Categoria: Comunicati stampa

Interruttori SiC che offrono perdite di conduzione minime e capacità di cortocircuito superiori rilasciati per circuiti di alimentazione ad alta frequenza

Dulles, Virginia., ottobre 28, 2014 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità di una famiglia di 1700V e . a bassa resistenza di accensione 1200 Transistor di giunzione V SiC in contenitori TO-247. L'uso di alta tensione, alta frequenza, I transistor a giunzione SiC ad alta temperatura e bassa resistenza aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume delle applicazioni di elettronica di potenza che richiedono tensioni bus più elevate. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, comprese le microgrid CC, Caricabatterie veloci per veicoli, server, alimentatori per telecomunicazioni e reti, gruppi di continuità, inverter solari, Sistemi di energia eolica, e sistemi di controllo motori industriali.

Transistor a giunzione SiC (SJT) offerti da GeneSiC mostrano una capacità di commutazione ultraveloce (simile a quello dei MOSFET SiC), un'area operativa sicura quadrata con polarizzazione inversa (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura temperature. Questi interruttori sono esenti da ossido di gate, normalmente spento, esibire un coefficiente di temperatura positivo di resistenza all'accensione, e sono in grado di essere guidati da autisti di gate commerciali, a differenza di altri interruttori SiC. I vantaggi unici dell'SJT rispetto ad altri interruttori SiC sono la sua maggiore affidabilità a lungo termine, >10 capacità di cortocircuito usec, e capacità di valanga superiore

“Questi SJT migliorati offrono guadagni di corrente molto più elevati (>100), prestazioni altamente stabili e robuste rispetto ad altri switch SiC. Gli SJT di GeneSiC offrono perdite di conduzione estremamente basse alle correnti nominali come perdite di spegnimento superiori nei circuiti di potenza. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, I prodotti Transistor di GeneSiC aiutano i progettisti a ottenere una soluzione più solida,” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

1700 Rilasciato il transistor di giunzione V SiC

• 25 mOhm (GA50JT17-247), 65 mOhm (GA16JT17-247), 220 mOhm (GA04JT17-247)
• Guadagno corrente (h_FE) >90
• T_jmax = 175^IlC
• Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <30 nanosecondi tipici.

1200 Rilasciato il transistor di giunzione V SiC

• 25 mOhm (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhm (GA05JT12-247)
• Guadagno corrente (h_FE) >90
• T_jmax = 175^IlC
• Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <30 nanosecondi tipici.

Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti TO-247 conformi RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati di GeneSiC.

Per maggiori informazioni, si prega di visitare https://192.168.88.14/transistor-sic-commerciali/sic-junction-transistor/

I transistor e i raddrizzatori SiC di GeneSiC offrono vantaggi significativi verso il raggiungimento degli obiettivi del Piccola sfida della scatola

All'avanguardia. Transistor di potenza al carburo di silicio & Raddrizzatori. A disposizione. Ora!

GeneSiC ha un ampio portafoglio di prodotti disponibili in questo momento in tutto il mondo dai migliori distributori

Nudo Die Chip forma di dispositivi SiC disponibili Direttamente dalla fabbrica (si prega di compilare il modulo sottostante)

Discreto SJT e Raddrizzatori nelle valutazioni di temperatura commerciali (175° C)

Discreto HiT SJTsabbia Raddrizzatori HiT ad alta temperatura (fino a 250°C)

GeneSiC offre la più ampia varietà di prodotti SiC, sia in prodotti confezionati che in formato bare-die per consentire una maggiore flessibilità e innovazione di progettazione. GeneSiC è costantemente impegnata a rimanere all'avanguardia introducendo novità, prodotti innovativi. Se non vedi il prodotto esatto che stai cercando oggi, potresti vederlo nel prossimo futuro.

La promessa dell'alta temperatura nei transistor SiC realizzata attraverso pacchetti compatibili con standard di settore migliorerà in modo critico gli attuatori e gli alimentatori aerospaziali e del fondo pozzo

Dulles, Virginia., dic 10, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità attraverso i suoi distributori e direttamente una famiglia ad alta temperatura confezionata 600 Transistor a giunzione V SiC (SJT) nel 3-50 Correnti nominali in ampere nei pacchetti standard del settore JEDEC con foro passante e montaggio superficiale. Incorporando questi ad alta temperatura, bassa resistenza all'accensione, Transistor SiC ad alta frequenza in contenitori ermetici, le saldature e l'incapsulamento ad alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume delle applicazioni di conversione di potenza ad alta temperatura.

Alimentatore contemporaneo ad alta temperatura, i circuiti di controllo e attuatore del motore utilizzati nelle applicazioni petrolifere/gas/downhole e aerospaziali soffrono della mancanza di disponibilità di una soluzione praticabile di carburo di silicio ad alta temperatura. I transistor al silicio soffrono di bassa efficienza del circuito e di grandi dimensioni perché soffrono di elevate correnti di dispersione e caratteristiche di commutazione basse e scadenti. Entrambi questi parametri peggiorano a temperature di giunzione più elevate. Con ambienti con vincoli termici, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di modeste correnti. I transistor SiC ermeticamente confezionati offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare la capacità delle applicazioni downhole e aerospaziali. GeneSiC 650 I transistor a giunzione SiC V/3-50 A sono caratterizzati da tempi di commutazione prossimi allo zero che non cambiano con la temperatura. Il 210^IlI dispositivi con temperatura nominale di giunzione C offrono margini di temperatura relativamente ampi per applicazioni che operano in ambienti estremi.

I transistor di giunzione offerti da GeneSiC mostrano una capacità di commutazione ultraveloce, un'area operativa sicura quadrata con polarizzazione inversa (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura temperature. Questi interruttori sono esenti da ossido di gate, normalmente spento, esibire un coefficiente di temperatura positivo di resistenza all'accensione, e sono in grado di essere guidati dal commerciale, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT, a differenza di altri interruttori SiC. Pur offrendo compatibilità con i driver SiC JFET, I transistor a giunzione SiC possono essere facilmente messi in parallelo grazie alle loro corrispondenti caratteristiche transitorie.

“Mentre i progettisti di applicazioni di fondo pozzo e aerospaziale continuano a spingere i limiti della frequenza operativa, pur richiedendo elevate efficienze del circuito, hanno bisogno di switch SiC in grado di offrire uno standard di prestazioni, affidabilità e uniformità di produzione. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, I prodotti SJT di GeneSiC aiutano i progettisti a ottenere tutto ciò in una soluzione più robusta. Questi prodotti completano il raddrizzatore SiC confezionato ermetico rilasciato lo scorso anno da GeneSiC, e i prodotti a stampo nudo rilasciati all'inizio di quest'anno, mentre ci spiana la strada per offrire alte temperature, bassa induttanza, moduli di potenza nel prossimo futuro ” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Isolato TO-257 con 600 in SJT:

• 65 mOhm/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7637-GA); e 425 mOhm/4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^IlC
• Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <50 nanosecondi tipici.
• Matrice nuda corrispondente GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); e GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)

Pacchetto prototipo TO-258 non isolato con 600 SJT

• 25 mOhm/50 Amp (Pacchetto prototipo GA50JT06-258)
• T_jmax = 210^IlC
• Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <50 nanosecondi tipici.
• Matrice nuda corrispondente GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)

Montaggio superficiale TO-276 (SMD0.5) con 600 SJT

• 65 mOhm/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7638-GA); e 425 mOhm/4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^IlC
• Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <50 nanosecondi tipici.

Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente e alloggiato in contenitori ermetici. Sono offerti supporto tecnico e modelli di circuiti SPICE. I dispositivi sono immediatamente disponibili da GeneSiC Direttamente e/o tramite i suoi Distributori Autorizzati.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

Per maggiori informazioni, per favore visita https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Alta tensione, Diodi Schottky SiC senza recupero inverso per abilitare in modo critico inverter solari e gruppi ad alta tensione offrendo capacità di montaggio superficiale con fattore di forma più piccolo

Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità di una famiglia di SMB standard di settore (JEDEC DO-214AA) Raddrizzatori SiC confezionati nel 650 – 3300 Gamma V. Incorporando questi ad alta tensione, senza recupero inverso, I diodi SiC ad alta frequenza e ad alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume degli assemblaggi multi-kV. Questi prodotti sono destinati agli inverter micro-solari e ai circuiti moltiplicatori di tensione utilizzati in un'ampia gamma di raggi X, Alimentatori laser e generatori di particelle.

Gli inverter Micro-solari contemporanei e i circuiti moltiplicatori di tensione possono soffrire di bassa efficienza del circuito e grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverse dai raddrizzatori al silicio. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora perché la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di modeste correnti. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare gli inverter micro-solari e gli assemblaggi ad alta tensione. GeneSiC 650 V/1 LA; 1200 V/2 A e 3300 I raddrizzatori Schottky V/0.3 A sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa zero che non cambia con la temperatura. Il 3300 I dispositivi V-rated offrono una tensione relativamente alta in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei tipici circuiti di generatori ad alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. La PMI (DO-214AA) il pacchetto sovrastampato presenta un fattore di forma standard del settore per gli assemblaggi a montaggio superficiale.

"Queste offerte di prodotti provengono da anni di sforzi di sviluppo sostenuti presso GeneSiC verso l'offerta di dispositivi e pacchetti convincenti. Riteniamo che il fattore di forma SMB sia un elemento chiave di differenziazione per il mercato dei micro inverter solari e dei moltiplicatori di tensione, e consentirà vantaggi significativi ai nostri clienti. VF low basso di GeneSiC, I raddrizzatori Schottky SiC a bassa capacità e i pacchetti SMB migliorati consentono questo prodotto rivoluzionario” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

1200 Diodo Schottky V/2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Caratteristiche tecniche

• VF tipica = 1.5 V
• T_jmax = 175^IlC
• Carica di recupero inversa = 14 nC.

3300 Diodo Schottky SiC V/0.3 A SMB (GAP3SLT33-214) Caratteristiche tecniche

• VF tipica = 1.7 V
• T_jmax = 175^IlC
• Carica di recupero inversa = 52 nC.

650 V/1 A Diodo Schottky SiC SMB (GB01SLT06-214) Caratteristiche tecniche

• VF tipica = 1.5 V
• T_jmax = 175^IlC
• Carica di recupero inversa = 7 nC.

Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, PMI conforme a RoHS (DO-214AA) Pacchetti. Sono offerti supporto tecnico e modelli di circuiti SPICE. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati di GeneSiC.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

Per maggiori informazioni, si prega di visitare https://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

I gruppi ad alta tensione trarranno vantaggio da questi raddrizzatori a bassa capacità che offrono correnti di recupero inverso zero indipendenti dalla temperatura in pacchetti isolati

Thief River Falls/Dulles, Virginia., Maggio 28, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annunciano l'immediata disponibilità di 3300 Raddrizzatori Schottky SiC V/0,3 Ampere – il GAP3SLT33-220FP. Questo prodotto unico rappresenta il raddrizzatore SiC a più alta tensione sul mercato, ed è specificamente mirato ai circuiti moltiplicatori di tensione e ai gruppi ad alta tensione utilizzati in un'ampia gamma di raggi X, Alimentatori laser e generatori di particelle.

I circuiti moltiplicatori di tensione contemporanei soffrono di basse efficienze del circuito e grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverso dai raddrizzatori al silicio scaricano i condensatori collegati in parallelo. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora perché la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di modeste correnti. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 3300 I raddrizzatori Schottky V/0.3 A sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa zero che non cambia con la temperatura. Questa tensione relativamente elevata in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei circuiti tipici dei generatori di alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. Il contenitore isolato sovrastampato TO-220 Full Pack presenta un fattore di forma standard del settore con una maggiore spaziatura dei pin negli assiemi a foro passante.

“Questa offerta di prodotti deriva da anni di sforzi sostenuti in GeneSiC. Crediamo il 3300 Il rating V è un elemento chiave di differenziazione per il mercato dei generatori ad alta tensione, e consentirà vantaggi significativi ai nostri clienti. VF low basso di GeneSiC, I raddrizzatori Schottky SiC a bassa capacità rendono possibile questo prodotto rivoluzionario” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

3300 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore SiC V/0,3 A

• Rilascio in stato di 1.7 V at 0.3 UN
• Coefficiente di temperatura positivo su VF
• T_jmax = 175^IlC
• Carica capacitiva 52 nC (tipico).

Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, TO-220FP standard di settore conforme a RoHS (Pacchetto completo) Pacchetti. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso il distributore autorizzato GeneSiC, Digikey.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

Per maggiori informazioni, si prega di visitare www.genesicsemi.com

Circuiti e gruppi ad alta tensione trarranno vantaggio dai chip SiC che offrono valori di tensione senza precedenti e commutazione ad altissima velocità

Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annunciano l'immediata disponibilità di 8000 Raddrizzatori PiN SiC V; 8000 Raddrizzatori Schottky V SiC, 3300 V Raddrizzatori Schottky SiC e 6500 Tiristori V SiC in formato bare die. Questi prodotti unici rappresentano i dispositivi SiC con la tensione più alta sul mercato, ed è specificamente mirato alla strumentazione per petrolio e gas, circuiti moltiplicatori di tensione e gruppi ad alta tensione.

I circuiti contemporanei ad altissima tensione soffrono di bassa efficienza del circuito e di grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverso dei raddrizzatori al silicio scaricano i condensatori collegati in parallelo. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora ulteriormente in quanto la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al Silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di modeste correnti. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 8000 semplificando la creazione di modelli SPICE basati sul comportamento che concordano notevolmente bene anche con i modelli basati sulla fisica sottostanti 3300 I raddrizzatori V Schottky sono dotati di corrente di recupero inversa zero che non cambia con la temperatura. Questa tensione relativamente elevata in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei circuiti tipici dei generatori di alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. 8000 I raddrizzatori V PiN offrono livelli di corrente più elevati e temperature di esercizio più elevate. 6500 Sono disponibili anche chip tiristori V SiC per accelerare R&D di nuovi sistemi.

“Questi prodotti dimostrano il forte vantaggio di GeneSiC nello sviluppo di chip SiC nelle classificazioni multi-kV. Crediamo il 8000 La classificazione V va oltre ciò che i dispositivi al silicio possono offrire alle temperature nominali, e consentirà vantaggi significativi ai nostri clienti. VF low basso di GeneSiC, I raddrizzatori e tiristori SiC a bassa capacità consentiranno vantaggi a livello di sistema che prima non erano possibili” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

8000 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore PiN nudo SiC V/2 A

• T_jmax = 210^IlC
• Correnti di dispersione inverse < 50 uA a 175^IlC
• Tassa di recupero inverso 558 nC (tipico).

8000 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore Schottky SiC nudo V/50 mA

• Capacità totale 25 pF (tipico, A -1 V, 25^IlC).
• Coefficiente di temperatura positivo su VF
• T_jmax = 175^IlC

6500 Caratteristiche tecniche della matrice nuda per tiristori V SiC

• Tre offerte – 80 Ampere (GA080TH65-CAU); 60 Ampere (GA060TH65-CAU); e 40 Ampere (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^IlC

3300 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore a stampo nudo SiC V/0,3 A

• Rilascio in stato di 1.7 V at 0.3 UN
• Coefficiente di temperatura positivo su VF
• T_jmax = 175^IlC
• Carica capacitiva 52 nC (tipico).

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

Per maggiori informazioni, per favore visita https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie