Circuiti e gruppi ad alta tensione trarranno vantaggio dai chip SiC che offrono valori di tensione senza precedenti e commutazione ad altissima velocità
Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annunciano l'immediata disponibilità di 8000 Raddrizzatori PiN SiC V; 8000 Raddrizzatori Schottky V SiC, 3300 V Raddrizzatori Schottky SiC e 6500 Tiristori V SiC in formato bare die. Questi prodotti unici rappresentano i dispositivi SiC con la tensione più alta sul mercato, ed è specificamente mirato alla strumentazione per petrolio e gas, circuiti moltiplicatori di tensione e gruppi ad alta tensione.
I circuiti contemporanei ad altissima tensione soffrono di bassa efficienza del circuito e di grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverso dei raddrizzatori al silicio scaricano i condensatori collegati in parallelo. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora ulteriormente in quanto la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al Silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di modeste correnti. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 8000 semplificando la creazione di modelli SPICE basati sul comportamento che concordano notevolmente bene anche con i modelli basati sulla fisica sottostanti 3300 I raddrizzatori V Schottky sono dotati di corrente di recupero inversa zero che non cambia con la temperatura. Questa tensione relativamente elevata in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei circuiti tipici dei generatori di alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. 8000 I raddrizzatori V PiN offrono livelli di corrente più elevati e temperature di esercizio più elevate. 6500 Sono disponibili anche chip tiristori V SiC per accelerare R&D di nuovi sistemi.
“Questi prodotti dimostrano il forte vantaggio di GeneSiC nello sviluppo di chip SiC nelle classificazioni multi-kV. Crediamo il 8000 La classificazione V va oltre ciò che i dispositivi al silicio possono offrire alle temperature nominali, e consentirà vantaggi significativi ai nostri clienti. VF low basso di GeneSiC, I raddrizzatori e tiristori SiC a bassa capacità consentiranno vantaggi a livello di sistema che prima non erano possibili” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
8000 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore PiN nudo SiC V/2 A
- Tjmax = 210IlC
- Correnti di dispersione inverse < 50 uA a 175IlC
- Tassa di recupero inverso 558 nC (tipico).
8000 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore Schottky SiC nudo V/50 mA
- Capacità totale 25 pF (tipico, A -1 V, 25IlC).
- Coefficiente di temperatura positivo su VF
- Tjmax = 175IlC
6500 Caratteristiche tecniche della matrice nuda per tiristori V SiC
- Tre offerte – 80 Ampere (GA080TH65-CAU); 60 Ampere (GA060TH65-CAU); e 40 Ampere (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200IlC
3300 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore a stampo nudo SiC V/0,3 A
- Rilascio in stato di 1.7 V at 0.3 UN
- Coefficiente di temperatura positivo su VF
- Tjmax = 175IlC
- Carica capacitiva 52 nC (tipico).
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
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