Carburo di silicio (SiC) Transistor di giunzione - Semiconduttore GeneSiC

Numero di parte	Tensione di blocco (V)	Resistenza (RDSON) (mΩ)	Corrente di drenaggio [25°C] (ID) (UN)	Guadagno di corrente CC (hFE)	Pacchetto
GA50JT12-247	1200	20	100	85	TO-247-3
GA20JT12-263	1200	50	45	80	TO-263-7
GA10JT12-263	1200	100	25	80	TO-263-7
GA05JT12-263	1200	180	15	80	TO-263-7
GA08JT17-247	1700	230	8	60	TO-247-3
GA10SICP12-263	1200	100	25	80	TO-263-7
GA20SICP12-263	1200	50	45	80	TO-263-7
GR1500JT12-247	1200	1500	2	100	TO-247-3
GR1500JT12-263	1200	1500	2	100	TO-263-7
GR1500JT17-247	1700	1500	2	100	TO-247-3
GR1500JT17-263	1700	1500	2	100	TO-263-7

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