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I MOSFET SiC G3R ™ di GeneSiC offrono prestazioni leader del settore nella commutazione ad alta tensione per sfruttare livelli di efficienza mai visti prima, funzionamento ad alta temperatura e affidabilità del sistema.
Caratteristiche:
- Tecnologia G3R ™ per +15 V Gate Drive
- Superior QG x RDS(SU) Persona di merito
- Bassa carica di gate e capacità del dispositivo
- Basse perdite di conduzione ad alta temperatura
- Elevata robustezza in caso di valanga e cortocircuito
- Normalmente spento Funzionamento stabile fino a 175 ° C
- Diodo corpo veloce e affidabile
- Packaging ottimizzato con Kelvin Source Connection
Benefici:
- Indice di prestazioni superiori ai costi
- Maggiore densità di potenza per il sistema compatto
- Bassa R internaG per il funzionamento ad alta frequenza di commutazione
- Perdite ridotte per una maggiore efficienza del sistema
- Ringing cancello ridotto al minimo
- Capacità termiche migliorate
- Semplice da guidare
- Facilità di parallelismo senza fuga termica
Applicazioni:
- Veicoli elettrici - Apparato propulsore e ricarica
- Inverter solari e accumulo di energia
- Smart Grid e HVDC
- Azionamenti del motore
- Convertitori CC-CC e CA-CC ad alta tensione
- Riscaldamento e saldatura a induzione
- Alimentatori in modalità commutata
- Applicazioni di potenza pulsata
750MOSFET SiC V.
| Sulla resistenza, RDS(SU) | Chip nudo | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 mΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 mΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200MOSFET SiC V.
| Sulla resistenza, RDS(SU) | Chip nudo | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 mΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 mΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 mΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 mΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 mΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 mΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700MOSFET SiC V.
| Sulla resistenza, RDS(SU) | Chip nudo | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 mΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 mΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 mΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 mΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300MOSFET SiC V.
| Sulla resistenza, RDS(SU) | Chip nudo | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 mΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 mΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 mΩ | G2R1000MT33J |
6500MOSFET SiC V.
| Sulla resistenza, RDS(SU) | Chip nudo |
|---|---|
|
|
| 300 mΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 mΩ | G2R325MS65-CAL |
