פורסם ב

GeneSiC משחררת את ה-1700V SiC Schottky MPS עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה™ דיודות

DULLES, VA, יָנוּאָר 7, 2019 — GeneSiC משחררת פורטפוליו מקיף של דיודות הדור השלישי שלה 1700V SiC Schottky MPS™ בחבילת TO-247-2

GeneSiC הציגה את GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 ו-GB50MPS17-247; דיודות 1700V SiC עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה, הזמינות בחבילה הפופולרית TO-247-2 דרך חורים. דיודות 1700V SiC אלו מחליפות דיודות התאוששות אולטרה-מהיר המבוססות על סיליקון ושאר דיודות 1700V SiC JBS מהדור הישן, המאפשר למהנדסים לבנות מעגלי מיתוג ביעילות רבה יותר ובצפיפות הספק גבוהה יותר. יישומים צפויים לכלול מטענים מהירים לרכב חשמלי, כונני מנוע, ספקי כוח לתחבורה ואנרגיה מתחדשת.

GB50MPS17-247 היא דיודת 1700V 50A SiC ממוזגת-PiN-schottky, דיודת כוח בדיד SiC בדירוג הנוכחי הגבוה ביותר בתעשייה. דיודות אלה שיצאו לאחרונה כוללות מפל מתח נמוך קדימה, אפס התאוששות קדימה, אפס התאוששות הפוכה, קיבול צומת נמוך ומדורגים לטמפרטורת פעולה מקסימלית של 175 מעלות צלזיוס. טכנולוגיית דיודות schottky SiC מהדור השלישי של GeneSiC מספקת חוסן מפולת וזרם גל מובילים בתעשייה (Ifsm) חוסן, בשילוב עם יציקה 6 אינץ' מוסמכת לרכב באיכות גבוהה וטכנולוגיית הרכבה דיסקרטית מתקדמת באמינות גבוהה.

דיודות SiC אלו הן תחליפים ישירים תואמי פינים לדיודות אחרות הזמינות בחבילת TO-247-2. נהנים מאובדני הכוח הנמוכים שלהם (פעולת קריר) ויכולת מיתוג בתדר גבוה, מעצבים יכולים כעת להשיג יעילות המרה גדולה יותר וצפיפות הספק גדולה יותר בעיצובים.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.

פורסם ב

רב קילו-הרץ, תיריסטורי מתח גבוה במיוחד סיליקון קרביד שנדגמו לחוקרים אמריקאים

DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 1, 2010 –בהצעה ראשונה מסוגה, GeneSiC Semiconductor מודיעה על זמינותה של משפחה של 6.5kV מצב SCR במצב סיליקון קרביד לשימוש במכשירים אלקטרוניים חשמליים ליישומי רשת חכמה. יתרונות ביצועים מהפכניים של מכשירי כוח אלה צפויים לעודד חידושים מרכזיים בחומרה אלקטרונית כוח בקנה מידה שימושי כדי להגביר את הנגישות והניצול של משאבי אנרגיה מבוזרים. (ה). "עד עכשיו, רב סיליקון קרביד (SiC) התקני כוח לא היו זמינים בגלוי לחוקרים אמריקאים כדי לנצל באופן מלא את היתרונות הידועים - כלומר תדרי הפעלה של 2-10 קילו-הרץ בדירוגים של 5-15 קילו וולט - של מכשירי חשמל מבוססי SiC. " העיר ד"ר דר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "GeneSiC השלימה לאחרונה אספקה ​​של 6.5kV / 40A רבים, 6.5kV / 60A ו- 6.5kV / 80A תיריסטורים ללקוחות מרובים העוסקים במחקר באנרגיה מתחדשת, יישומי מערכת כוח צבא וצי. מכשירי SiC עם דירוגים אלה מוצעים כעת באופן נרחב יותר. "

תיריסטורים מבוססי סיליקון קרביד מציעים מתח גבוה פי 10, 100X תדרי מיתוג מהירים יותר והפעלה בטמפרטורה גבוהה יותר בהשוואה לתיריסטורים קונבנציונליים מבוססי סיליקון. הזדמנויות מחקר יישומיות ממוקדות למכשירים אלה כוללות המרת מתח בינוני למטרות כלליות (MVDC), ממירי שמש קשורים לרשת, ממירי כוח רוח, כוח פועם, מערכות נשק, בקרת הצתה, ולהפעיל שליטה. זה כבר מבוסס היטב כי מתח גבוה במיוחד (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית המכשירים תשחק תפקיד מהפכני ברשת השירות של הדור הבא. מכשירי SiC מבוססי תיריסטור מציעים את הביצועים הגבוהים ביותר במצב >5 התקני kV, וישימות נרחבות כלפי מעגלי המרת מתח מתח בינוני כמו מגבלות זרם תקלה, ממירי AC-DC, מפצי VAR סטטיים ומפצי סדרה. תיריסטורים מבוססי SiC מציעים גם את הסיכוי הטוב ביותר לאימוץ מוקדם בגלל הדמיון שלהם לאלמנטים קונבנציונליים ברשת החשמל. פריסת טכנולוגיות מוליכות למחצה מתקדמות אלה עשויה לספק עד כה 25-30 הפחתת אחוז בצריכת החשמל באמצעות יעילות מוגברת בהספקת חשמל.

ד"ר. סינג ממשיך "הצפי הוא כי שווקים רחבי היקף בתחנות חשמל במצב מוצק ובמחוללי טורבינות רוח ייפתחו לאחר שחוקרים בזירת המרת הכוח יבינו עד תום את היתרונות של SiC Thyristors. הדור הראשון של ה- SiC תיריסטורים מנצלים את ירידת המתח במצב הנמוך ביותר והתנגדות ההפרש ההפרשית שהושגו אי פעם ב- SiC תיריסטורים.. בכוונתנו לשחרר את הדורות הבאים של SiC Thyristors המותאמים ליכולת כיבוי מבוקרת שער >10דירוגי kV. ככל שאנו ממשיכים לפתח פתרונות אריזה במתח גבוה במיוחד, 6.5kV הנוכחי תיריסטורים ארוזים במודולים עם מגעים מולחמים לחלוטין, מוגבל לטמפרטורות צומת של 150 מעלות צלזיוס. " GeneSiC הוא חדשני המתפתח במהירות בתחום מכשירי הכוח של SiC ומחויב מאוד לפיתוח סיליקון קרביד. (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

ממוקם ליד וושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו חוזי פריים / משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.

פורסם ב

GeneSiC זוכה ב -2.53 מיליון דולר מ- ARPA-E לקראת פיתוח מכשירים מבוססי סיליקון קרביד תיריסטור

DULLES, VA, סֶפּטֶמבֶּר 28, 2010 - סוכנות פרויקטים למחקר מתקדם - אנרגיה (ARPA-E) התקשרה בהסכם שיתופי פעולה עם הצוות המוביל על ידי מוליכים למחצה GeneSiC לקראת פיתוח קרביד הסיליקון החדש בעל מתח גבוה. (SiC) מכשירים מבוססי תיריסטור. מכשירים אלה צפויים להיות מאפשרים עיקריים לשילוב תחנות כוח רוח ושמש בקנה מידה גדול בדור הבא של רשת החכמה..

"הפרס התחרותי ביותר הזה ל- GeneSiC יאפשר לנו להרחיב את עמדת המנהיגות הטכנית שלנו בטכנולוגיית סיליקון קרביד מרובה kV., כמו גם המחויבות שלנו לפתרונות אנרגיה חלופיים בקנה מידה רשת עם פתרונות מצב מוצק,"הגיב ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "תיריסטורי SiC מרובי kV שאנו מפתחים הם הטכנולוגיה המאפשרת מפתח למימוש מערכות העברת AC גמישות (עובדות) אלמנטים ו DC מתח גבוה (HVDC) אדריכלות המתוכננת לקראת אינטגרציה, יָעִיל, רשת חכמה של העתיד. התיריסטורים מבוססי SiC של GeneSiC מציעים מתח גבוה פי 10, 100X תדרי מיתוג מהירים יותר והפעלה בטמפרטורה גבוהה יותר בפתרונות עיבוד כוח FACTS ו- HVDC בהשוואה לתיריסטורים קונבנציונליים מבוססי סיליקון. "

באפריל 2010, GeneSiC הגיבה למסירה זריזה של טכנולוגיית חשמל (מְיוּמָן) שידול מ- ARPA-E שביקש להשקיע בחומרים להתקדמות בסיסית במתגי מתח גבוה שיש בו פוטנציאל לזנק מביצועי ממיר ההספק הקיים תוך הצעת עלויות. הצעת החברה שכותרתה "תיריסטור מחליף אנודה ממוצרי סיליקון לקרביד להמרת מתח בינוני" נבחרה לספק קל משקל, מצב מוצק, המרת אנרגיה במתח בינוני ליישומי הספק גבוה כגון תחנות חשמל מוצקות וגנרטורי טורבינות רוח. פריסת טכנולוגיות מוליכות למחצה מתקדמות אלה עשויה לספק עד כה 25-30 הפחתת אחוז בצריכת החשמל באמצעות יעילות מוגברת בהספקת חשמל. החידושים שנבחרו היו לתמוך ולקדם את ארה"ב. עסקים באמצעות מנהיגות טכנולוגית, באמצעות תהליך תחרותי ביותר.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא בעל תכונות עדיפות להפליא מסיליקון קונבנציונאלי, כגון היכולת להתמודד עם פי עשרה מהמתח - וכפי מאה מהזרם - בטמפרטורות הגבוהות עד 300 מעלות צלזיוס. מאפיינים אלה הופכים אותו למתאים באופן אידיאלי ליישומים בעלי הספק גבוה כמו רכבים היברידיים וחשמליים, אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) התקנות, ומערכות בקרת רשת חשמל.

זה כבר מבוסס היטב כי מתח גבוה במיוחד (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית המכשירים תשחק תפקיד מהפכני ברשת השירות של הדור הבא. מכשירי SiC מבוססי תיריסטור מציעים את הביצועים הגבוהים ביותר במצב >5 התקני kV, וישימות נרחבות כלפי מעגלי המרת מתח מתח בינוני כמו מגבלות זרם תקלה, ממירי AC-DC, פנסי VAR סטטי ומפצי סדרה. תיריסטורים מבוססי SiC מציעים גם את הסיכוי הטוב ביותר לאימוץ מוקדם בגלל הדמיון שלהם לאלמנטים קונבנציונליים ברשת החשמל. יישומים ויתרונות מבטיחים אחרים למכשירים אלה כוללים:

  • מערכות ניהול צריכת חשמל ומיזוג הסבה להמרת מתח מתח בינוני מבוקשת תחת יכולת ימי עתידית (FNC) של הצי האמריקני, מערכות שיגור אלקטרומגנטיות, מערכות נשק בעלות אנרגיה גבוהה והדמיה רפואית. יכולת תדר ההפעלה הגבוהה ב-10-100X מאפשרת שיפורים חסרי תקדים בגודלם, מִשׁקָל, נפח ובסופו של דבר, עלות מערכות כאלה.
  • מגוון אחסון אנרגיה, יישומי פיזיקה בטמפרטורה גבוהה ואנרגיה גבוהה. יישומי אחסון אנרגיה ורשתות חשמל זוכים לתשומת לב גוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

“יצאנו כמובילים בטכנולוגיית SiC במתח גבוה במיוחד על ידי מינוף יכולת הליבה שלנו בעיצוב מכשירים ותהליכים עם מערך ייצור נרחב., אִפיוּן, ומתקני בדיקה,"מסכם ד"ר. סינג. "עמדת GeneSiC אומתה כעת על ידי ה- DOE האמריקנית ביעילות עם פרס המשך משמעותי זה."

על GeneSiC Semiconductor

ממוקם אסטרטגי ליד וושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו חוזי פריים / משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקרwww.genesicsemi.com.

פורסם ב

רשתות דחף של אנרגיה מתחדשת GeneSiC מוליכים למחצה 1.5 מיליון דולר ממשרד האנרגיה האמריקני

DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 12, 2008 – משרד האנרגיה האמריקני העניק ל- GeneSiC Semiconductor שני מענקים נפרדים בהיקף כולל של 1.5 מיליון דולר לפיתוח קרביד סיליקון במתח גבוה. (SiC) מכשירים שישמשו כמאפשרים מפתח לרוח- ושילוב אנרגיה סולארית עם רשת החשמל במדינה.

"פרסים אלה מדגימים את האמון של ה- DOE ביכולות של GeneSiC, כמו גם מחויבותה לפתרונות אנרגיה חלופיים,"מציין ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "משולב, רשת חשמל יעילה היא קריטית לעתיד האנרגיה של המדינה - ומכשירי ה- SiC שאנו מפתחים הם קריטיים להתגברות על חוסר היעילות של טכנולוגיות הסיליקון המקובלות. "

הפרס הראשון הוא מענק SBIR בשלב II בסך 750,000 דולר לפיתוח מהיר, התקני SiC דו קוטביים במתח גבוה במיוחד. השני הוא מענק שלב II STTR של 750,000 דולר לפיתוח מתגי SiC בעלי הספק גבוה.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא עם יכולת להתמודד עם מתח פי 10 וזרם של סיליקון פי 100., מה שהופך אותו לאידיאלי לאפליקציות בעלות הספק גבוה כמו אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) מתקנים ומערכות בקרת רשת חשמל.

במיוחד, שני הפרסים מיועדים:

  • פיתוח בתדירות גבוהה, כיבוי שער SiC רב קילוולט (GTO) מכשירי חשמל. יישומים ממשלתיים ומסחריים כוללים מערכות ניהול חשמל ומיזוג ספינות, תעשיית השירות, והדמיה רפואית.
  • תכנון וייצור של מתח גבוה מגודר אופטי, התקני מיתוג SiC בעלי עוצמה גבוהה. שימוש בסיבים אופטיים להחלפת כוח הוא פיתרון אידיאלי לסביבות המוטרדות מהפרעות אלקטרו-מגנטיות (EMI), ויישומים הדורשים מתח גבוה במיוחד.

מכשירי ה- SiC GeneSiC מפתחים משרתים מגוון אחסון אנרגיה, רשת חשמל, ויישומים צבאיים, אשר זוכים לתשומת לב הולכת וגוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

מבוסס מחוץ לוושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורים עם אפקט שדה (FETs) ומכשירים דו קוטביים, כמו גם חלקיק & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש חוזים ראשוניים / תת סוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.

פורסם ב

GeneSiC Semiconductor הוענק מספר מחלקות ארה"ב למענקי SBIR ו- STTR

DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., חדשנית מהירה של טמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים, הודיעה כי הוענקו שלושה מענקים נפרדים לעסקים קטנים ממשרד האנרגיה האמריקני במהלך FY07. מענקי SBIR ו- STTR ישמשו את GeneSiC כדי להדגים התקני SiC מתח גבוה למגוון אחסון אנרגיה., רשת חשמל, יישומי פיזיקה בטמפרטורה גבוהה ואנרגיה גבוהה. יישומי אחסון אנרגיה ורשת חשמל זוכים לתשומת לב גוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

“אנו שמחים מרמת הביטחון שהביעו משרדים שונים במשרד האנרגיה האמריקני בכל הקשור לפתרונות המכשירים הגבוהים שלנו. הזרמת מימון זה לתוכניות טכנולוגית SiC המתקדמות שלנו תביא למכשירי SiC המובילים בתעשייה,” הגיב נשיא GeneSiC, ד"ר. רנביר סינג. “המכשירים שפותחו בפרויקטים אלה מבטיחים לספק טכנולוגיה קריטית המאפשרת תמיכה ברשת חשמל יעילה יותר, ויפתח את הדלת לטכנולוגיית חומרה מסחרית וצבאית חדשה שנותרה לא ממומשת בגלל המגבלות של טכנולוגיות עכשוויות מבוססות סיליקון.”

שלושת הפרויקטים כוללים:

  • פרס SBIR שלב I חדש שהתמקד בזרם גבוה, התקנים מבוססי תיריסטור מרובי kV המיועדים ליישומי אחסון אנרגיה.
  • פרס המשך שלב II של SBIR לפיתוח התקני כוח SiC מרובי kV עבור ספקי מתח גבוה ליישומי מערכת RF בעלי הספק גבוה שהוענק על ידי משרד המדע של DOE..
  • פרס STTR שלב I התמקד במתח גבוה מגודר אופטי, התקני כוח SiC בתדירות גבוהה לסביבות עשירות בהפרעות אלקטרו-מגנטיות, כולל מערכות אנרגיה RF בעלות הספק גבוה, ומערכות נשק אנרגיה מכוונות.

יחד עם הפרסים, GeneSiC העבירה לאחרונה את פעילותה למבנה מעבדה ומשרדים מורחב בדאלס, וירג'יניה, שדרוג משמעותי של הציוד שלה, תשתית ונמצא בתהליך הוספת אנשי מפתח נוספים.

“GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה, מגבה את זה עם גישה לחבילת ייצור נרחבת, מתקני אפיון ובדיקה,” סיכם ד"ר. סינג. “אנו סבורים כי יכולות אלה אומתו ביעילות על ידי ה- DOE האמריקני עם פרסים חדשים ומעקביים אלה.”

מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקור www.genesicsemi.com.