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I moduli SiC Schottky Rectifier/Si IGBT ibridi di GeneSiC consentono il funzionamento a 175°C

DULLI, VA, Marzo 5, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità dei suoi mini-moduli ibridi di seconda generazione utilizzando 1200 Raddrizzatori Schottky SiC V/100 Ampere con robusti IGBT al silicio: GB100XCP12-227. Il rapporto prestazioni-prezzo al quale questo prodotto viene rilasciato consente a molte applicazioni di conversione di potenza di beneficiare della riduzione del costo/dimensioni/peso/volume che né la soluzione Silicon IGBT/Silicon Rectifier, né un modulo SiC puro può offrire. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, compresi i motori industriali, inverter solari, apparecchiature specializzate e applicazioni di rete elettrica.

Minimoduli SiC Schottky/Si IGBT (Co-pack) offerti da GeneSiC sono realizzati con IGBT di Si che mostrano un coefficiente di temperatura positivo di caduta in stato on, robusto design perforato, funzionamento ad alta temperatura e caratteristiche di commutazione rapida che possono essere guidate da commerciali, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT. I raddrizzatori SiC utilizzati in questi moduli Co-pack consentono pacchetti a induttanza estremamente bassa, bassa caduta di tensione in stato on e nessun ripristino inverso. Il pacchetto SOT-227 offre una piastra di base isolata, 12mm design a basso profilo che può essere utilizzato in modo molto flessibile come elemento di circuito autonomo, configurazione in parallelo ad alta corrente, una tappa di fase (due moduli), o come elemento del circuito chopper.

“Abbiamo ascoltato i nostri clienti chiave fin dall'offerta iniziale di questo prodotto quasi 2 anni fa. Questa seconda generazione 1200 Il prodotto V/100 A Co-pack ha un design a bassa induttanza adatto per l'alta frequenza, applicazioni ad alta temperatura. Le scarse caratteristiche di alta temperatura e recupero inverso dei diodi al silicio limitano in modo critico l'uso di IGBT a temperature più elevate. VF low basso di GeneSiC, I diodi Schottky SiC a bassa capacità consentono questo prodotto rivoluzionario” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

1200 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore V/100 A Si IGBT/SiC

  • Rilascio in stato di 1.9 V at 100 UN
  • Coefficiente di temperatura positivo su VF
  • Tjmax = 175°C
  • Perdite di energia all'accensione 23 microJoule (tipico).

Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti SOT-227 conformi allo standard di settore RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati di GeneSiC.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

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GeneSiC introduce i transistor a giunzione in carburo di silicio

DULLI, VA, febbraio 25, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità di una famiglia di 1700V e 1200 Transistor a giunzione V SiC. Incorporando l'alta tensione, I transistor a giunzione SiC ad alta frequenza e ad alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume dell'elettronica di potenza. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, incluso il server, alimentatori per telecomunicazioni e reti, gruppi di continuità, inverter solari, sistemi di controllo motori industriali, e applicazioni di fondo pozzo.

I transistor di giunzione offerti da GeneSiC mostrano una capacità di commutazione ultraveloce, un'area operativa sicura quadrata con polarizzazione inversa (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura temperature. Questi interruttori sono esenti da ossido di gate, normalmente spento, esibire un coefficiente di temperatura positivo di resistenza all'accensione, e sono in grado di essere guidati dal commerciale, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT, a differenza di altri interruttori SiC. Pur offrendo compatibilità con i driver SiC JFET, I transistor di giunzione possono essere facilmente messi in parallelo grazie alle loro caratteristiche transitorie corrispondenti.

“Mentre i progettisti di sistemi di alimentazione continuano a spingere i limiti della frequenza operativa, pur richiedendo elevate efficienze del circuito, la necessità di switch SiC in grado di offrire uno standard di prestazioni e uniformità di produzione. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, I prodotti Transistor di GeneSiC aiutano i progettisti a ottenere tutto ciò in una soluzione più robusta,” disse il dott. Ranbir Singh , Presidente di GeneSiC Semiconductor.

1700 Caratteristiche tecniche del transistor a giunzione a V

  • Tre offerte – 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); e 500 mOhm (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Attiva/disattiva tempi di salita/discesa <50 nanosecondi tipici.

1200 Caratteristiche tecniche del transistor a giunzione a V

  • Due offerte - 220 mOhm (GA06JT12-247); e 460 mOhm (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Attiva/disattiva tempi di salita/discesa <50 nanosecondi tipici

Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti TO-247 conformi RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati di GeneSiC.

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La nuova fisica consente a Thyristor di raggiungere un livello più alto

DULLI, VA, agosto 30, 2011 – La nuova fisica consente ai tiristori di raggiungere un livello più alto

Una rete elettrica fornisce energia affidabile con l'aiuto di dispositivi elettronici che garantiscono un funzionamento regolare, flusso di potenza affidabile. Finora, si è fatto affidamento sugli assemblaggi a base di silicio, ma non sono stati in grado di gestire i requisiti della rete intelligente. Materiali a banda larga come il carburo di silicio (SiC) offrono un'alternativa migliore in quanto sono in grado di velocità di commutazione più elevate, una tensione di rottura maggiore, perdite di commutazione inferiori, e una temperatura di giunzione più elevata rispetto ai tradizionali interruttori a base di silicio. Il primo di questi dispositivi basati su SiC a raggiungere il mercato è il tiristore in carburo di silicio ad altissima tensione (Tiristore SiC), sviluppato da GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., con il supporto dei Laboratori Nazionali Sandia, Albuquerque, N.M., gli Stati Uniti. Dipartimento di Energia/Elettricità, e gli Stati Uniti. Esercito/Ricerca sugli armamenti, Centro di sviluppo e ingegneria, Arsenale Picatinny, N.J.

Gli sviluppatori hanno adottato una fisica operativa diversa per questo dispositivo, che opera sul trasporto di vettori minoritari e su un terzo terminale raddrizzatore integrato, che è uno in più rispetto ad altri dispositivi SiC commerciali. Gli sviluppatori hanno adottato una nuova tecnica di fabbricazione che supporta le valutazioni di cui sopra 6,500 V, così come un nuovo design dell'anodo del cancello per dispositivi ad alta corrente. In grado di funzionare a temperature fino a 300 C e corrente at 80 UN, il SiC Thyristor offre fino a 10 volte più alta tensione, tensioni di blocco quattro volte superiori, e 100 frequenza di commutazione volte più veloce rispetto ai tiristori a base di silicio.

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GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per dispositivi SiC in applicazioni di energia solare ed eolica connesse alla rete

DULLI, VA, luglio 14, 2011 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2011 R&D 100 Premio per la commercializzazione di dispositivi al Carburo di Silicio con rating ad alta tensione.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovatore chiave nei dispositivi di potenza a base di carburo di silicio è stato premiato la scorsa settimana con l'annuncio di aver ricevuto il prestigioso 2011 R&D 100 Premio. Questo premio riconosce GeneSiC per aver introdotto uno dei più significativi, la ricerca e lo sviluppo di nuova introduzione nel corso di molteplici discipline 2010. R&D Magazine ha riconosciuto il tiristore SiC ad altissima tensione di GeneSiC per la sua capacità di ottenere tensioni e frequenze di blocco mai utilizzate prima per le dimostrazioni di elettronica di potenza. I valori di tensione di >6.5kV, corrente nominale in stato di 80 A e frequenze operative di >5 i kHz sono molto più alti di quelli precedentemente introdotti sul mercato. Queste capacità raggiunte dai Thyristors di GeneSiC consentono ai ricercatori di elettronica di potenza di sviluppare inverter collegati alla rete, Flessibile

Sistemi di trasmissione CA (FATTI) e sistemi ad alta tensione CC (HVDC). Ciò consentirà nuove invenzioni e sviluppi di prodotti nell'ambito delle energie rinnovabili, inverter solari, inverter eolici, e industrie di stoccaggio dell'energia. Dott. Ranbir Singh, Il presidente di GeneSiC Semiconductor ha commentato: "Si prevede che i mercati su larga scala delle sottostazioni elettriche a stato solido e dei generatori di turbine eoliche si apriranno dopo che i ricercatori nell'arena della conversione di potenza avranno realizzato appieno i vantaggi dei tiristori SiC. Questi tiristori SiC di prima generazione utilizzano la caduta di tensione allo stato on e le resistenze on differenziali più basse mai ottenute nei tiristori SiC. Intendiamo rilasciare le future generazioni di tiristori SiC ottimizzati per la capacità di spegnimento controllato dal cancello e la capacità di alimentazione a impulsi e >10valori kV. Mentre continuiamo a sviluppare soluzioni di imballaggio ad altissima tensione ad alta temperatura, gli attuali tiristori da 6,5 ​​kV sono confezionati in moduli con contatti completamente saldati, limitato a temperature di giunzione di 150oC.” Dal momento che questo prodotto è stato lanciato in ottobre 2010, GeneSiC ha prenotato ordini da più clienti per la dimostrazione di hardware avanzato per l'elettronica di potenza utilizzando questi tiristori in carburo di silicio. GeneSiC continua a sviluppare la sua famiglia di prodotti a tiristori in carburo di silicio. La R&D sulla prima versione per le applicazioni di conversione di potenza è stata sviluppata grazie al supporto finanziario SBIR del Dipartimento degli Stati Uniti. di energia. Più avanzato, I tiristori SiC ottimizzati a potenza pulsata sono in fase di sviluppo nell'ambito di un altro contratto SBIR con ARDEC, Esercito degli Stati Uniti. Utilizzando questi sviluppi tecnici, investimento interno da GeneSiC e ordini commerciali da più clienti, GeneSiC è stata in grado di offrire questi tiristori UHV come prodotti commerciali.

Il 49° concorso tecnologico annuale organizzato da R&D Magazine ha valutato i lavori di varie aziende e attori del settore, organizzazioni di ricerca e università in tutto il mondo. I redattori della rivista e una giuria di esperti esterni sono stati giudici, valutare ogni voce in termini di importanza per il mondo della scienza e della ricerca.

Secondo R&D Magazine, vincere una R&D 100 Award fornisce un marchio di eccellenza noto all'industria, governo, e il mondo accademico a riprova che il prodotto è una delle idee più innovative dell'anno. Questo premio riconosce GeneSiC come leader globale nella creazione di prodotti basati sulla tecnologia che fanno la differenza nel modo in cui lavoriamo e viviamo.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor selezionato per presentare la tecnologia al 2011 Vertice sull'innovazione energetica ARPA-E

DULLI, VA, febbraio 28, 2011 – GeneSiC Semiconductor è lieta di annunciare la sua selezione per il prestigioso Technology Showcase all'ARPA-E Energy Innovation Summit, co-ospitato dall'Agenzia per i progetti di ricerca avanzata del Dipartimento dell'energia - Energia (ARPA-E) e l'Organizzazione per le tecnologie pulite e le industrie sostenibili (CTSI). Centinaia di migliori tecnologi e organizzazioni di tecnologia pulita all'avanguardia hanno gareggiato per partecipare allo Showcase, un corridoio delle prospettive più promettenti dell'America per vincere il futuro dell'energia.

Come una delle organizzazioni selezionate di ARPA-E, GeneSiC Semiconductor esporrà il suo carburo di silicio a quasi 2,000 i leader nazionali si riuniscono per guidare la competitività americana a lungo termine nel settore energetico, compresi i migliori ricercatori, investitori, imprenditori, dirigenti aziendali e funzionari governativi. Più di 200 tecnologie rivoluzionarie dai premiati ARPA-E, corporazioni, Laboratori Nazionali e Dipartimento di Energia R&I programmi D saranno presentati all'evento.

“Questo vertice riunisce organizzazioni che comprendono la necessità di collaborare e collaborare per portare sul mercato la prossima generazione di tecnologie energetiche," ha affermato GeneSiC Semiconductor, Presidente, Dott. Ranbir Singh. "È un'opportunità rara ed entusiasmante avere così tanti attori chiave nella comunità energetica insieme sotto lo stesso tetto e non vediamo l'ora di condividere i nostri dispositivi di alimentazione al carburo di silicio con altri innovatori e investitori al Technology Showcase".

Team di ricerca e sviluppo aziendale da 14 Saranno presenti anche Corporate Acceleration Partner impegnati nella commercializzazione della tecnologia, tra cui Dow, Boschi, Materiali applicati e Lockheed Martin.

Il Summit presenta anche relatori di alto profilo, tra cui gli Stati Uniti. Il segretario all'energia Steven Chu, Il Direttore dell'ARPA-E Arun Majumdar, NOI.. Il Segretario della Marina Raymond Mabus, l'ex governatore della California Arnold Schwarzenegger e il presidente della Bank of America Charles Holliday.

Il secondo vertice annuale ARPA-E sull'innovazione energetica si svolgerà a febbraio 28 – Marzo 2, 2011 al Gaylord Convention Center appena fuori Washington, DC. Per saperne di più o per registrarti visita il sito: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa dispositivi semiconduttori a banda larga per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, interruttori di alimentazione e dispositivi bipolari. GeneSiC utilizza una suite unica ed estesa di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità per un'ampia gamma di mercati ad alto volume. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, Esercito, Nasa, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa.

Informazioni su ARPA-E

L'Agenzia per i Progetti di Ricerca Avanzata – Energia (ARPA-E) è una nuova agenzia negli Stati Uniti. Department of Energy – e il primo a concentrarsi esclusivamente su tecnologie energetiche rivoluzionarie che potrebbero cambiare radicalmente il modo in cui utilizziamo l'energia. Piuttosto che svolgere direttamente la ricerca, ARPA-E investe in alto rischio, tecnologie energetiche ad alto rendimento sviluppate dalle università, startup, piccole imprese, e corporazioni. Il nostro staff unisce scienziati leader del settore, ingegneri, e dirigenti degli investimenti per identificare soluzioni promettenti ai problemi energetici più critici della nazione e per accelerare le migliori tecnologie verso il mercato, il che è fondamentale per garantire la leadership tecnologica globale della nazione e creare nuove industrie e posti di lavoro americani. Visita www.arpa-e.energy.govper maggiori informazioni.

A proposito di CTSI

La tecnologia pulita & Organizzazione delle industrie sostenibili (CTSI), un'associazione industriale senza scopo di lucro 501c6, rappresenta le organizzazioni in via di sviluppo, commercializzazione, e implementare l'energia, acqua, e tecnologie ambientali. Le tecnologie pulite offrono soluzioni tanto necessarie alle crescenti preoccupazioni relative alla sicurezza delle risorse e alla sostenibilità e sono fondamentali per mantenere la competitività economica. CTSI riunisce i leader globali per l'advocacy, sviluppo della comunità, rete, e la condivisione delle informazioni per aiutare a portare queste tecnologie necessarie sul mercato più rapidamente. Visita www.ct-si.org per maggiori informazioni.

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GeneSiC vince il progetto di gestione dell'energia dalla NASA a sostegno delle future missioni di esplorazione di Venere

DULLI, VA, dicembre 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., un innovatore chiave del romanzo carburo di silicio (SiC) dispositivi per alte temperature, ad alta potenza, e applicazioni ad altissima tensione, annuncia la selezione del suo progetto intitolato “Dispositivi integrati a transistor-diodo a transistor a super giunzione SiC per moduli di controllo motori ad alta potenza operanti a 500 oC” dalla National Aeronautics and Space Administration degli Stati Uniti (Nasa) per un premio SBIR di Fase I. Questo progetto SBIR è focalizzato sullo sviluppo del diodo JBS integrato monolitico SiC-transistor Super Junction (MEZZO) dispositivi per il funzionamento in ambienti simili a Venere (500 °C temperature superficiali). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” disse il dott. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 ° C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 ° C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa.

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Multi-kHz, Tiristori in carburo di silicio ad altissima tensione campionati a ricercatori statunitensi

DULLI, VA, novembre 1, 2010 –In una prima offerta nel suo genere, GeneSiC Semiconductor annuncia la disponibilità di una famiglia di tiristori in carburo di silicio in modalità SCR da 6,5 ​​kV da utilizzare nell'elettronica di potenza per applicazioni Smart Grid. Si prevede che i vantaggi rivoluzionari delle prestazioni di questi dispositivi di alimentazione stimoleranno innovazioni chiave nell'hardware dell'elettronica di potenza su larga scala per aumentare l'accessibilità e lo sfruttamento delle risorse energetiche distribuite (IL). "Finora, carburo di silicio multi-kV (SiC) i dispositivi di potenza non erano apertamente a disposizione dei ricercatori statunitensi per sfruttare appieno i noti vantaggi, vale a dire frequenze operative di 2-10kHz con valori nominali di 5-15kV, dei dispositivi di potenza basati su SiC. ha commentato Dr. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC. “GeneSiC ha recentemente completato la consegna di molti 6.5kV/40A, 6.5Tiristori kV/60A e 6,5kV/80A a più clienti che conducono ricerche nel campo delle energie rinnovabili, Applicazioni del sistema di alimentazione dell'esercito e della marina. I dispositivi SiC con queste valutazioni vengono ora offerti in modo più ampio".

I tiristori a base di carburo di silicio offrono una tensione 10 volte superiore, 100X frequenze di commutazione più veloci e funzionamento a temperature più elevate rispetto ai tradizionali tiristori a base di silicio. Le opportunità di ricerca di applicazioni mirate per questi dispositivi includono la conversione di potenza a media tensione per uso generale (MVDC), Inverter solari collegati alla rete, inverter eolici, potenza pulsata, sistemi d'arma, controllo dell'accensione, e controllo del grilletto. È ormai assodato che il voltaggio ultra alto (>10kV) Carburo di silicio (SiC) la tecnologia dei dispositivi giocherà un ruolo rivoluzionario nella rete elettrica di prossima generazione. I dispositivi SiC basati su tiristori offrono le massime prestazioni in stato on per >5 dispositivi kV, e sono ampiamente applicabili ai circuiti di conversione di potenza a media tensione come i limitatori di corrente di guasto, Convertitori AC-DC, Compensatori VAR statici e Compensatori di serie. I tiristori basati su SiC offrono anche le migliori possibilità di adozione anticipata grazie alle loro somiglianze con gli elementi della rete elettrica convenzionali. L'implementazione di queste tecnologie avanzate dei semiconduttori di potenza potrebbe fornire tanto quanto a 25-30 riduzione percentuale del consumo di elettricità grazie a una maggiore efficienza nella fornitura di energia elettrica.

Dott. Singh continua “Si prevede che i mercati su larga scala delle sottostazioni elettriche a stato solido e dei generatori di turbine eoliche si apriranno dopo che i ricercatori nell'arena della conversione di potenza avranno realizzato appieno i vantaggi dei tiristori SiC. Questi tiristori SiC di prima generazione utilizzano la caduta di tensione allo stato on e le resistenze on differenziali più basse mai ottenute nei tiristori SiC. Intendiamo rilasciare le future generazioni di tiristori SiC ottimizzati per la capacità di spegnimento controllato da gate e >10valori kV. Mentre continuiamo a sviluppare soluzioni di imballaggio ad altissima tensione ad alta temperatura, gli attuali tiristori da 6,5 ​​kV sono confezionati in moduli con contatti completamente saldati, limitato a temperature di giunzione di 150oC.” GeneSiC è un innovatore emergente veloce nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.

Situato vicino a Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, Transistor a supergiunzione (SJT) e un'ampia varietà di dispositivi basati su tiristori. GeneSiC ha o ha avuto prime / subappalti da importanti agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visita www.genesicsemi.com.

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GeneSiC vince $ 2,53 M da ARPA-E per lo sviluppo di dispositivi basati su tiristori in carburo di silicio

DULLI, VA, settembre 28, 2010 - Agenzia per progetti di ricerca avanzata - Energia (ARPA-E) ha stipulato un accordo di cooperazione con il team guidato da GeneSiC Semiconductor per lo sviluppo del nuovo carburo di silicio ad altissima tensione (SiC) Dispositivi basati su tiristori. Questi dispositivi dovrebbero essere fattori chiave per l'integrazione di centrali eoliche e solari su larga scala nella Smart Grid di prossima generazione.

"Questo premio altamente competitivo a GeneSiC ci consentirà di estendere la nostra posizione di leadership tecnica nella tecnologia multi-kV al carburo di silicio, così come il nostro impegno per soluzioni energetiche alternative su scala di rete con soluzioni a stato solido,"Ha commentato il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC. "I tiristori SiC multi-kV che stiamo sviluppando sono la tecnologia abilitante chiave per la realizzazione di sistemi di trasmissione CA flessibili (FATTI) elementi e DC ad alta tensione (HVDC) architetture previste verso un integrato, efficiente, Smart Grid del futuro. I tiristori basati su SiC di GeneSiC offrono una tensione 10 volte superiore, 100X frequenze di commutazione più veloci e funzionamento a temperature più elevate nelle soluzioni di elaborazione di potenza FACTS e HVDC rispetto ai tiristori tradizionali a base di silicio ".

In Aprile 2010, GeneSiC ha risposto all'Agile Delivery of Electrical Power Technology (ABILE) sollecitazione da ARPA-E che ha cercato di investire in materiali per progressi fondamentali negli interruttori ad alta tensione che hanno il potenziale per superare le prestazioni dei convertitori di potenza esistenti offrendo allo stesso tempo riduzioni dei costi. La proposta dell'azienda dal titolo "Tiristore commutato con anodo di silicio per la conversione di potenza a media tensione" è stata selezionata per fornire un, stato solido, conversione di energia a media tensione per applicazioni ad alta potenza come sottostazioni elettriche a stato solido e generatori di turbine eoliche. L'implementazione di queste tecnologie avanzate dei semiconduttori di potenza potrebbe fornire tanto quanto a 25-30 riduzione percentuale del consumo di elettricità grazie a una maggiore efficienza nella fornitura di energia elettrica. Le innovazioni selezionate dovevano sostenere e promuovere gli Stati Uniti. imprese attraverso la leadership tecnologica, attraverso un processo altamente competitivo.

Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore di nuova generazione con proprietà di gran lunga superiori al silicio convenzionale, come la capacità di gestire dieci volte la tensione e cento volte la corrente a temperature fino a 300 ° C. Queste caratteristiche lo rendono ideale per applicazioni ad alta potenza come veicoli ibridi ed elettrici, energia rinnovabile (eolico e solare) installazioni, e sistemi di controllo della rete elettrica.

È ormai assodato che il voltaggio ultra alto (>10kV) Carburo di silicio (SiC) la tecnologia dei dispositivi giocherà un ruolo rivoluzionario nella rete elettrica di prossima generazione. I dispositivi SiC basati su tiristori offrono le massime prestazioni in stato on per >5 dispositivi kV, e sono ampiamente applicabili ai circuiti di conversione di potenza a media tensione come i limitatori di corrente di guasto, Convertitori AC-DC, Compensatori VAR statici e compensatori in serie. I tiristori basati su SiC offrono anche le migliori possibilità di adozione anticipata grazie alle loro somiglianze con gli elementi della rete elettrica convenzionali. Altre applicazioni e vantaggi promettenti per questi dispositivi includono:

  • Sistemi di gestione e condizionamento dell'alimentazione per la conversione CC a media tensione ricercati in Future Naval Capability (FNC) della Marina degli Stati Uniti, Sistemi di lancio elettromagnetici, sistemi d'arma ad alta energia e imaging medico. La capacità di frequenza operativa 10-100 volte superiore consente miglioramenti senza precedenti in termini di dimensioni, peso, volume e infine, costo di tali sistemi.
  • Una varietà di accumulo di energia, applicazioni di fisica ad alta temperatura e alta energia. Le applicazioni di accumulo di energia e rete elettrica stanno ricevendo una crescente attenzione poiché il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.

“Siamo emersi come leader nella tecnologia SiC ad altissima tensione sfruttando la nostra competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi con un'ampia suite di fabbricazione, caratterizzazione, e strutture di prova,"Conclude il dott. Singh. "La posizione di GeneSiC è stata ora efficacemente convalidata dal DOE degli Stati Uniti con questo significativo premio successivo".

Informazioni su GeneSiC Semiconductor

Situato in posizione strategica vicino a Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, Transistor a supergiunzione (SJT) e un'ampia varietà di dispositivi basati su tiristori. GeneSiC ha o ha avuto prime / subappalti da importanti agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visitawww.genesicsemi.com.

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L'energia rinnovabile mette a disposizione 1,5 milioni di dollari di GeneSiC Semiconductor dal Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti

DULLI, VA, novembre 12, 2008 – Il Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti ha assegnato a GeneSiC Semiconductor due sovvenzioni separate per un totale di 1,5 milioni di dollari per lo sviluppo di carburo di silicio ad alta tensione (SiC) dispositivi che fungeranno da abilitanti chiave per il vento- e integrazione dell'energia solare con la rete elettrica nazionale.

"Questi premi dimostrano la fiducia del DOE nelle capacità di GeneSiC, così come il suo impegno per soluzioni energetiche alternative,” note Dr. Ranbir Singh, presidente di GeneSiC. “Un integrato, una rete elettrica efficiente è fondamentale per il futuro energetico della nazione e i dispositivi SiC che stiamo sviluppando sono fondamentali per superare le inefficienze delle tecnologie convenzionali al silicio".

Il primo premio è una sovvenzione SBIR di Fase II da $ 750k per lo sviluppo di fast, dispositivi bipolari SiC ad altissima tensione. Il secondo è una sovvenzione STTR Fase II di $ 750k per lo sviluppo di interruttori SiC ad alta potenza con gate ottico.

Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore di nuova generazione con la capacità di gestire 10 volte la tensione e 100 volte la corrente del silicio, rendendolo ideale per applicazioni ad alta potenza come le energie rinnovabili (eolico e solare) impianti e sistemi di controllo della rete elettrica.

In particolare, i due premi sono per:

  • Sviluppo dell'alta frequenza, spegnimento del cancello SiC multi-kilovolt (GTO) dispositivi di alimentazione. Le applicazioni governative e commerciali includono sistemi di gestione e condizionamento dell'energia per le navi, il settore dei servizi pubblici, e imaging medico.
  • Progettazione e fabbricazione di alta tensione con controllo ottico, dispositivi di commutazione SiC ad alta potenza. L'utilizzo della fibra ottica per commutare l'alimentazione è una soluzione ideale per gli ambienti afflitti da interferenze elettromagnetiche (EMI), e applicazioni che richiedono tensioni ultra elevate.

I dispositivi SiC che GeneSiC sta sviluppando servono una varietà di accumulatori di energia, rete elettrica, e applicazioni militari, che stanno ricevendo una crescente attenzione mentre il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.

Con sede fuori Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, transistor ad effetto di campo (FET) e dispositivi bipolari, così come la particella & rivelatori fotonici. GeneSiC ha contratti principali/subappaltati dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visita www.genesicsemi.com.