פורסם ב

G3R ™ 750V SiC MOSFETs מציעים ביצועים ואמינות שאין שני להם

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, יוני 04, 2021 — הדור הבא של GeneSiC 750 V G3R ™ MOSFETs SiC יספקו רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים ירידה נמוכה במצב במצב בטמפרטורות הפעלה, מהירויות מעבר מהירות יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מינימלי (EMI נמוך) וגודל מערכת קומפקטי. G3R™ של GeneSiC, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים לפעול עם הפסדי הספק הנמוכים ביותר בכל תנאי ההפעלה ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר באופן משמעותי בהשוואה למכשירי SiC MOSFET עכשוויים.

750V G3R SiC MOSFET

"שימוש באנרגיה ביעילות גבוהה הפך למוצר קריטי בממירי כוח מהדור הבא והתקני כוח SiC ממשיכים להיות המרכיבים העיקריים המניעים את המהפכה הזו. לאחר שנים של עבודת פיתוח להשגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי ומפולות חזקים, אנו נרגשים לשחרר את ה-MOSFETs 750V SiC עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה. G3R™ שלנו מאפשר למעצבי אלקטרוניקה כח לעמוד ביעילות המאתגרת, יעדי צפיפות הספק ואיכות ביישומים כמו ממירים סולאריים, מטענים מובנים ל-EV וספקי כוח לשרת/טלקום. איכות מובטחת, הנתמכת על ידי הסבה מהירה וייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה משפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם. ” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • טעינת השער הנמוכה ביותר בתעשייה (שז) והתנגדות שער פנימי (RG(INT))
  • R הנמוך ביותרDS(עַל) להשתנות עם הטמפרטורה
  • קיבול פלט נמוך (גלָנוּ) וקיבול מיילר (גGD)
  • 100% מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
  • יכולת עמידה בקצר חשמלי מובילה בתעשייה
  • דיודת גוף מהירה ואמינה עם V נמוךו ו-Q נמוךRR
  • מתח סף שער גבוה ויציב (וTH) על פני כל תנאי הטמפרטורה והטיית הניקוז
  • טכנולוגיית אריזה מתקדמת לעמידות תרמית נמוכה יותר וצלצול נמוך יותר
  • אחידות ייצור של RDS(עַל), וTH ומתח התפרקות (BV)
  • סל מוצרים מקיף ושרשרת אספקה ​​בטוחה יותר עם ייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה

יישומים –

  • סוֹלָרִי (PV) ממירים
  • EV / מטענים משולבים של HEV
  • שרת & ספקי כוח טלקום
  • ספקי כוח אל פסק (יו פי אס)
  • ממירי DC-DC
  • ספקי כוח במצב מיתוג (SMPS)
  • אחסון אנרגיה וטעינת סוללה
  • חימום אינדוקציה

כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

רכב חשמלי

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

אלקטרוניקה חץ

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

פורסם ב

GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למתג מיישר טרנזיסטור-מיישר מבוסס SiC

DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 5, 2019 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2019 ר&ד 100 פרס על פיתוח מתג טרנזיסטור-מיישר מונוליטי מבוסס SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc., חדשן מרכזי במכשירי הכוח מבוססי סיליקון קרביד זכה לכבוד בהכרזה שהוא זכה בתואר היוקרתי 2019 ר&ד 100 פרס. פרס זה מכיר ב- GeneSiC על הצגת אחד המשמעותיים ביותר, התקדמות מחקר ופיתוח חדשה בקרב דיסציפלינות מרובות במהלך 2018. ר&מגזין D זיהה את טכנולוגיית הספק SiC במתח בינוני של GeneSiC על יכולתה לשלב באופן מונוליטי את MOSFET ומיישר Schottky על שבב אחד. יכולות אלו שהושגו על ידי המכשיר של GeneSiC מאפשרות באופן קריטי לחוקרי אלקטרוניקת כוח לפתח מערכות אלקטרוניות כוח מהדור הבא כמו ממירים וממירי DC-DC. זה יאפשר פיתוח מוצרים בתוך כלי רכב חשמליים, תשתית טעינה, תעשיות אנרגיה מתחדשת ואגירת אנרגיה. GeneSiC הזמינה הזמנות ממספר לקוחות לקראת הדגמה של חומרת אלקטרוניקה מתקדמת באמצעות מכשירים אלה וממשיכה לפתח את משפחת מוצרי הסיליקון קרביד MOSFET שלה.. ה- R.&D על גרסה מוקדמת ליישומי המרת חשמל פותחו באמצעות מחלקת ארה"ב. של אנרגיה ושיתוף פעולה עם המעבדות הלאומיות של Sandia.

תחרות הטכנולוגיה השנתית המנוהלת על ידי ר&מגזין D העריך רשומות של חברות ושחקנים בתעשייה השונים, ארגוני מחקר ואוניברסיטאות ברחבי העולם. עורכי המגזין ופאנל מומחים חיצוניים שימשו כשופטים, הערכת כל ערך מבחינת חשיבותו לעולם המדע והמחקר.

על פי ר&מגזין D, לזכות ב- R.&ד 100 הפרס מספק סימן מצוינות המוכר לתעשייה, מֶמְשָׁלָה, והאקדמיה כהוכחה לכך שהמוצר הוא אחד הרעיונות החדשניים ביותר של השנה. פרס זה מכיר ב- GeneSiC כמובילה עולמית ביצירת מוצרים מבוססי טכנולוגיה שעושים את ההבדל באופן בו אנו עובדים וחיים..

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.

פורסם ב

GeneSiC זוכה ב -2.53 מיליון דולר מ- ARPA-E לקראת פיתוח מכשירים מבוססי סיליקון קרביד תיריסטור

DULLES, VA, סֶפּטֶמבֶּר 28, 2010 - סוכנות פרויקטים למחקר מתקדם - אנרגיה (ARPA-E) התקשרה בהסכם שיתופי פעולה עם הצוות המוביל על ידי מוליכים למחצה GeneSiC לקראת פיתוח קרביד הסיליקון החדש בעל מתח גבוה. (SiC) מכשירים מבוססי תיריסטור. מכשירים אלה צפויים להיות מאפשרים עיקריים לשילוב תחנות כוח רוח ושמש בקנה מידה גדול בדור הבא של רשת החכמה..

"הפרס התחרותי ביותר הזה ל- GeneSiC יאפשר לנו להרחיב את עמדת המנהיגות הטכנית שלנו בטכנולוגיית סיליקון קרביד מרובה kV., כמו גם המחויבות שלנו לפתרונות אנרגיה חלופיים בקנה מידה רשת עם פתרונות מצב מוצק,"הגיב ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "תיריסטורי SiC מרובי kV שאנו מפתחים הם הטכנולוגיה המאפשרת מפתח למימוש מערכות העברת AC גמישות (עובדות) אלמנטים ו DC מתח גבוה (HVDC) אדריכלות המתוכננת לקראת אינטגרציה, יָעִיל, רשת חכמה של העתיד. התיריסטורים מבוססי SiC של GeneSiC מציעים מתח גבוה פי 10, 100X תדרי מיתוג מהירים יותר והפעלה בטמפרטורה גבוהה יותר בפתרונות עיבוד כוח FACTS ו- HVDC בהשוואה לתיריסטורים קונבנציונליים מבוססי סיליקון. "

באפריל 2010, GeneSiC הגיבה למסירה זריזה של טכנולוגיית חשמל (מְיוּמָן) שידול מ- ARPA-E שביקש להשקיע בחומרים להתקדמות בסיסית במתגי מתח גבוה שיש בו פוטנציאל לזנק מביצועי ממיר ההספק הקיים תוך הצעת עלויות. הצעת החברה שכותרתה "תיריסטור מחליף אנודה ממוצרי סיליקון לקרביד להמרת מתח בינוני" נבחרה לספק קל משקל, מצב מוצק, המרת אנרגיה במתח בינוני ליישומי הספק גבוה כגון תחנות חשמל מוצקות וגנרטורי טורבינות רוח. פריסת טכנולוגיות מוליכות למחצה מתקדמות אלה עשויה לספק עד כה 25-30 הפחתת אחוז בצריכת החשמל באמצעות יעילות מוגברת בהספקת חשמל. החידושים שנבחרו היו לתמוך ולקדם את ארה"ב. עסקים באמצעות מנהיגות טכנולוגית, באמצעות תהליך תחרותי ביותר.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא בעל תכונות עדיפות להפליא מסיליקון קונבנציונאלי, כגון היכולת להתמודד עם פי עשרה מהמתח - וכפי מאה מהזרם - בטמפרטורות הגבוהות עד 300 מעלות צלזיוס. מאפיינים אלה הופכים אותו למתאים באופן אידיאלי ליישומים בעלי הספק גבוה כמו רכבים היברידיים וחשמליים, אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) התקנות, ומערכות בקרת רשת חשמל.

זה כבר מבוסס היטב כי מתח גבוה במיוחד (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית המכשירים תשחק תפקיד מהפכני ברשת השירות של הדור הבא. מכשירי SiC מבוססי תיריסטור מציעים את הביצועים הגבוהים ביותר במצב >5 התקני kV, וישימות נרחבות כלפי מעגלי המרת מתח מתח בינוני כמו מגבלות זרם תקלה, ממירי AC-DC, פנסי VAR סטטי ומפצי סדרה. תיריסטורים מבוססי SiC מציעים גם את הסיכוי הטוב ביותר לאימוץ מוקדם בגלל הדמיון שלהם לאלמנטים קונבנציונליים ברשת החשמל. יישומים ויתרונות מבטיחים אחרים למכשירים אלה כוללים:

  • מערכות ניהול צריכת חשמל ומיזוג הסבה להמרת מתח מתח בינוני מבוקשת תחת יכולת ימי עתידית (FNC) של הצי האמריקני, מערכות שיגור אלקטרומגנטיות, מערכות נשק בעלות אנרגיה גבוהה והדמיה רפואית. יכולת תדר ההפעלה הגבוהה ב-10-100X מאפשרת שיפורים חסרי תקדים בגודלם, מִשׁקָל, נפח ובסופו של דבר, עלות מערכות כאלה.
  • מגוון אחסון אנרגיה, יישומי פיזיקה בטמפרטורה גבוהה ואנרגיה גבוהה. יישומי אחסון אנרגיה ורשתות חשמל זוכים לתשומת לב גוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

“יצאנו כמובילים בטכנולוגיית SiC במתח גבוה במיוחד על ידי מינוף יכולת הליבה שלנו בעיצוב מכשירים ותהליכים עם מערך ייצור נרחב., אִפיוּן, ומתקני בדיקה,"מסכם ד"ר. סינג. "עמדת GeneSiC אומתה כעת על ידי ה- DOE האמריקנית ביעילות עם פרס המשך משמעותי זה."

על GeneSiC Semiconductor

ממוקם אסטרטגי ליד וושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו חוזי פריים / משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקרwww.genesicsemi.com.