Raddrizzatori Schottky al carburo di silicio estesi a 3300 Valori di volt

I gruppi ad alta tensione trarranno vantaggio da questi raddrizzatori a bassa capacità che offrono correnti di recupero inverso zero indipendenti dalla temperatura in pacchetti isolati

Thief River Falls/Dulles, Virginia., Maggio 28, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annunciano l'immediata disponibilità di 3300 Raddrizzatori Schottky SiC V/0,3 Ampere – il GAP3SLT33-220FP. Questo prodotto unico rappresenta il raddrizzatore SiC a più alta tensione sul mercato, ed è specificamente mirato ai circuiti moltiplicatori di tensione e ai gruppi ad alta tensione utilizzati in un'ampia gamma di raggi X, Alimentatori laser e generatori di particelle.3300 V SiC Diodo Schottky GeneSiC

I circuiti moltiplicatori di tensione contemporanei soffrono di basse efficienze del circuito e grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverso dai raddrizzatori al silicio scaricano i condensatori collegati in parallelo. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora perché la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di modeste correnti. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 3300 I raddrizzatori Schottky V/0.3 A sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa zero che non cambia con la temperatura. Questa tensione relativamente elevata in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei circuiti tipici dei generatori di alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. Il contenitore isolato sovrastampato TO-220 Full Pack presenta un fattore di forma standard del settore con una maggiore spaziatura dei pin negli assiemi a foro passante.3300 V SiC Diodo Schottky SMB GeneSiC

“Questa offerta di prodotti deriva da anni di sforzi sostenuti in GeneSiC. Crediamo il 3300 Il rating V è un elemento chiave di differenziazione per il mercato dei generatori ad alta tensione, e consentirà vantaggi significativi ai nostri clienti. VF low basso di GeneSiC, I raddrizzatori Schottky SiC a bassa capacità rendono possibile questo prodotto rivoluzionario” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

3300 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore SiC V/0,3 A

  • Rilascio in stato di 1.7 V at 0.3 UN
  • Coefficiente di temperatura positivo su VF
  • Tjmax = 175IlC
  • Carica capacitiva 52 nC (tipico).

Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, TO-220FP standard di settore conforme a RoHS (Pacchetto completo) Pacchetti. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso il distributore autorizzato GeneSiC, Digikey.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

Per maggiori informazioni, si prega di visitare www.genesicsemi.com