1200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza
Stabilità delle caratteristiche elettriche dei transistor a giunzione "Super" SiC in condizioni di funzionamento CC e pulsato a lungo termine a varie temperature
Caratterizzazione della stabilità del guadagno di corrente e del funzionamento in modalità valanga di BJT 4H-SiC
Transistor a giunzione in carburo di silicio e raddrizzatori Schottky ottimizzati per il funzionamento a 250°C
Transistor a giunzione SiC a rapida maturazione con guadagno di corrente (b) > 130, Tensioni di blocco fino a 2700 V e funzionamento stabile a lungo termine
Caratteristiche statiche e di commutazione di 1200 Transistor a giunzione SiC V con raddrizzatori Schottky integrati su chip