Interruttori SiC che offrono perdite di conduzione minime e capacità di cortocircuito superiori rilasciati per circuiti di alimentazione ad alta frequenza
Dulles, Virginia., ottobre 28, 2014 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità di una famiglia di 1700V e . a bassa resistenza di accensione 1200 Transistor di giunzione V SiC in contenitori TO-247. L'uso di alta tensione, alta frequenza, I transistor a giunzione SiC ad alta temperatura e bassa resistenza aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume delle applicazioni di elettronica di potenza che richiedono tensioni bus più elevate. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, comprese le microgrid CC, Caricabatterie veloci per veicoli, server, alimentatori per telecomunicazioni e reti, gruppi di continuità, inverter solari, Sistemi di energia eolica, e sistemi di controllo motori industriali.
Transistor a giunzione SiC (SJT) offerti da GeneSiC mostrano una capacità di commutazione ultraveloce (simile a quello dei MOSFET SiC), un'area operativa sicura quadrata con polarizzazione inversa (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura temperature. Questi interruttori sono esenti da ossido di gate, normalmente spento, esibire un coefficiente di temperatura positivo di resistenza all'accensione, e sono in grado di essere guidati da autisti di gate commerciali, a differenza di altri interruttori SiC. I vantaggi unici dell'SJT rispetto ad altri interruttori SiC sono la sua maggiore affidabilità a lungo termine, >10 capacità di cortocircuito usec, e capacità di valanga superiore
“Questi SJT migliorati offrono guadagni di corrente molto più elevati (>100), prestazioni altamente stabili e robuste rispetto ad altri switch SiC. Gli SJT di GeneSiC offrono perdite di conduzione estremamente basse alle correnti nominali come perdite di spegnimento superiori nei circuiti di potenza. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, I prodotti Transistor di GeneSiC aiutano i progettisti a ottenere una soluzione più solida,” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
1700 Rilasciato il transistor di giunzione V SiC
- 25 mOhm (GA50JT17-247), 65 mOhm (GA16JT17-247), 220 mOhm (GA04JT17-247)
- Guadagno corrente (hFE) >90
- Tjmax = 175IlC
- Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <30 nanosecondi tipici.
1200 Rilasciato il transistor di giunzione V SiC
- 25 mOhm (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhm (GA05JT12-247)
- Guadagno corrente (hFE) >90
- Tjmax = 175IlC
- Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <30 nanosecondi tipici.
Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti TO-247 conformi RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati di GeneSiC.
Per maggiori informazioni, si prega di visitare https://192.168.88.14/transistor-sic-commerciali/sic-junction-transistor/
