postato su 2019-06-102020-05-11 di Editor0Un DMOSFET di potenza 4H-SiC ad ampia area da 10 kV con comportamento sottosoglia stabile indipendentemente dalla temperatura agosto, 2008Un DMOSFET di potenza 4H-SiC ad ampia area da 10 kV con comportamento sottosoglia stabile indipendentemente dalla temperatura