פורסם ב

G3R ™ 750V SiC MOSFETs מציעים ביצועים ואמינות שאין שני להם

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, יוני 04, 2021 — הדור הבא של GeneSiC 750 V G3R ™ MOSFETs SiC יספקו רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים ירידה נמוכה במצב במצב בטמפרטורות הפעלה, מהירויות מעבר מהירות יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מינימלי (EMI נמוך) וגודל מערכת קומפקטי. G3R™ של GeneSiC, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים לפעול עם הפסדי הספק הנמוכים ביותר בכל תנאי ההפעלה ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר באופן משמעותי בהשוואה למכשירי SiC MOSFET עכשוויים.

750V G3R SiC MOSFET

"שימוש באנרגיה ביעילות גבוהה הפך למוצר קריטי בממירי כוח מהדור הבא והתקני כוח SiC ממשיכים להיות המרכיבים העיקריים המניעים את המהפכה הזו. לאחר שנים של עבודת פיתוח להשגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי ומפולות חזקים, אנו נרגשים לשחרר את ה-MOSFETs 750V SiC עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה. G3R™ שלנו מאפשר למעצבי אלקטרוניקה כח לעמוד ביעילות המאתגרת, יעדי צפיפות הספק ואיכות ביישומים כמו ממירים סולאריים, מטענים מובנים ל-EV וספקי כוח לשרת/טלקום. איכות מובטחת, הנתמכת על ידי הסבה מהירה וייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה משפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם. ” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • טעינת השער הנמוכה ביותר בתעשייה (שז) והתנגדות שער פנימי (RG(INT))
  • R הנמוך ביותרDS(עַל) להשתנות עם הטמפרטורה
  • קיבול פלט נמוך (גלָנוּ) וקיבול מיילר (גGD)
  • 100% מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
  • יכולת עמידה בקצר חשמלי מובילה בתעשייה
  • דיודת גוף מהירה ואמינה עם V נמוךו ו-Q נמוךRR
  • מתח סף שער גבוה ויציב (וTH) על פני כל תנאי הטמפרטורה והטיית הניקוז
  • טכנולוגיית אריזה מתקדמת לעמידות תרמית נמוכה יותר וצלצול נמוך יותר
  • אחידות ייצור של RDS(עַל), וTH ומתח התפרקות (BV)
  • סל מוצרים מקיף ושרשרת אספקה ​​בטוחה יותר עם ייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה

יישומים –

  • סוֹלָרִי (PV) ממירים
  • EV / מטענים משולבים של HEV
  • שרת & ספקי כוח טלקום
  • ספקי כוח אל פסק (יו פי אס)
  • ממירי DC-DC
  • ספקי כוח במצב מיתוג (SMPS)
  • אחסון אנרגיה וטעינת סוללה
  • חימום אינדוקציה

כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

רכב חשמלי

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

אלקטרוניקה חץ

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

פורסם ב

התעשייה המובילה בתעשייה של GeneSiC 6.5kV SiC MOSFETs – ואנגארד לגל חדש של יישומים

6.5KV SiC MOSFETs

DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 20, 2020 — GeneSiC משחררת 6.5kV סיליקון קרביד MOSFET כדי להוביל את החזית באספקת רמות ביצועים חסרות תקדים, יעילות ואמינות ביישומי המרת מתח בינוני כגון מתיחה, פועמת חשמל ותשתית רשת חכמה.

מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמליים, היום מכריזה על זמינות מיידית של שבבים חשופים מסוג SiC MOSFET של 6.5kV - G2R300MT65-CAL ו- G2R325MS65-CAL. בקרוב ישוחררו מודולי SiC מלאים המשתמשים בטכנולוגיה זו. יישומים צפויים לכלול מתיחה, כוח פועם, תשתית רשת חכמה וממירי כוח מתח בינוני אחרים.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (עם משולב-שוטקי) צ'יפ חשוף

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

החידוש של GeneSiC כולל מוליך למחצה של תחמוצת מתכת שתולה כפול (DMOSFET) מבנה מכשיר עם מחסום צומת שוטקי (JBS) מיישר המשולב בתא היחידה SiC DMOSFET. ניתן להשתמש במכשיר כוח מוביל זה במגוון מעגלי המרת הספק בדור הבא של מערכות המרת הספק. יתרונות משמעותיים אחרים כוללים ביצועים דו-כיווניים יעילים יותר, מיתוג בלתי תלוי בטמפרטורה, הפסדי מיתוג והולכה נמוכים, דרישות קירור מופחתות, אמינות מעולה לטווח הארוך, קלות מכשירים מקבילים ויתרונות עלות. הטכנולוגיה של GeneSiC מציעה ביצועים מעולים ויש בה גם פוטנציאל להפחית את טביעת הרגל החומרית של SiC בממירי הספק.

“6.5KV SiC MOSFETs של GeneSiC מתוכננים ומייצרים על רקמות בגודל 6 אינץ 'כדי לממש עמידות נמוכה במצב., האיכות הטובה ביותר, ומדד ביצועי מחיר מעולה. טכנולוגיית MOSFETs מהדור הבא מבטיחה ביצועים למופת, חסינות מעולה ואמינות ארוכת טווח ביישומי המרת מתח בינוני.” אמר ד"ר. סידארת 'סונדרסן, סמנכ"ל טכנולוגיה ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות הטכנולוגיה G2R ™ SiC MOSFET של 6.5kV של GeneSiC –

  • מפולת גבוהה (UIS) וחוסן קצר חשמלי
  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון
  • הפסדי מיתוג עצמאיים
  • קיבולים נמוכים וטעינה נמוכה של שער
  • הפסדים נמוכים בכל הטמפרטורות
  • הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס
  • +20 ו / -5 כונן שער V

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.