova che il prodotto è una delle idee più innovative dell'anno. Questo premio riconosce GeneSiC come leader globale nella creazione di prodotti basati sulla tecnologia che fanno la differenza nel modo in cui lavoriamo e viviamo.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.
