פורסם ב

G3R ™ 750V SiC MOSFETs מציעים ביצועים ואמינות שאין שני להם

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, יוני 04, 2021 — הדור הבא של GeneSiC 750 V G3R ™ MOSFETs SiC יספקו רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים ירידה נמוכה במצב במצב בטמפרטורות הפעלה, מהירויות מעבר מהירות יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מינימלי (EMI נמוך) וגודל מערכת קומפקטי. G3R™ של GeneSiC, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים לפעול עם הפסדי הספק הנמוכים ביותר בכל תנאי ההפעלה ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר באופן משמעותי בהשוואה למכשירי SiC MOSFET עכשוויים.

750V G3R SiC MOSFET

"שימוש באנרגיה ביעילות גבוהה הפך למוצר קריטי בממירי כוח מהדור הבא והתקני כוח SiC ממשיכים להיות המרכיבים העיקריים המניעים את המהפכה הזו. לאחר שנים של עבודת פיתוח להשגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי ומפולות חזקים, אנו נרגשים לשחרר את ה-MOSFETs 750V SiC עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה. G3R™ שלנו מאפשר למעצבי אלקטרוניקה כח לעמוד ביעילות המאתגרת, יעדי צפיפות הספק ואיכות ביישומים כמו ממירים סולאריים, מטענים מובנים ל-EV וספקי כוח לשרת/טלקום. איכות מובטחת, הנתמכת על ידי הסבה מהירה וייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה משפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם. ” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • טעינת השער הנמוכה ביותר בתעשייה (שז) והתנגדות שער פנימי (RG(INT))
  • R הנמוך ביותרDS(עַל) להשתנות עם הטמפרטורה
  • קיבול פלט נמוך (גלָנוּ) וקיבול מיילר (גGD)
  • 100% מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
  • יכולת עמידה בקצר חשמלי מובילה בתעשייה
  • דיודת גוף מהירה ואמינה עם V נמוךו ו-Q נמוךRR
  • מתח סף שער גבוה ויציב (וTH) על פני כל תנאי הטמפרטורה והטיית הניקוז
  • טכנולוגיית אריזה מתקדמת לעמידות תרמית נמוכה יותר וצלצול נמוך יותר
  • אחידות ייצור של RDS(עַל), וTH ומתח התפרקות (BV)
  • סל מוצרים מקיף ושרשרת אספקה ​​בטוחה יותר עם ייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה

יישומים –

  • סוֹלָרִי (PV) ממירים
  • EV / מטענים משולבים של HEV
  • שרת & ספקי כוח טלקום
  • ספקי כוח אל פסק (יו פי אס)
  • ממירי DC-DC
  • ספקי כוח במצב מיתוג (SMPS)
  • אחסון אנרגיה וטעינת סוללה
  • חימום אינדוקציה

כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

רכב חשמלי

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

אלקטרוניקה חץ

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

פורסם ב

הדור השלישי החדש של SiC MOSFETs של GeneSiC המציע את מיטב העניינים הטובים ביותר בתעשייה

DULLES, VA, פברואר 12, 2020 — הדור הבא של GeneSiC Semiconductor 1200V G3R ™ SiC MOSFETs עם RDS(עַל) רמות הנעים בין 20 mΩ ל 350 mΩ מספקים רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים יעילות גבוהה יותר, תדר מיתוג מהיר יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מופחת (EMI) וגודל מערכת קומפקטי.

GeneSiC מודיעה על זמינות MOSFETs המובילים בענף הסיליקון קרביד הדור השלישי המובילים בתעשייה, הכוללים ביצועים מובילים בתעשייה, עמידות ואיכות לרתום רמות יעילות ואמינות של המערכת ביישומי רכב ותעשייה.

אלה G3R ™ SiC MOSFETs, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים מאוד לתכנון מערכות חשמל הדורשות רמות יעילות גבוהות ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר בהשוואה למוצרים מתחרים. איכות מובטחת, נתמך על ידי ייצור מהיר של נפח גבוה, המשפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם.

"לאחר שנים של עבודות פיתוח לקראת השגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי משופרים, אנו שמחים לשחרר את מיטב ה- SiC MOSFET של 1200 וולט עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה 15+ מוצרי שבב בדידים וחשופים. אם מערכות האלקטרוניקה החשמליות מהדור הבא יעמדו ביעילות המאתגרת, צפיפות הספק ויעדי איכות ביישומים כמו רכב, תַעֲשִׂיָתִי, אנרגיה מתחדשת, הוֹבָלָה, IT וטלקום, אז הם דורשים שיפור משמעותי בביצועי המכשיר ובאמינותם בהשוואה ל- SiC MOSFET הקיימים כיום” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון – G3R ™ SiC MOSFETs כוללים את ההתנגדות הנמוכה ביותר בתעשייה עם טעינת שער נמוכה מאוד, וכתוצאה מכך ל 20% נתון שווי טוב יותר מכל מכשיר מתחרה דומה אחר
  • הפסדי הולכה נמוכים בכל הטמפרטורות – MOSFETs של GeneSiC כוללים תלות בטמפרטורה הרכה ביותר של התנגדות במצב כדי להציע הפסדי הולכה נמוכים מאוד בכל הטמפרטורות.; טוב יותר באופן משמעותי מכל תעלות אחרות מסוג SiC MOSFET משטחיות
  • 100 % מפולת שלגים נבדקה – יכולת UIL חזקה היא דרישה קריטית עבור רוב היישומים בשטח. 1200V SiC MOSFET דיסקרטי של GeneSiC הם 100 % מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
  • טעינת שער נמוכה והתנגדות שער פנימית נמוכה – פרמטרים אלה הם קריטיים לקראת מימוש מיתוג מהיר במיוחד והשגת יעילות גבוהה ביותר (Eon נמוך - Off) במגוון רחב של תדרי החלפת יישומים
  • הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס – כל ה- MOSFET של SiC של GeneSiC מתוכננים ומייצרים בתהליכים חדישים כדי לספק מוצרים יציבים ואמינים בכל תנאי ההפעלה ללא כל סיכון לתקלה.. איכות תחמוצת השער המעולה של מכשירים אלה מונעת כל סף (וTH) סְחִיפָה
  • קיבולי מכשיר נמוכים – G3R ™ נועדו לנהוג מהר יותר ויעיל יותר עם קיבולי המכשיר הנמוכים שלהם - Ciss, קוז וקרס
  • דיודת גוף מהירה ואמינה עם מטען פנימי נמוך – MOSFETs של GeneSiC כוללים חיוב נמוך לשחזור הפוך (שRR) בכל הטמפרטורות; 30% טוב יותר מכל מכשיר מתחרה בעל דירוג דומה. זה מציע ירידה נוספת בהפסדי החשמל ומגביר את תדרי ההפעלה
  • קלות שימוש – G3R ™ SiC MOSFET מיועדים להניע ב + 15 וולט / -5כונן שער V. זה מציע תאימות רחבה ביותר עם מנהלי שער IGBT ו- SiC MOSFET מסחריים קיימים

יישומים –

  • רכב חשמלי – רכבת כוח וטעינה
  • מהפך סולארי ואחסון אנרגיה
  • כונן מנוע תעשייתי
  • ספק כוח ללא הפרעה (יו פי אס)
  • ספק כוח במצב מתג (SMPS)
  • ממירי DC-DC דו כיווניים
  • רשת חכמה ו- HVDC
  • אינדוקציה חימום וריתוך
  • יישום כוח מפועם

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

רכב חשמלי

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

אלקטרוניקה חץ

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP. כל המכשירים מוצעים בתקן התעשייתי D2PAK, חבילות TO-247 ו- SOT-227.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.