I MOSFET SiC G3R™ 750V offrono prestazioni e affidabilità senza pari

DULLI, VA, giugno 04, 2021 — I MOSFET G3R™SiC da 750 V di nuova generazione di GeneSiC offriranno livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono bassi cali di funzionamento alle temperature di esercizio, velocità di commutazione più elevate, maggiore densità di potenza, squillo minimo (bassa EMI) e dimensioni del sistema compatte. G3R™ . di GeneSiC, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono ottimizzati per funzionare con perdite di potenza minime in tutte le condizioni operative e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai MOSFET SiC contemporanei.

750MOSFET V G3R SiC

“L'utilizzo di energia ad alta efficienza è diventato un risultato fondamentale nei convertitori di potenza di prossima generazione e i dispositivi di alimentazione SiC continuano a essere i componenti chiave che guidano questa rivoluzione. Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza in stato on e robuste prestazioni in caso di cortocircuito e valanga, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 750 V più performanti del settore industry. Il nostro G3R™ consente ai progettisti di elettronica di potenza di soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come gli inverter solari, Caricabatterie di bordo per veicoli elettrici e alimentatori per server/telecomunicazioni. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around e da una produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico, migliora ulteriormente la loro proposta di valore. ” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • La tariffa di gate più bassa del settore (QG) e resistenza del cancello interno (RG(INT))
  • R . più bassoDS(SU) cambia con la temperatura
  • Bassa capacità di uscita (CNOI) e capacità miler (CGD)
  • 100% valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Capacità di resistenza ai cortocircuiti leader del settore
  • Diodo corporeo veloce e affidabile con basso VF e basso QRR
  • Tensione di soglia del gate elevata e stabile (VTH) in tutte le condizioni di temperatura e drain-bias
  • Tecnologia di confezionamento avanzata per una minore resistenza termica e un suono più basso
  • Uniformità di produzione di RDS(SU), VTH e tensione di rottura (BV)
  • Portafoglio di prodotti completo e catena di approvvigionamento più sicura con produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico

Applicazioni –

  • Solare (PV) Inverter
  • EV / Caricabatterie di bordo HEV
  • server & Alimentatori per telecomunicazioni
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Convertitori DC-DC
  • Alimentatori in modalità commutata (SMPS)
  • Accumulo di energia e ricarica della batteria
  • Riscaldamento a induzione

Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commercio SiC MOSFET

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contattare sales@genesicsemi.com

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Elettronica Digi-Key

Elemento di Newark Farnell14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.