GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למכשירי SiC ביישומי אנרגיית סולארית ורוח המחוברים לרשת

DULLES, VA, יולי 14, 2011 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס על מסחור של מכשירי סיליקון קרביד עם דירוג מתח גבוה.

GeneSiC Semiconductor Inc., חדשנית מרכזית במכשירי החשמל המבוססים על סיליקון קרביד זכתה לכבוד בשבוע שעבר בהודעה כי זכתה בפרס היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס. פרס זה מכיר ב- GeneSiC על הצגת אחד המשמעותיים ביותר, התקדמות מחקר ופיתוח חדשה בקרב דיסציפלינות מרובות במהלך 2010. ר&מגזין D זיהה את Thyristor SiC Thyristor של GeneSiC במיוחד בזכות יכולתו להשיג מתח וחסימות חסימות שמעולם לא נוצלו לקראת הפגנות אלקטרוניקה כוחית.. דירוגי המתח של >6.5kV, דירוג הנוכחי במדינה של 80 A ותדרי הפעלה של >5 kHz גבוהים בהרבה מאלה שהוצגו בעבר בשוק. יכולות אלה שהושגו על ידי Thyristors של GeneSiC מאפשרות באופן ביקורתי לחוקרי אלקטרוניקה כוח לפתח ממירים קשורים לרשת., גָמִישׁ

מערכות הילוכים AC (עובדות) ומערכות מתח גבוה DC (HVDC). זה יאפשר המצאות חדשות ופיתוח מוצרים בתחום האנרגיה המתחדשת, ממירי שמש, ממירי כוח רוח, ותעשיות אחסון אנרגיה. ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor אמר: "צפוי כי שווקים בהיקפים נרחבים בתחנות חשמל במצב מוצק ובמחוללי טורבינות רוח ייפתחו לאחר שחוקרים בזירת הספק החשמל יבינו במלואם את היתרונות של Thyristors SiC.. הדור הראשון של ה- SiC תיריסטורים מנצלים את ירידת המתח במצב הנמוך ביותר והתנגדות ההפרש ההפרשית שהושגו אי פעם ב- SiC תיריסטורים.. אנו מתכוונים לשחרר את הדורות הבאים של Thyristors SiC המותאמים ליכולת כיבוי בשליטה על שער ויכולת הספק מואצת >10דירוגי kV. ככל שאנו ממשיכים לפתח פתרונות אריזה במתח גבוה במיוחד, 6.5kV הנוכחי תיריסטורים ארוזים במודולים עם מגעים מולחמים לחלוטין, מוגבל לטמפרטורות צומת 150oC. " מאז הושק מוצר זה באוקטובר 2010, GeneSiC הזמינה הזמנות מלקוחות מרובים לקראת הדגמת חומרה מתקדמת של מוצרי אלקטרוניקה באמצעות תיריסטורים סיליקון קרביד אלה.. GeneSiC ממשיכה לפתח את משפחת מוצרי הסיליקון קרביד Thyristor. ה- R.&D בגרסה מוקדמת ליישומי המרת חשמל פותחו באמצעות תמיכה במימון SBIR ממחלקת ארה"ב. של אנרגיה. מתקדם יותר, Pulser Power מותאם SiC Thyristors מפותחים תחת חוזה SBIR אחר עם ARDEC, צבא ארה"ב. שימוש בהתפתחויות טכניות אלה, השקעה פנימית של GeneSiC והזמנות מסחריות של מספר לקוחות, GeneSiC הצליחה להציע Thyristors UHV אלה כמוצרים מסחריים.

תחרות הטכנולוגיה השנתית ה -49 שמפעילה R&מגזין D העריך רשומות של חברות ושחקנים בתעשייה השונים, ארגוני מחקר ואוניברסיטאות ברחבי העולם. עורכי המגזין ופאנל מומחים חיצוניים שימשו כשופטים, הערכת כל ערך מבחינת חשיבותו לעולם המדע והמחקר.

על פי ר&מגזין D, לזכות ב- R.&ד 100 הפרס מספק סימן מצוינות המוכר לתעשייה, מֶמְשָׁלָה, והאקדמיה כהוכחה לכך שהמוצר הוא אחד הרעיונות החדשניים ביותר של השנה. פרס זה מכיר ב- GeneSiC כמובילה עולמית ביצירת מוצרים מבוססי טכנולוגיה שעושים את ההבדל באופן בו אנו עובדים וחיים..

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.

רשתות דחף של אנרגיה מתחדשת GeneSiC מוליכים למחצה 1.5 מיליון דולר ממשרד האנרגיה האמריקני

DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 12, 2008 – משרד האנרגיה האמריקני העניק ל- GeneSiC Semiconductor שני מענקים נפרדים בהיקף כולל של 1.5 מיליון דולר לפיתוח קרביד סיליקון במתח גבוה. (SiC) מכשירים שישמשו כמאפשרים מפתח לרוח- ושילוב אנרגיה סולארית עם רשת החשמל במדינה.

"פרסים אלה מדגימים את האמון של ה- DOE ביכולות של GeneSiC, כמו גם מחויבותה לפתרונות אנרגיה חלופיים,"מציין ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "משולב, רשת חשמל יעילה היא קריטית לעתיד האנרגיה של המדינה - ומכשירי ה- SiC שאנו מפתחים הם קריטיים להתגברות על חוסר היעילות של טכנולוגיות הסיליקון המקובלות. "

הפרס הראשון הוא מענק SBIR בשלב II בסך 750,000 דולר לפיתוח מהיר, התקני SiC דו קוטביים במתח גבוה במיוחד. השני הוא מענק שלב II STTR של 750,000 דולר לפיתוח מתגי SiC בעלי הספק גבוה.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא עם יכולת להתמודד עם מתח פי 10 וזרם של סיליקון פי 100., מה שהופך אותו לאידיאלי לאפליקציות בעלות הספק גבוה כמו אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) מתקנים ומערכות בקרת רשת חשמל.

במיוחד, שני הפרסים מיועדים:

  • פיתוח בתדירות גבוהה, כיבוי שער SiC רב קילוולט (GTO) מכשירי חשמל. יישומים ממשלתיים ומסחריים כוללים מערכות ניהול חשמל ומיזוג ספינות, תעשיית השירות, והדמיה רפואית.
  • תכנון וייצור של מתח גבוה מגודר אופטי, התקני מיתוג SiC בעלי עוצמה גבוהה. שימוש בסיבים אופטיים להחלפת כוח הוא פיתרון אידיאלי לסביבות המוטרדות מהפרעות אלקטרו-מגנטיות (EMI), ויישומים הדורשים מתח גבוה במיוחד.

מכשירי ה- SiC GeneSiC מפתחים משרתים מגוון אחסון אנרגיה, רשת חשמל, ויישומים צבאיים, אשר זוכים לתשומת לב הולכת וגוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

מבוסס מחוץ לוושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורים עם אפקט שדה (FETs) ומכשירים דו קוטביים, כמו גם חלקיק & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש חוזים ראשוניים / תת סוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.