GeneSiC si impegna a fornire i migliori progetti possibili guidati dal cliente fornendo dispositivi di alimentazione SiC con un indice di costo-prestazioni superiore, elevata robustezza e alta qualità.
Le applicazioni includono:
- Diodo boost nella correzione del fattore di potenza (PFC)
- Alimentatore in modalità commutata (SMPS)
- Veicoli elettrici – Treno di potenza, Convertitore DC-DC e ricarica integrata
- Infrastruttura di ricarica estremamente veloce
- Inverter solari e accumulo di energia
- Trazione
- Alimentatori per data center
- Riscaldamento e saldatura a induzione
- Convertitori CC-CC ad alta tensione
- A ruota libera / Diodo antiparallelo
- Illuminazione a LED e HID
- Sistemi di imaging medico
- Convertitori di potenza per perforazione petrolifera a foro basso
- Rilevamento ad alta tensione
- Potenza pulsata
Visita www.genesicsemi.com/applications per saperne di più!
Per applicazioni di rilevamento dell'alta tensione come la protezione DE-SAT e i circuiti bootstrap dell'azionamento del gate dell'interruttore laterale alto, i pacchetti DO-214 e TO-252-2 sono soluzioni ideali.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
Il pacchetto TO-247-3 offre una grande flessibilità per una maggiore densità di potenza e riduzione della distinta base in applicazioni come la correzione del fattore di potenza (PFC) inter che condividono un catodo comune tra due diodi.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Note applicative:
AN-1 1200 V Diodi Schottky con altezze di barriera invarianti di temperatura e fattori di idealità
ottobre 2010 AN-1 1200 V Diodi Schottky con altezze di barriera invarianti di temperatura e fattori di idealità
AN-2 1200 Diodi V SiC JBS con carica di recupero inversa capacitiva ultra-bassa per applicazioni di commutazione rapida
ottobre 2010 AN-2 1200 Diodi V SiC JBS con carica di recupero inversa capacitiva ultra-bassa per applicazioni di commutazione rapida
Affidabilità del diodo di potenza SiC AN1001
settembre, 2018Affidabilità del diodo di potenza SiC AN1001
AN1002 Comprensione del foglio dati di un diodo Schottky di potenza SiC
settembre, 2018AN1002 Comprensione del foglio dati di un diodo Schottky di potenza SiC
AN1003 Istruzioni per l'uso del modello SPICE
dicembre, 2018AN1003 Istruzioni per l'uso del modello SPICE
Articoli tecnici:
Raddrizzatori SiC PiN ad alta potenza
dic, 2005 Raddrizzatori SiC PiN ad alta potenza
Raddrizzatori SiC PiN ad alta potenza
giu, 2007 Raddrizzatori SiC PiN ad alta potenza
Rilevamento rapido di neutroni con rivelatori semiisolanti al carburo di silicio
giu, 2008 Rilevamento rapido di neutroni con rivelatori semiisolanti al carburo di silicio
Sviluppo di rivelatori di radiazioni a base di carburo di silicio semiisolante
ottobre, 2008 Sviluppo di rivelatori di radiazioni a base di carburo di silicio semiisolante
Correlazione tra la durata di ricombinazione della portante e la caduta di tensione diretta nei diodi PiN 4H-SiC
settembre, 2010 Correlazione tra la durata di ricombinazione della portante e la caduta di tensione diretta nei diodi PiN 4H-SiC
