Alta tensione, Diodi Schottky SiC senza recupero inverso per abilitare in modo critico inverter solari e gruppi ad alta tensione offrendo capacità di montaggio superficiale con fattore di forma più piccolo
Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità di una famiglia di SMB standard di settore (JEDEC DO-214AA) Raddrizzatori SiC confezionati nel 650 – 3300 Gamma V. Incorporando questi ad alta tensione, senza recupero inverso, I diodi SiC ad alta frequenza e ad alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume degli assemblaggi multi-kV. Questi prodotti sono destinati agli inverter micro-solari e ai circuiti moltiplicatori di tensione utilizzati in un'ampia gamma di raggi X, Alimentatori laser e generatori di particelle.
Gli inverter Micro-solari contemporanei e i circuiti moltiplicatori di tensione possono soffrire di bassa efficienza del circuito e grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverse dai raddrizzatori al silicio. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora perché la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di modeste correnti. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare gli inverter micro-solari e gli assemblaggi ad alta tensione. GeneSiC 650 V/1 LA; 1200 V/2 A e 3300 I raddrizzatori Schottky V/0.3 A sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa zero che non cambia con la temperatura. Il 3300 I dispositivi V-rated offrono una tensione relativamente alta in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei tipici circuiti di generatori ad alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. La PMI (DO-214AA) il pacchetto sovrastampato presenta un fattore di forma standard del settore per gli assemblaggi a montaggio superficiale.
"Queste offerte di prodotti provengono da anni di sforzi di sviluppo sostenuti presso GeneSiC verso l'offerta di dispositivi e pacchetti convincenti. Riteniamo che il fattore di forma SMB sia un elemento chiave di differenziazione per il mercato dei micro inverter solari e dei moltiplicatori di tensione, e consentirà vantaggi significativi ai nostri clienti. VF low basso di GeneSiC, I raddrizzatori Schottky SiC a bassa capacità e i pacchetti SMB migliorati consentono questo prodotto rivoluzionario” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
1200 Diodo Schottky V/2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Caratteristiche tecniche
- VF tipica = 1.5 V
- Tjmax = 175IlC
- Carica di recupero inversa = 14 nC.
3300 Diodo Schottky SiC V/0.3 A SMB (GAP3SLT33-214) Caratteristiche tecniche
- VF tipica = 1.7 V
- Tjmax = 175IlC
- Carica di recupero inversa = 52 nC.
650 V/1 A Diodo Schottky SiC SMB (GB01SLT06-214) Caratteristiche tecniche
- VF tipica = 1.5 V
- Tjmax = 175IlC
- Carica di recupero inversa = 7 nC.
Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, PMI conforme a RoHS (DO-214AA) Pacchetti. Sono offerti supporto tecnico e modelli di circuiti SPICE. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati di GeneSiC.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
Per maggiori informazioni, si prega di visitare https://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky
