DULLI, VA, novembre 12, 2008 – Il Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti ha assegnato a GeneSiC Semiconductor due sovvenzioni separate per un totale di 1,5 milioni di dollari per lo sviluppo di carburo di silicio ad alta tensione (SiC) dispositivi che fungeranno da abilitanti chiave per il vento- e integrazione dell'energia solare con la rete elettrica nazionale.
"Questi premi dimostrano la fiducia del DOE nelle capacità di GeneSiC, così come il suo impegno per soluzioni energetiche alternative,” note Dr. Ranbir Singh, presidente di GeneSiC. “Un integrato, una rete elettrica efficiente è fondamentale per il futuro energetico della nazione e i dispositivi SiC che stiamo sviluppando sono fondamentali per superare le inefficienze delle tecnologie convenzionali al silicio".
Il primo premio è una sovvenzione SBIR di Fase II da $ 750k per lo sviluppo di fast, dispositivi bipolari SiC ad altissima tensione. Il secondo è una sovvenzione STTR Fase II di $ 750k per lo sviluppo di interruttori SiC ad alta potenza con gate ottico.
Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore di nuova generazione con la capacità di gestire 10 volte la tensione e 100 volte la corrente del silicio, rendendolo ideale per applicazioni ad alta potenza come le energie rinnovabili (eolico e solare) impianti e sistemi di controllo della rete elettrica.
In particolare, i due premi sono per:
- Sviluppo dell'alta frequenza, spegnimento del cancello SiC multi-kilovolt (GTO) dispositivi di alimentazione. Le applicazioni governative e commerciali includono sistemi di gestione e condizionamento dell'energia per le navi, il settore dei servizi pubblici, e imaging medico.
- Progettazione e fabbricazione di alta tensione con controllo ottico, dispositivi di commutazione SiC ad alta potenza. L'utilizzo della fibra ottica per commutare l'alimentazione è una soluzione ideale per gli ambienti afflitti da interferenze elettromagnetiche (EMI), e applicazioni che richiedono tensioni ultra elevate.
I dispositivi SiC che GeneSiC sta sviluppando servono una varietà di accumulatori di energia, rete elettrica, e applicazioni militari, che stanno ricevendo una crescente attenzione mentre il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.
Con sede fuori Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, transistor ad effetto di campo (FET) e dispositivi bipolari, così come la particella & rivelatori fotonici. GeneSiC ha contratti principali/subappaltati dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visita www.genesicsemi.com.
