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650V capace di alta corrente, 1200Diodi Schottky MPS ™ SiC V e 1700V in contenitore mini-modulo SOT-227

DULLI, VA, Maggio 11, 2019 — GeneSiC diventa un leader di mercato in capacità ad alta corrente (100 A e 200 UN) Diodi Schottky SiC nel mini modulo SOT-227

GeneSiC ha introdotto GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 e GC2X100MPS06-227; diodi Schottky SiC da 650 V e 1700 V con la più alta corrente del settore, aggiunta al portafoglio esistente di mini-moduli a diodi schottky SiC da 1200 V: GB2X50MPS12-227 e GB2X100MPS12-227. Questi diodi SiC sostituiscono i diodi a recupero ultrarapido a base di silicio, consentendo agli ingegneri di costruire circuiti di commutazione con maggiore efficienza e maggiore densità di potenza. Le applicazioni dovrebbero includere caricabatterie veloci per veicoli elettrici, azionamenti a motore, alimentatori per il trasporto, rettifica ad alta potenza e alimentatori industriali.

Oltre alla piastra di base isolata del pacchetto mini-modulo SOT-227, questi diodi appena rilasciati presentano una bassa caduta di tensione diretta, recupero in avanti zero, recupero inverso zero, bassa capacità di giunzione e sono classificati per una temperatura di esercizio massima di 175°C. La tecnologia a diodi schottky SiC di terza generazione di GeneSiC offre robustezza da valanga e sovracorrente leader del settore (Ifsm) robustezza, combinato con una fabbricazione automobilistica qualificata da 6 pollici di alta qualità e una tecnologia avanzata di assemblaggio discreto ad alta affidabilità.

Questi diodi SiC sono sostituzioni dirette compatibili con i pin di altri diodi disponibili nel SOT-227 (mini-modulo) pacchetto. Beneficiando delle loro minori perdite di potenza (funzionamento più fresco) e capacità di commutazione ad alta frequenza, i progettisti possono ora ottenere una maggiore efficienza di conversione e una maggiore densità di potenza nei progetti.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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GeneSiC rilascia l'MPS Schottky SiC da 1700V con le migliori prestazioni del settore™ diodi

DULLI, VA, gennaio 7, 2019 — GeneSiC rilascia un portafoglio completo dei suoi diodi Schottky MPS™ SiC 1700V di terza generazione nel pacchetto TO-247-2

GeneSiC ha introdotto GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 e GB50MPS17-247; i diodi SiC da 1700 V con le migliori prestazioni del settore disponibili nel popolare pacchetto a foro passante TO-247-2. Questi diodi SiC da 1700 V sostituiscono i diodi a recupero ultrarapido a base di silicio e altri JBS SiC da 1700 V di vecchia generazione, consentendo agli ingegneri di costruire circuiti di commutazione con maggiore efficienza e maggiore densità di potenza. Le applicazioni dovrebbero includere caricabatterie veloci per veicoli elettrici, azionamenti a motore, forniture di energia per i trasporti ed energie rinnovabili.

GB50MPS17-247 è un diodo 1700V 50A SiC-PiN-schottky unito, il diodo di potenza SiC discreto con la corrente nominale più alta del settore. Questi diodi appena rilasciati sono caratterizzati da una bassa caduta di tensione diretta, recupero in avanti zero, recupero inverso zero, bassa capacità di giunzione e sono classificati per una temperatura di esercizio massima di 175°C. La tecnologia a diodi schottky SiC di terza generazione di GeneSiC offre robustezza da valanga e sovracorrente leader del settore (Ifsm) robustezza, combinato con fonderia da 6 pollici qualificata automobilistica di alta qualità e tecnologia avanzata di assemblaggio discreto ad alta affidabilità.

Questi diodi SiC sono sostituzioni dirette compatibili con i pin di altri diodi disponibili nel pacchetto TO-247-2. Beneficiando delle loro minori perdite di potenza (funzionamento più fresco) e capacità di commutazione ad alta frequenza, i progettisti possono ora ottenere una maggiore efficienza di conversione e una maggiore densità di potenza nei progetti.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.