GeneSiC si impegna a fornire i migliori progetti possibili guidati dal cliente fornendo dispositivi di alimentazione SiC con un indice di costo-prestazioni superiore, elevata robustezza e alta qualità.
Le applicazioni includono:
- Diodo boost nella correzione del fattore di potenza (PFC)
- Alimentatore in modalità commutata (SMPS)
- Veicoli elettrici – Treno di potenza, Convertitore DC-DC e ricarica integrata
- Infrastruttura di ricarica estremamente veloce
- Inverter solari e accumulo di energia
- Trazione
- Alimentatori per data center
- Riscaldamento e saldatura a induzione
- Convertitori CC-CC ad alta tensione
- A ruota libera / Diodo antiparallelo
- Illuminazione a LED e HID
- Sistemi di imaging medico
- Convertitori di potenza per perforazione petrolifera a foro basso
- Rilevamento ad alta tensione
- Potenza pulsata
Visita www.genesicsemi.com/applications per saperne di più!
Per applicazioni di rilevamento dell'alta tensione come la protezione DE-SAT e i circuiti bootstrap dell'azionamento del gate dell'interruttore laterale alto, i pacchetti DO-214 e TO-252-2 sono soluzioni ideali.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
Il pacchetto TO-247-3 offre una grande flessibilità per una maggiore densità di potenza e riduzione della distinta base in applicazioni come la correzione del fattore di potenza (PFC) inter che condividono un catodo comune tra due diodi.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Note applicative:
Scusa, nessun post è stato trovato.
Articoli tecnici:
Co-pack di raddrizzatori ibridi Si-IGBT/SiC e raddrizzatori SiC JBS
settembre, 2011 Co-pack di raddrizzatori ibridi Si-IGBT/SiC e raddrizzatori SiC JBS
12.9 Diodi PiN SiC kV con basse cadute di stato on e lunga durata del portante
settembre, 2011 12.9 Diodi PiN SiC kV con basse cadute di stato on e lunga durata del portante
1200 V Raddrizzatori Schottky SiC ottimizzati per ≥ 250 Funzionamento in °C con la capacità di giunzione più bassa della categoria
luglio, 2012 1200 V Raddrizzatori Schottky SiC ottimizzati per ≥ 250 Funzionamento in °C con la capacità di giunzione più bassa della categoria
15 I diodi PiN SiC kV raggiungono 95% del limite valanghe e funzionamento stabile a lungo termine
Mar, 2013 15 I diodi PiN SiC kV raggiungono 95% del limite valanghe e funzionamento stabile a lungo termine