הערות יישום:
- בקרוב
מאמרים טכניים:
Emerging Silicon-Carbide Power Devices Enable Revolutionary Changes in High Voltage Power Conversion
אוקטובר, 2004Emerging Silicon-Carbide Power Devices Enable Revolutionary Changes in High Voltage Power Conversion
Reliability of SiC MOS devices
אוקטובר, 2004Reliability of SiC MOS devices
Novel SiC MOS-Bipolar Switches for >10 kV Applications
מאי, 2006Novel SiC MOS-Bipolar Switches for >10 kV Applications
מגבלות אמינות וביצועים בהתקן כוח SiC
יוני, 2006מגבלות אמינות וביצועים בהתקני כוח SiC
DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה
אוגוסט, 2008DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה