התעשייה המובילה בתעשייה של GeneSiC 6.5kV SiC MOSFETs – ואנגארד לגל חדש של יישומים

6.5KV SiC MOSFETs

DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 20, 2020 — GeneSiC משחררת 6.5kV סיליקון קרביד MOSFET כדי להוביל את החזית באספקת רמות ביצועים חסרות תקדים, יעילות ואמינות ביישומי המרת מתח בינוני כגון מתיחה, פועמת חשמל ותשתית רשת חכמה.

מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמליים, היום מכריזה על זמינות מיידית של שבבים חשופים מסוג SiC MOSFET של 6.5kV - G2R300MT65-CAL ו- G2R325MS65-CAL. בקרוב ישוחררו מודולי SiC מלאים המשתמשים בטכנולוגיה זו. יישומים צפויים לכלול מתיחה, כוח פועם, תשתית רשת חכמה וממירי כוח מתח בינוני אחרים.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (עם משולב-שוטקי) צ'יפ חשוף

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

החידוש של GeneSiC כולל מוליך למחצה של תחמוצת מתכת שתולה כפול (DMOSFET) מבנה מכשיר עם מחסום צומת שוטקי (JBS) מיישר המשולב בתא היחידה SiC DMOSFET. ניתן להשתמש במכשיר כוח מוביל זה במגוון מעגלי המרת הספק בדור הבא של מערכות המרת הספק. יתרונות משמעותיים אחרים כוללים ביצועים דו-כיווניים יעילים יותר, מיתוג בלתי תלוי בטמפרטורה, הפסדי מיתוג והולכה נמוכים, דרישות קירור מופחתות, אמינות מעולה לטווח הארוך, קלות מכשירים מקבילים ויתרונות עלות. הטכנולוגיה של GeneSiC מציעה ביצועים מעולים ויש בה גם פוטנציאל להפחית את טביעת הרגל החומרית של SiC בממירי הספק.

“6.5KV SiC MOSFETs של GeneSiC מתוכננים ומייצרים על רקמות בגודל 6 אינץ 'כדי לממש עמידות נמוכה במצב., האיכות הטובה ביותר, ומדד ביצועי מחיר מעולה. טכנולוגיית MOSFETs מהדור הבא מבטיחה ביצועים למופת, חסינות מעולה ואמינות ארוכת טווח ביישומי המרת מתח בינוני.” אמר ד"ר. סידארת 'סונדרסן, סמנכ"ל טכנולוגיה ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות הטכנולוגיה G2R ™ SiC MOSFET של 6.5kV של GeneSiC –

  • מפולת גבוהה (UIS) וחוסן קצר חשמלי
  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון
  • הפסדי מיתוג עצמאיים
  • קיבולים נמוכים וטעינה נמוכה של שער
  • הפסדים נמוכים בכל הטמפרטורות
  • הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס
  • +20 ו / -5 כונן שער V

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

GeneSiC זוכה ב -2.53 מיליון דולר מ- ARPA-E לקראת פיתוח מכשירים מבוססי סיליקון קרביד תיריסטור

DULLES, VA, סֶפּטֶמבֶּר 28, 2010 - סוכנות פרויקטים למחקר מתקדם - אנרגיה (ARPA-E) התקשרה בהסכם שיתופי פעולה עם הצוות המוביל על ידי מוליכים למחצה GeneSiC לקראת פיתוח קרביד הסיליקון החדש בעל מתח גבוה. (SiC) מכשירים מבוססי תיריסטור. מכשירים אלה צפויים להיות מאפשרים עיקריים לשילוב תחנות כוח רוח ושמש בקנה מידה גדול בדור הבא של רשת החכמה..

"הפרס התחרותי ביותר הזה ל- GeneSiC יאפשר לנו להרחיב את עמדת המנהיגות הטכנית שלנו בטכנולוגיית סיליקון קרביד מרובה kV., כמו גם המחויבות שלנו לפתרונות אנרגיה חלופיים בקנה מידה רשת עם פתרונות מצב מוצק,"הגיב ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "תיריסטורי SiC מרובי kV שאנו מפתחים הם הטכנולוגיה המאפשרת מפתח למימוש מערכות העברת AC גמישות (עובדות) אלמנטים ו DC מתח גבוה (HVDC) אדריכלות המתוכננת לקראת אינטגרציה, יָעִיל, רשת חכמה של העתיד. התיריסטורים מבוססי SiC של GeneSiC מציעים מתח גבוה פי 10, 100X תדרי מיתוג מהירים יותר והפעלה בטמפרטורה גבוהה יותר בפתרונות עיבוד כוח FACTS ו- HVDC בהשוואה לתיריסטורים קונבנציונליים מבוססי סיליקון. "

באפריל 2010, GeneSiC הגיבה למסירה זריזה של טכנולוגיית חשמל (מְיוּמָן) שידול מ- ARPA-E שביקש להשקיע בחומרים להתקדמות בסיסית במתגי מתח גבוה שיש בו פוטנציאל לזנק מביצועי ממיר ההספק הקיים תוך הצעת עלויות. הצעת החברה שכותרתה "תיריסטור מחליף אנודה ממוצרי סיליקון לקרביד להמרת מתח בינוני" נבחרה לספק קל משקל, מצב מוצק, המרת אנרגיה במתח בינוני ליישומי הספק גבוה כגון תחנות חשמל מוצקות וגנרטורי טורבינות רוח. פריסת טכנולוגיות מוליכות למחצה מתקדמות אלה עשויה לספק עד כה 25-30 הפחתת אחוז בצריכת החשמל באמצעות יעילות מוגברת בהספקת חשמל. החידושים שנבחרו היו לתמוך ולקדם את ארה"ב. עסקים באמצעות מנהיגות טכנולוגית, באמצעות תהליך תחרותי ביותר.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא בעל תכונות עדיפות להפליא מסיליקון קונבנציונאלי, כגון היכולת להתמודד עם פי עשרה מהמתח - וכפי מאה מהזרם - בטמפרטורות הגבוהות עד 300 מעלות צלזיוס. מאפיינים אלה הופכים אותו למתאים באופן אידיאלי ליישומים בעלי הספק גבוה כמו רכבים היברידיים וחשמליים, אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) התקנות, ומערכות בקרת רשת חשמל.

זה כבר מבוסס היטב כי מתח גבוה במיוחד (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית המכשירים תשחק תפקיד מהפכני ברשת השירות של הדור הבא. מכשירי SiC מבוססי תיריסטור מציעים את הביצועים הגבוהים ביותר במצב >5 התקני kV, וישימות נרחבות כלפי מעגלי המרת מתח מתח בינוני כמו מגבלות זרם תקלה, ממירי AC-DC, פנסי VAR סטטי ומפצי סדרה. תיריסטורים מבוססי SiC מציעים גם את הסיכוי הטוב ביותר לאימוץ מוקדם בגלל הדמיון שלהם לאלמנטים קונבנציונליים ברשת החשמל. יישומים ויתרונות מבטיחים אחרים למכשירים אלה כוללים:

  • מערכות ניהול צריכת חשמל ומיזוג הסבה להמרת מתח מתח בינוני מבוקשת תחת יכולת ימי עתידית (FNC) של הצי האמריקני, מערכות שיגור אלקטרומגנטיות, מערכות נשק בעלות אנרגיה גבוהה והדמיה רפואית. יכולת תדר ההפעלה הגבוהה ב-10-100X מאפשרת שיפורים חסרי תקדים בגודלם, מִשׁקָל, נפח ובסופו של דבר, עלות מערכות כאלה.
  • מגוון אחסון אנרגיה, יישומי פיזיקה בטמפרטורה גבוהה ואנרגיה גבוהה. יישומי אחסון אנרגיה ורשתות חשמל זוכים לתשומת לב גוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

“יצאנו כמובילים בטכנולוגיית SiC במתח גבוה במיוחד על ידי מינוף יכולת הליבה שלנו בעיצוב מכשירים ותהליכים עם מערך ייצור נרחב., אִפיוּן, ומתקני בדיקה,"מסכם ד"ר. סינג. "עמדת GeneSiC אומתה כעת על ידי ה- DOE האמריקנית ביעילות עם פרס המשך משמעותי זה."

על GeneSiC Semiconductor

ממוקם אסטרטגי ליד וושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו חוזי פריים / משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקרwww.genesicsemi.com.