1200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza
Stabilità delle caratteristiche elettriche dei transistor a giunzione "Super" SiC in condizioni di funzionamento CC e pulsato a lungo termine a varie temperature
Caratterizzazione della stabilità del guadagno di corrente e del funzionamento in modalità valanga di BJT 4H-SiC